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[发明专利]企业工业能源数据网关-CN202211559121.0在审
发明人：黄勇达;谭立新;蒋旭东;刘丰城;祝定磊;郑雅云 -专利权人：航天云网云制造科技（温州）有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H04L12/66 文献下载
摘要：本发明公开了企业工业能源数据网关，包括供电模块、通信模块、处理器、采集模块和单片机，供电模块用于给通信模块、处理器和采集模块供电，采集模块与现场总线电连接，采集模块的输出端与处理器的输入端电连接，处理器的输出端与通信模块的输入端电连接，通信模块的输出端与客户端和云端电连接，处理器的输出端还与单片机的输入端电连接，单片机的输出端与现场总线电连接。采集模块采集现场总线传输的数据，数据发送给处理器处理，处理器处理向单片机发出信号，单片机控制对应企业工位的开关关闭，避免能源消耗，经处理器处理后的数据再有通信模块传输到客户端，便于后台人员查看耗能情况，并且上传到云端进行储存，便于后续查看调用。
企业工业能源数据网关

[实用新型]企业工业能源数据网关-CN202223272520.7有效
发明人：黄勇达;谭立新;蒋旭东;刘丰城;祝定磊;郑雅云 -专利权人：航天云网云制造科技（温州）有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H04L12/66 文献下载
摘要：本实用新型公开了企业工业能源数据网关，包括供电模块、通信模块、处理器、采集模块和单片机，供电模块用于给通信模块、处理器和采集模块供电，采集模块与现场总线电连接，采集模块的输出端与处理器的输入端电连接，处理器的输出端与通信模块的输入端电连接，通信模块的输出端与客户端和云端电连接，处理器的输出端还与单片机的输入端电连接，单片机的输出端与现场总线电连接。采集模块采集现场总线传输的数据，数据发送给处理器处理，处理器处理向单片机发出信号，单片机控制对应企业工位的开关关闭，避免能源消耗，经处理器处理后的数据再有通信模块传输到客户端，便于后台人员查看耗能情况，并且上传到云端进行储存，便于后续查看调用。
企业工业能源数据网关

[实用新型]一种电气火灾预警装置-CN202223262657.4有效
发明人：黄勇达;谭立新;蒋旭东;刘丰城;祝定磊;郑雅云 -专利权人：航天云网云制造科技（温州）有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G08B17/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及预警技术领域，公开了一种电气火灾预警装置，包括放置架，所述放置架前端中部固定连接有上架板，所述放置架前端内壁对应上架板顶部滑动连接有保护框，所述放置架前端底部固定连接有下架板，所述上架板顶端与下架板底端中部均设置有卡槽，所述卡槽内壁设置有硬质易燃纸条，所述放置架前端底部设置有安装槽，所述放置架底端内壁对应安装槽下部左右两侧均设置有内置槽，所述放置架内壁对应内置槽左右两侧位置处均固定连接有若干个弹簧。本实用新型中，通过设置了保护框和硬质易燃纸条，使得在火灾发生时火势过大会烧断硬质易燃纸条，从而使保护框沿掉落槽和滑槽滑动下来保护预警盒不被火势所损坏。
一种电气火灾预警装置

[发明专利]半导体装置、记忆体装置及制造记忆体装置的方法-CN202210042870.X在审
发明人：刘朋骏;吴志强;郑雅云;刘逸青;林孟汉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/11597 文献下载
摘要：一种半导体装置、记忆体装置及制造记忆体装置的方法，半导体装置包括沿垂直方向延伸的第一导电结构及沿垂直方向延伸的第二导电结构。第二导电结构沿第一侧向与第一导电结构间隔开。半导体装置包括多个第三导电结构，其各自沿第一侧向延伸。第三导电结构横跨第一及第二导电结构设置。半导体装置包括沿垂直方向延伸的第一半导体通道。第一半导体通道设置于第三导电结构与第一导电结构之间、及第三导电结构与第二导电结构之间。第一及第二导电结构各自具有沿第一侧向的第一变化宽度，且第一半导体通道具有沿第二侧向的第二变化宽度。
半导体装置记忆体制造方法

[发明专利]半导体装置，记忆体装置及其制造方法-CN202210032310.6在审
发明人：刘朋骏;郑雅云;刘逸青;林孟汉;黄家恩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：一种半导体装置，记忆体装置及其制造方法，半导体装置包含沿垂直方向延伸的第一导电结构及沿垂直方向延伸的第二导电结构。第二导电结构沿一侧向与第一导电结构间隔开。半导体装置进一步包含多个第三导电结构，各个第三导电结构沿该侧向延伸。多个第三导电结构跨第一导电结构及第二导电结构设置。第一导电结构及第二导电结构各具有沿该侧向的变化宽度。根据第一导电结构及第二导电结构的变化宽度，多个第三导电结构具有个别不同的厚度。
半导体装置记忆体及其制造方法

[发明专利]一种基于四苯基乙烯的聚集诱导荧光探针、制备方法及其应用-CN202210338555.1在审
发明人：张志颖;杨聪;郑雅云;刘荣荣;闫兵 -专利权人：广州大学
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C07D213/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于四苯基乙烯的聚集诱导荧光探针、制备方法及其应用，所述聚集诱导荧光探针具有附图1所示的结构式，其中，R1为碳原子数3‑15的烷基基团，R2为碳原子数为2‑5的烷基基团；其是以四苯基乙烯为母体，并通过接枝阳离子吡啶与长链烷基制备得到的一种新型AIE小分子荧光探针。该荧光探针应用于制备细菌荧光成像或光动力抗菌的材料，可实现细菌的免洗成像；或者用于制备指示细菌存活状态或对细菌细胞膜的抗菌活性药物的筛选材料，实现对细菌进行快速、实时、可视化的观察分析研究。
一种基于苯基乙烯聚集诱导荧光探针制备方法及其应用

[实用新型]一种医疗耳鼻喉科临床用喷药装置-CN202021387800.0有效
发明人：张义建;郑雅云 -专利权人：张义建
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： A61M31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种医疗耳鼻喉科临床用喷药装置，所述的喷药装置包括活塞杆、活塞、喷药管、储药罐、第一单向阀和第二单向阀，所述的第一单向阀连通的设置在喷药管的中部，所述的喷药管的前面设置有喷头，所述的第一单向阀与喷头连通；所述的第二单向阀连通的设置在喷药管的后部侧面上，并且第二单向阀和第一单向阀的流向相反；所述的活塞可滑动的设置在喷药管的后部；所述的活塞杆的端部设置在活塞的外侧面上；所述的储药罐的出口与第二单向阀连通，本实用新型结构简单，使用方便。
一种医疗耳鼻喉科临床用喷药装置

[实用新型]一种耳鼻喉科给药装置-CN202021395156.1有效
发明人：田绪敏;郑雅云 -专利权人：田绪敏
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： A61M31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种耳鼻喉科给药装置，所述的给药装置包括杆件、传动杆、活塞块、储药头部和环形座，所述的杆件贯穿的开设有通孔，并且杆件的顶面上开设有与通孔下口连通的安装腔；所述的传动杆可滑动的安装在通孔内，传动杆的底端位于安装腔内，传动杆的顶端位于杆件的外侧；所述的活塞块的侧面与安装腔的内侧面可滑动的配合，并与传动杆的底端固连；所述的储药头部可拆卸的安装在安装腔上，并且在储药头部开设有多个出药通孔，药物储存在储药头部内，所述的活塞块可滑入储药头部内，将药物通过储药通孔排出；所述的环形座由两个环形结构组成，两个环形结构对称的固定的设置在杆件顶部的两侧，本实用新型结构简单，使用方便。
一种耳鼻喉科装置

[实用新型]一种西医用耳鼻喉科喷洗装置-CN202021388435.5有效
发明人：聂虹;郑雅云 -专利权人：聂虹
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： A61M3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种西医用耳鼻喉科喷洗装置，其特征在于：所述的冲洗装置包括：冲洗管件，所述的冲洗管件设置有两根，分别为第一冲洗管件和第二冲洗管件，第一冲洗管件和第二冲洗管件的结构相同，均包括第一软管、透明硬质管、单向阀和第二软管，所述的第一软管和第二软管分别连通的设置在透明硬质管的两端部，所述的单向阀设置在透明硬质管上；压力箱，所述的压力箱具有三个通孔，分别为第一通孔、第二通孔和第三通孔，所述的第一冲洗管件和第二冲洗管件的第二软管分别连通的设置在第一通孔和第二通孔上；气压施加装置，所述的气压施加装置通过第三通孔与压力箱连通，并且可向压力箱内施加正压和负压，本实用新型结构简单，使用方便。
一种西医耳鼻喉科装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010328233.X在审
发明人：蔡俊雄;郑雅云;柯志欣;万幸仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种包括FET的半导体器件，包括：隔离绝缘层，设置在衬底的沟槽中；栅极介电层，设置在衬底的沟道区域上方；栅电极，设置在栅极介电层上方；源极和漏极，设置为邻近沟道区域；以及嵌入式绝缘层，设置在源极、漏极和栅电极下方，并且嵌入式绝缘层的两端连接至隔离绝缘层。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]一种耳鼻喉科工具放置台-CN201921065854.2有效
发明人：蔡贵实;裴秋萍;郑雅云 -专利权人：蔡贵实
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： A61B50/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种耳鼻喉科工具放置台，包括机箱，所述机箱内腔的底部固定连接有驱动电机，所述驱动电机的输出轴固定连接有螺纹杆，所述螺纹杆的表面套设有升降装置，所述升降装置左右两侧的底部均固定连接有传动装置，所述传动装置的顶部固定连接有挡板，所述挡板的顶部固定连接有滑动装置。本实用新型通过驱动电机和升降装置的配合，便于放置板上下移动，通过传动装置和挡板的配合，便于挡板左右移动，当放置板上升时，挡板向两侧移动，当放置板下降时，挡板向中心移动，使机箱密封，防止工具长时间放置在外界导致感染细菌，从而达到便于使用的效果，解决了现有装置不便于使用的问题。
一种耳鼻喉科工具放置

[发明专利]一种磷杂苯钼的π络合物及其制备方法与应用-CN202010196519.7在审
发明人：刘荣荣;毛彦利;刘小坤;郑雅云;闫兵 -专利权人：广州大学
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： C07F11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷杂苯钼的π络合物及其制备方法与应用，所述络合物的结构式为：所述化合物的制备方法为磷杂苯化合物和六羰基钼在甲苯中进行回流反应得到红色固体的络合物。该络合物在同一个环上既有η1配位又有η6配位，能够作为催化剂用于多种金属催化反应；该络合物具有稳定性强、催化效率高的优点，能够应用于钼催化CO插羰反应中；该络合物的制备方法具有合成步骤短、合成产率高、后处理简单和合成的产物稳定的优点。
一种磷杂苯钼络合物及其制备方法应用

[发明专利]金属栅极形成方法及其形成结构-CN201910816297.1在审
发明人：李宜静;郑雅云;林浩宇;陈奕升;许家铭;柯志欣;幸仁·万 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明实施例涉及金属栅极形成方法及其形成结构。本揭露提供一种形成半导体结构的方法，其包括：提供衬底；在所述衬底中形成第一对源极/漏极区；在所述衬底上方放置层间介电质层，所述层间介电质层具有介于所述第一对源极/漏极区之间的第一沟槽；在所述第一沟槽中沉积介电质层；在所述介电质层上方沉积障壁层；从所述第一沟槽移除所述障壁层以曝光所述介电质层；在所述第一沟槽中的所述介电质层上方沉积功函数层；及在所述第一沟槽中的所述功函数层上方沉积导电层。
金属栅极形成方法及其结构

[发明专利]鳍式场效应晶体管(FINFET)器件结构及其形成方法-CN201510262860.7有效
发明人：温宗尧;王圣祯;杨世海;宋学昌;郑雅云 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构及其形成方法。FinFET器件结构包括衬底和从衬底延伸的鳍结构。FinFET器件结构也包括形成在鳍结构中的抗穿通注入(APT)区和形成在APT区上的阻挡层。阻挡层具有中间部分和外围部分，并且中间部分高于外围部分。FinFET器件结构还包括形成在阻挡层上的外延层。
场效应晶体管 finfet 器件结构及其形成方法

[发明专利]5-溴-2-取代嘧啶类化合物的制备方法-CN201911016288.0在审
发明人：刘荣荣;毛彦利;王伸勇;刘小坤;郑雅云;闫兵 -专利权人：广州大学
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C07D239/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种5‑溴‑2‑取代嘧啶类化合物的制备方法，通过以2‑溴丙二醛和脒类化合物为原料一步反应得到5‑溴‑2‑取代嘧啶类化合物。该方法操作简单、安全、用时短、成本低，简化了制备工艺且减低了合成成本，为5‑溴‑2‑取代嘧啶类化合物的合成提供了新的高效途径，能够适用于医药化工行业规模化生产。
取代嘧啶类化合物规模化生产脒类化合物合成成本一步反应医药化工制备工艺丙二醛用时制备合成安全

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