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[实用新型]一种菜籽清理筛-CN202320422803.0有效
发明人：周元平;章鑫;邱艳丽 -专利权人：湖北益美农业科技有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B07B1/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种菜籽清理筛，包括底座、下筛框和上筛框，本实用新型涉及菜籽清理筛技术领域。该菜籽清理筛,通过在下筛框和上筛框之间的表面设置螺纹固定机构，当转动转把手时可通过转杆和转动块在转动槽内的转动带动螺纹杆在第二衔接块上螺纹槽内的螺纹升降转动，通过螺纹杆的螺纹升降带动转动块，转动块带动第一衔接块,第一衔接块带动上筛框，进而使得上筛框可压紧与下筛框之间的筛网，且由于下筛框和上筛框的挤压处设置防滑橡胶垫，使得筛网不易脱落，进而利用螺纹杆可将上筛框提升并将筛网取出更换，期间只用了前后两个螺纹杆进行固定并配合防滑橡胶垫不易使得筛网脱落的作用，从而实现了方便拆卸取出。
一种菜籽清理

[发明专利]一种半导体器件的制作方法及半导体器件-CN202310682543.5在审
发明人：孙博韬;张敬伟;邱艳丽;徐妙玲;林信南;张晨;修德琦;韩丽楠 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件的制作方法及半导体器件，该制作方法包括：形成外延层，所述外延层具有相对的第一表面和第二表面；在所述第一表面内形成第一阱区以及沟槽；所述沟槽具有一垂直侧壁，所述第一阱区位于与所述垂直侧壁相邻一侧的第一表面内；基于所述沟槽，在所述沟槽所露出的外延层内形成第二阱区和源区；在所述沟槽内形成栅极结构，所述栅极结构位于所述垂直侧壁的表面上；其中，所述第一阱区与所述栅极结构接触，用于形成第一沟道；所述第二阱区与所述栅极结构接触，用于形成第二沟道；所述源区至少包围所述沟槽栅极的底部。
一种半导体器件制作方法

[实用新型]墙体打孔定位器-CN202320028160.1有效
发明人： 邱艳丽;敬英;袁鹏;吐尔孙古丽·卡斯木;雍其龙;米兰 -专利权人：克孜勒苏柯尔克孜自治州第一建筑安装工程有限责任公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B28D1/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种墙体打孔定位器，属于钻孔辅助装置技术领域，其主要针对现有的定位器在每次更换一个孔位后都需要对定位器进行拆装换位，而后在利用电钻对墙面进行打孔，从而导致工作人员操作时较为繁琐，拆装定位器较为耗时，降低了工作的效率的技术问题，提出如下方案，包括有安装环、伸缩筒和电钻，安装环的一侧安装有螺纹筒，螺纹筒的内壁上开设有三组滑槽，伸缩筒外圆面的一端设有三组限位块，限位块均卡设在滑槽内，伸缩筒的一端设有接触板，伸缩筒外套设有第一压缩弹簧，安装环通过夹持组件固定于电钻的一端，电钻的一端安装有钻头，钻头穿设于伸缩筒内的正中心位置，从而打孔更加的快捷，操作更加的方便，提高了工作效率。
墙体打孔定位器

[发明专利]一种SiC MOSFET器件及其制备方法-CN202310565977.7在审
发明人： 邱艳丽;孙博韬;徐妙玲;林信南;张晨;修德琦;韩丽楠 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种SiC MOSFET器件及其制备方法，该SiC MOSFET器件通过在漂移区形成多个间隔排布的反型注入区，使任相邻两个反型注入区和介于该相邻两个反型注入区之间的漂移区构成JFET区，即JFET区向衬底方向延伸，从而使最大电场位置远离器件表面而向漂移区内部转移，还使得最大电场位置和最大电流密度集中的沟道区域相分离，且漂移区电流密度分布更加均匀，因此，器件在短路后的热点不再集中于沟道附近的器件表面，而是更靠近衬底，且更均匀地分布在漂移区，以减少栅氧化层和栅极金属熔化的失效概率，延迟热逃逸发生时间，降低热点温度，提高器件抗短路耐受能力，增大器件短路耐受时间。
一种 sic mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种游泳池防护装置及其船舶-CN202310309353.9在审
发明人：黄玉颇;房马小;孙铭;邱艳丽 -专利权人：上海外高桥造船有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B63B17/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种游泳池防护装置及其船舶，所述游泳池保护装置包括环形外护栏和两个浴池；所述环形外护栏一侧具有开口并形成断开的护栏两端，所述环形外环栏的围合区域为泳池；两个所述浴池分别设置在所述两端，两个所述浴池之间通过阶梯封堵所述开口，以使所述泳池的第一区域具有第一预定深度，所述泳池与所述环形外护栏之间的第二区域具有第二预定深度。通过环抱外护栏形成水的上限位置，然后分别通过第一预定深度和第二预定深度形成深水区和浅水区，有助于解决现有技术中暂时并无由于空间有限，需要一种浅水区和深水区合并后泳池设计的技术问题。
一种游泳池防护装置及其船舶

[发明专利]一种超级结结构及其制备方法-CN202310249555.9在审
发明人：孙博韬;张晨;修德琪;韩丽楠;徐妙玲;邱艳丽 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种超级结结构及其制备方法，该超级结结构包括：衬底、外延层，以及位于外延层背离衬底一侧的凹槽；外延层包括多个分压层和围绕凹槽的掺杂区域，分压层相邻凹槽的一侧延伸至掺杂区域内，衬底与外延层的掺杂类型相同，衬底与分压层的掺杂类型不同，分压层与掺杂区域的掺杂类型相同。该超级结结构中的凹槽和围绕凹槽周围的掺杂区域可以构成内终端结构，并且使分压层匹配这种内终端结构，从而实现内部源漏电压的分压，提供空穴电流的通路，优化了开关性能；通过分压层还可以将电位连接至相同高度下的整个平面，以实现外延层的局部耗尽，减少外延层耗尽的空间电荷对纵向电场的贡献，可以达到降低导通电阻的效果。
一种超级结构及其制备方法

[实用新型]一种平封头高压氧舱-CN202320817544.1有效
发明人： 邱艳丽 -专利权人： 邱艳丽
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： A61G10/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种平封头高压氧舱，包括：平封头高压氧舱主体、观察窗、密封门和坐凳，所述平封头高压氧舱主体的外壁固定连接有观察窗，所述平封头高压氧舱主体的端部旋接有密封门，所述平封头高压氧舱主体的内壁底端固定连接有坐凳，所述坐凳的内壁贯穿有旋转杆，所述旋转杆的两端外壁固定连接有靠背，所述坐凳的外壁固定连接有调节机构，所述调节机构包括支撑板、电动推杆和活动杆，本实用新型通过患者在坐凳上，背部靠在靠背上，在支撑板的连接下，使电动推杆工作，在活动杆、开槽连接杆、旋转块和固定套的连接下，同时带动旋转杆和靠背旋转，实现靠背的角度调节，便于患者以舒适的姿势坐在坐凳上进行治疗，降低患者的疲劳程度。
一种平封头高压

[发明专利]一种船舶双向作业工具架-CN202310309518.2在审
发明人：黄玉颇;房马小;孙铭;邱艳丽 -专利权人：上海外高桥造船有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： B63C5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种船舶双向作业工具架，所述船舶双向作业工具架包括底层架和中层架，以及移动装置；所述底层架配置有配重块；所述中层架通过桁架搭接形成具有内部空间的框架，所述内部空间中设置有可移动出所述中层架的操作架；所述操作架通过所述移动装置沿高度向上方向和水平方向移动，并在水平方向移动后向下移动。其中的中层架具有两个方向移动的操作架，以满足向上和船舶外船壁上作业的两种工作，有助于解决现有技术中缺乏一种同时能够对甲板作业和船舶外部作业平台工具的技术问题。
一种船舶双向作业工具

[实用新型]一种组合清理筛-CN202320125571.2有效
发明人：章鑫;邱艳丽;周元平 -专利权人：湖北益美农业科技有限公司
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B07B1/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及清理筛技术领域，尤其是一种组合清理筛，导向杆固定连接至收集架上，活动框可滑动的连接至导向杆上，筛网固定连接至活动框的底端上，复位弹簧的一端固定连接至收集架上，复位弹簧的另一端固定连接至活动框上，收集架上连接用于带动活动框在水平方向移动的水平驱动机构，收集架上连接用于对活动框内的菜籽进行翻动的翻料机构。本实用新型通过在水平驱动机构与复位弹簧的配合下，活动框在水平方向往复运动，在活动框运动过程中，翻料机构对活动框内的菜籽进行翻动，使得上层菜籽中的细小颗粒杂物快速向下移动从筛网上掉落，提高筛网对菜籽的筛选速度。
一种组合清理

[实用新型]一种原料杂质清理装置-CN202320156533.3有效
发明人：章鑫;邱艳丽;黎萍;周元平 -专利权人：湖北益美农业科技有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B07B4/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及菜籽杂质清理技术领域，尤其是一种原料杂质清理装置，包括外壳，所述外壳顶部设置有进料机构，所述外壳底部一侧设置有放置箱，所述外壳一侧设置有风扇，所述风扇一侧的所述外壳上设置有排风管，所述放置箱的垂直投影位于所述排风管与所述风扇之间，所述排风管内设置有固定架，所述固定架靠近所述风扇一侧设置有错位设置的挡板，所述固定架远离所述风扇一侧设置有错位设置的吸音板，所述吸音板与所述挡板之间设置有过滤棉。该装置具有很高的实用价值，值得推广。
一种原料杂质清理装置

[发明专利]一种多阶梯多沟道的沟槽MOSFET器件及其制备方法-CN202310130245.5在审
发明人：徐妙玲;孙博韬;邱艳丽;张晨;修德琦;韩丽楠;介芳 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种多阶梯多沟道的沟槽MOSFET器件及其制备方法，其中n级阶梯沟槽的设计可在确保栅氧可靠性及反向击穿的基础上，增加单位沟槽元胞的沟道通路提升沟道密度，相邻P+注入未在同一水平位置，即第一掺杂区域、第二掺杂区域和第三掺杂区域未在同一水平位置，有效降低相邻P+区域的JFET效应减小JFET电阻，有效降低了MOSFET晶体管的比导通电阻提升单位面积电流密度，JFET效应低使小电流和大电流下导通电阻变化减小；另一方面在源极附近反并联了肖特基二极管在不影响元胞尺寸的基础上，可显著降低MOSFET晶体管二极管压降，提升芯片的集成度，并且降低了集成肖特基二极管的MOSFET器件的制作成本。
一种阶梯沟道沟槽 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种线缆穿接装置及其船舶-CN202310309442.3在审
发明人：黄玉颇;房马小;孙铭;邱艳丽 -专利权人：上海外高桥造船有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H02G3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种线缆穿接装置及其船舶，所述线缆穿接装置包括双金属连接件和至少一片固定片，以及至少一个管箍条和穿接管；所述双金属连接件第一侧与固定件焊接；所述固定片一侧的侧面连接在所述双金属连接件的第二侧；所述管箍条两端同向弯折形成一侧开口的抱箍；所述管箍条由所述开口环抱所述穿接管的侧壁，所述管箍条的两端与所述固定片通过螺栓穿接固定。通过双金属连接件固定在固定件上，并连接穿接管去调整电缆的排布，有助于解决现有技术无法在类似船体一样复杂空间结构下，实现对电缆进行合理排布的技术问题。
一种线缆装置及其船舶

[发明专利]一种提高栅氧可靠性的MOSFET器件及制备方法-CN202211390761.3在审
发明人： 邱艳丽;孙博韬;徐妙玲;张晨;修德琦;韩丽楠 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高栅氧可靠性的MOSFET器件及制备方法，通过在JFET区的两侧形成第一掺杂区域，在所述JFET区背离所述衬底的一侧形成第二掺杂区域，即JFET区上方的栅氧化层是与第二掺杂区域接触的，由于栅氧化层内的电场强度和相接触的第二掺杂区域界面处的电场强度正相关，那么通过第二掺杂区域可进一步降低半导体界面处的电场强度，在漏极加反向高压时第一掺杂区域、第二掺杂区域和外延层会形成空间电荷区，使JFET区夹断，降低与栅氧化层界面的电场，从而起到保护栅氧化层的作用，以此提高MOSFET器件的栅氧可靠性，进而提高MOSFET器件的器件性能。
一种提高可靠性 mosfet 器件制备方法

[发明专利]一种沟槽MOSFET器件及其制备方法-CN202211397181.7在审
发明人：徐妙玲;孙博韬;张晨;邱艳丽;修德琦;韩丽楠 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟槽MOSFET器件及其制备方法，n级阶梯源极沟槽位于栅极沟槽的底部，相当于栅极沟槽和n级阶梯源极沟槽均在同一沟槽内部可以使元胞尺寸减小，且n级阶梯源极沟槽的设置还可以使n级阶梯源极沟槽底部注入的高掺杂的第五掺杂区域更深，以更好的保护优化栅氧化层底部的电场分布；并且在源极附近还反并联肖特基二极管，在不影响元胞尺寸的基础上可显著降低MOSFET晶体管二极管压降，提升芯片的集成度，降低集成肖特基二极管的MOSFET器件的制作成本；通过多个结构的改进还可以进一步提升电流密度，降低比导通电阻，并且集成肖特基二极管可明显改善肖特基接触面积，进一步提升肖特基二极管反向续流能力。
一种沟槽 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]功率器件的终端结构及功率器件-CN202211488318.X在审
发明人：孙博韬;修德琦;张敬伟;邱艳丽;徐妙玲;张晨;韩丽楠 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种功率器件的终端结构及功率器件，该终端结构在传统高掺杂场限环终端结构的基础上，在隔离区叠加阵列排布的多个第一点状结构，使得第一点状结构和隔离区的外延层及隔离区背离衬底的表面的界面态相互耗尽，使得隔离区背离衬底的表面呈自然耗尽的准中性状态，那么，在功率器件不断的开通关断过程中，隔离区背离衬底的表面因呈准中性状态而不参与充放电过程，从而抑制器件应用及可靠性试验中缺陷的生长，提高器件击穿电压的稳定性，并大幅降低隔离区的寄生电容。同时，由于隔离区中第一点状结构和隔离区的第二外延层及隔离区背离衬底的表面的界面态相互耗尽，因此，隔离区在整体上呈低掺杂或准中性状态，从而提高器件击穿电压。
功率器件终端结构

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