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[发明专利]根据光刻胶形貌快速确定光刻工艺条件的方法-CN202310423475.0在审
发明人： 郑鸿柱;郭纹辰;张利东 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种根据光刻胶形貌快速确定光刻工艺条件的方法，提供至少一晶圆，在晶圆上形成光刻胶层，在不同的曝光区域上利用不同光刻工艺条件进行多次曝光；之后获取每个曝光区域上的光刻胶形貌图片；根据光刻胶形貌图片获取光刻胶轮廓，切割光刻胶轮廓形成多个切割段，之后计算每个切割段的形貌偏差值；以光刻工艺条件的参数及其对应的形貌偏差值进行模型训练得到机器学习模型；随机形成多组光刻工艺条件的测试参数，利用机器学习模型得到每组测试参数的形貌偏差值；选择符合判定值的形貌偏差值对应的测试参数作为最终光刻工艺条件。本发明通过生成光刻胶形貌偏差对光刻胶形貌定量描述，通过模型预测最佳工艺条件，节约了时间。
根据光刻形貌快速确定工艺条件方法

[发明专利]补偿高阶套刻误差的方法-CN202211048350.6在审
发明人： 郑鸿柱;周文湛;张瑜;邹文伟 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种补偿高阶套刻误差的方法，包括：步骤一、计算曝光后的晶圆的各段工艺制程引入的第一套刻误差。步骤二、将第一套刻误差中的晶圆级的线性套刻误差剥离并形成曝光区域级的第二套刻误差。步骤三、根据第二套刻误差对光罩写入进行修正并进行光罩写入得到修正后的光罩。步骤四、采用修正后的光罩进行晶圆的曝光以补偿高阶套刻误差。本发明能补偿高阶套刻误差且能保证工艺过程中造成的套刻误差得到完全补偿。
补偿高阶套刻误差方法

[发明专利]改善套刻误差差异的光刻方法-CN202211058221.5在审
发明人： 郑鸿柱;王剑;邹文伟;周文湛 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善套刻误差差异的光刻方法，包括：步骤一、对光罩进行曝光预处理使光罩的温度达到饱和温度。步骤二、采用已经达到饱和温度的光罩对晶圆进行曝光，使曝光区域间以及晶圆间的套刻误差的差异减少。本发明能消除随着曝光时间的增加光罩的温度也会增加从而造成曝光区域间以及晶圆间的套刻误差的差异较大的缺陷，从而能减少曝光区域间以及晶圆间的套刻误差的差异。
改善误差差异光刻方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210418472.3在审
发明人： 郑鸿柱;张利东 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L27/11531 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其制造方法。本发明提供的半导体结构制造方法中，先在存储单元区和逻辑电路区中形成第一氧化层和氮化硅层；然后，对逻辑电路区进行保护，并对存储单元区执行第一刻蚀工艺，以去除存储单元区中栅极结构顶部和衬底上的氮化硅层；接着，在存储单元区和逻辑电路区中沉积第二氧化层，并对存储单元区和逻辑电路区执行第二刻蚀工艺，以在存储单元区和逻辑电路区中的栅极结构的侧壁上形成ONO结构的侧墙。利用本发明提供的制造方法，对逻辑电路区仅执行一次刻蚀工艺，有效防止发生过刻蚀，保护侧墙结构不被损伤，确保后续工艺不受影响，从而有助于提高器件良率和可靠性。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]图像传感器的制造方法-CN202210287629.3在审
发明人： 郑鸿柱;张利东;肖建刚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种图像传感器的制造方法，应用于半导体技术领域。具体的，其在通过现有的方法形成第一深阱区和第二深阱区之后，均未去除形成所述第一深阱区和第二深阱区的光刻胶层，而是进一步在该光刻胶层上形成一层与该光刻胶层的化学键可以发生化学混合反应的介质层(第一介质层或第二介质层)，然后，使二者发生化学反应从而得到尺寸改变后的光刻胶层，并以该光刻胶层作为形成第三深阱区和第四深阱区的光刻胶层，从而省去了现有技术中用于形成第三深阱区和第四深阱区的光刻工艺，节省了光罩，释放了scanner机台产能。
图像传感器制造方法

[发明专利]芯片拼接方法-CN201910529990.0有效
发明人： 郑鸿柱;何洪波;赵彬;王剑 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片拼接方法，包括步骤：步骤一、将芯片设计版图分割成多个拼接设计版图。步骤二、根据拼接设计版图设计光罩版图，光罩版图中包括多个光罩拼接版图，每一个光罩拼接版图和一种拼接设计版图相对应；在相邻光罩拼接版图的拼接位置处设置有不透光区域和对应的拼接缝套刻标记，拼接缝套刻标记至少包括成对的两个。步骤三、采用光罩版图进行曝光在晶圆上形成芯片实际版图，芯片实际版图由曝光形成的拼接实际版图拼接而成，在各相邻的拼接实际版图的拼接位置处，对应的成对的两个拼接缝套刻标记经过两次曝光后套准在一起并用于对拼接进行套刻对准。本发明能对芯片各部分的拼接位置处的对准精度进行精确控制，符合大规模量产的需求。
芯片拼接方法

[发明专利]掩膜版的制造方法及掩膜版-CN201910891434.8在审
发明人：陈继华;应广驰;郑鸿柱 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种掩膜版的制造方法，包括：提供一基版，所述基版上形成有主图形及设于所述主图形区的四周的切割道形成区；在所述切割道图形区中形成套刻对准标记及冗余图形，所述冗余图形包围所述套刻对准标记。在已设有套刻对准标记的情况下，在所述掩膜版的切割道形成区中增设所述冗余图形，能够在后续将所述套刻对准标记和所述冗余图形一并转印至晶圆表面，分散了刻蚀晶圆以得到与所述套刻对准标记相对应的密集线时晶圆表面受到的刻蚀应力，从而避免了刻蚀过程中密集线的断线，减少了套刻对准标记的损坏，提高了刻蚀的稳定性，从而降低了套刻对准的量测噪声，提高了产品良率。
套刻对准标记冗余图形切割道刻蚀晶圆表面密集线掩膜版基版产品良率刻蚀过程量测噪声图形区主图形断线晶圆转印对准增设包围制造

[发明专利]一种基于环形柱透镜的离轴光纤旋转连接器-CN201410513935.X有效
发明人：李毅;刘飞;孙瑶;唐佳茵;郝如龙;袁文瑞;郑鸿柱;陈建坤;陈少娟;方宝英;王小华;肖寒 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： G02B6/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于环形柱透镜的离轴光纤旋转连接器，其包括以旋转界面对称排列的光输入端和光输出端，光输入端和光输出端结构相同，绕同一中空旋转轴相对旋转，以实现光信号的双向传输。输入光信号由主光纤一进入光分路器一，以功率均分的方式耦合到分段光纤一的各段光纤中，相同的光信号经过自聚焦透镜阵列准直器一准直扩束后入射到环形柱透镜一上，准直为平行光后经旋转界面，被环形柱透镜二接收，然后耦合进入自聚焦透镜阵列准直器二，被会聚进入分段光纤二的各段光纤中，最后在光分路器二中以功率叠加的方式耦合到主光纤二中并输出。环形柱透镜的设计使本发明提高了离轴旋转传输光信号的耦合效率，并可根据实际的离轴空间尺寸需求进行灵活设计。
一种基于环形透镜光纤旋转连接器

[发明专利]一种高效率红外热光调制器的制备方法-CN201410100440.4有效
发明人：李毅;郑鸿柱;袁文瑞;陈建坤;陈少娟;孙瑶;唐佳茵;郝如龙;刘飞;方宝英;王小华;佟国香;肖寒 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：一种高效率红外热光调制器的制备方法，由上、下两片硒化锌基片、四个石墨烯电极和钨掺杂二氧化钒薄膜层封装而成；其特点是：在每个硒化锌基片上先制备两个石墨烯电极，再在硒化锌基片和石墨烯电极上制备一层钨掺杂二氧化钒薄膜层，最后将上述两个硒化锌基片的钨掺杂二氧化钒薄膜层贴合，封装成高效率红外热光调制器。本发明可实现红外波段热光的调制；具有加热效率极高、调制速度可达飞秒级、耗能低、插入损耗小、制作工艺简单等优点。
一种高效率红外调制器制备方法

[发明专利]一种三明治复合结构红外热光调制器的制备方法-CN201410078895.0无效
发明人：李毅;郑鸿柱;袁文瑞;陈少娟;陈建坤;孙瑶;唐佳茵;郝如龙;刘飞;方宝英;王小华;佟国香;肖寒 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2014-03-05 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种三明治复合结构红外热光调制器由基片、FTO透明导电薄膜层和二氧化钒薄膜层组成；制备方法：采用溶胶－凝胶法，先在两片基片上沉积一层FTO透明导电薄膜；然后在其中一片FTO透明导电薄膜上直流磁控溅射金属钒，再通过中温退火得到纳米二氧化钒薄膜层；最后与另一片沉积好FTO透明导电薄膜的基片封装成三明治复合结构的红外热光调制器。本发明可实现红外波段热光调制，插入损耗低、相变速度为飞秒级，具有功耗低、结构简单、可靠性高、易于制作等优点。可应用于光电子技术领域。
一种三明治复合结构红外调制器制备方法

[发明专利]一种双层膜结构的高温纳米电热膜及其制备方法-CN201410068843.5无效
发明人：李毅;袁文瑞;郑鸿柱;陈少娟;陈建坤;孙瑶;唐佳茵;郝如龙;刘飞;方宝英;王小华;佟国香;肖寒 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H05B3/12 文献下载
摘要：一种双层膜结构的高温纳米电热膜，由石英基底、合金薄膜电极、碳化硅和二硅化钼复合膜层组成；利用磁控溅射的方法，先在石英基底上掩膜溅射合金薄膜电极，然后依次沉积碳化硅和二硅化钼膜层；最后再高温退火氧化，将二硅化钼膜层表面氧化成薄的二氧化硅保护层。所述的合金薄膜电极为铂合金薄膜电极或钴基合金薄膜电极。所述电热膜采用了两种纯度为99.950%的高温纳米材料碳化硅和二硅化钼，膜层表面被氧化成耐高温的二氧化硅多晶结构，隔绝了氧气，有效提高了电热膜的寿命和安全系数。本发明利用了这两种材料的优点，工作温度高达1000℃，同时热效率为98%左右，可广泛用于高温加热等技术领域。
一种双层膜结构高温纳米电热及其制备方法

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