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[发明专利]一种馈线终端的控制回路断线告警功能检测系统及方法-CN202210210241.3在审
发明人：尹惠;关石磊;唐可新;车伟;辛倩;陈鹏;雷浩亮;王海波 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;国网浙江省电力有限公司电力科学研究院;国网河南省电力公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：本发明涉及馈线终端试验检测技术领域，具体提供了一种馈线终端的控制回路断线告警功能检测系统及方法，包括：下位机控制单元控制所述柱上开关的分/合闸控制回路状态；控制信号采集单元采集所述柱上开关的分/合闸控制回路的电压/电流信号，并将采集的电压/电流信号上传至下位机控制单元；下位机控制单元控制根据所述控制信号采集单元上传的电压/电流信号判断所述柱上开关的分/合闸控制回路的状态；上位机主控单元根据所述柱上开关的分/合闸控制回路的状态检测馈线终端的控制回路断线告警功能。本发明提供的技术方案，有助于保障对馈线终端的控制回路状态监测，有助于提前消除馈线终端保护控制开关动作失效的问题缺陷。
一种馈线终端控制回路断线告警功能检测系统方法

[发明专利]基于微流控芯片驱动的集成式毛细管电泳系统-CN202310722158.9在审
发明人：车妍;徐进章;郑晓玲;辛倩;沈荣;沈颂东;魏虎来;杜弢;相博川 -专利权人：苏州百源基因技术有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G01N27/447 文献下载
摘要：本发明公开了基于微流控芯片驱动的集成式毛细管电泳系统包括基于微流控芯片驱动的集成式毛细管电泳系统，基于微流控芯片驱动的集成式毛细管电泳系统包括样品处理模块、微流控芯片模块、高压驱动模块、检测模块、控制与数据处理模块；本发明通过创新的微流道结构、电极布局或高压驱动技术，实现更快的分离和检测过程；通过创新的设计和技术，实现更高的检测灵敏度和分辨率；本发明实现微流控芯片和高压驱动模块的高度集成，从而实现整个系统的小型化和紧凑设计；通过引入智能控制和自动化操作技术，实现系统的自动化控制和远程监控。
基于微流控芯片驱动集成毛细管电泳系统

[发明专利]基于微流控芯片驱动的毛细管电泳微尺度分离与分析方法-CN202310722666.7在审
发明人：车妍;徐进章;郑晓玲;辛倩;沈荣;沈颂东;魏虎来;杜弢;相博川;崔浩境 -专利权人：苏州百源基因技术有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01N27/447 文献下载
摘要：本发明公开了基于微流控芯片驱动的毛细管电泳微尺度分离与分析方法，属于功率调整电机技术领域。基于微流控芯片驱动的毛细管电泳微尺度分离与分析方法包括以下步骤：S1.芯片设计和制备,根据实验需要设计包括进样口、离通道和检测区的微流控芯片的结构；制备微流控芯片；S2.样品进样,制备样品，将待分析的混合物或溶液准备好将所述样品注入进样通道。S3.在所述样品进样前对所述样品进行预处理；S4.电泳分离,S5.检测与分析,在芯片的检测区域使用荧光检测、吸收光谱检测和质谱检测，对所述分离后的样品进行检测和分析；使用像素级成像技术对芯片进行成像，并对图像进行定量分析。S6.对检测到的数据进行处理和分析。
基于微流控芯片驱动毛细管电泳尺度分离分析方法

[发明专利]一种定值文件不敏感的微应用版本一致性测试方法和系统-CN202310233741.3在审
发明人：陈洁;关石磊;周菲嫣;史常凯;盛万兴;宋晓辉;雷浩亮;王海波;尹惠;吴燕;古凌云;唐可新;辛倩 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G06F11/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种定值文件不敏感的微应用版本一致性测试方法和系统，包括：基于文件路径获取被测微应用的所有文件，并采用信息摘要算法提取所有文件的特征向量信息，并记录在相应的初始比对基因文件中；将初始比对基因文件与原始基因文件进行比对，对文件进行分类，将被测微应用的文件的类型信息记录到相应的初始比对基因文件中，得到比对基因文件；基于比对基因文件结合对应的原始基因文件对分类后的文件按照不同的方法进行版本一致性判定；本发明利用文件路径和构造文件特征向量的方法，识别终端程序中可差异化配置的定值文件，实现了对布置于不同运营环境并适应于不同功能要求的配电终端的系统软件的一致性测试。
一种文件敏感应用版本一致性测试方法系统

[发明专利]一种用于日盲紫外探测的Ga2-CN202310209598.4在审
发明人：辛倩;颜世琪;宋爱民 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于日盲紫外探测的Ga2O3肖特基雪崩光电二极管及其制备方法，包括由下自上的蓝宝石衬底、Ga2O3外延薄膜、横向的欧姆电极及肖特基电极。本发明通过在Ga2O3外延薄膜上制备了横向肖特基二极管，在2.95V较低的反向偏置电压下实现了雪崩击穿，雪崩增益达到了106，器件的紫外日盲光探测性能优异，响应度达到9780A/W，光暗电流比超过了107，显示了器件高对比度、低背景噪声的优势，非常适用于成像探测或光控逻辑电路领域。此外该雪崩光电二极管的其他光响应参数也较为优异，例如，外量子效率达到了4.77×106％，探测率达到了9.48×1014Jones。本发明不需要复杂的能带匹配，结构与制备工艺简单，易于大面积阵列化成像探测集成及电路集成，具有很高的应用价值。
一种用于紫外探测 ga base sub

[实用新型]一种多功能的中医护理用穴位点压装置-CN202222447157.1有效
发明人：杨洋;胡琪;辛倩;陈娟娟;庄静;熊佳 -专利权人：南昌市洪都中医院
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： A61H39/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及穴位点压技术领域，具体涉及一种多功能的中医护理用穴位点压装置，包括第一导轨、第二导轨和电动按摩器，第一导轨和第二导轨为相同设置，第一导轨与第二导轨的中端均连接有丝杆，丝杆的外侧均螺纹连接有丝杆套，丝杆的另一端均安装有伺服电机，下端的丝杆套的上端安装有安装架，第二导轨连接于安装架的下端。本实用新型克服了现有技术的不足，通过设置第一导轨、第二导轨和电动缸，穴位点压过程中可通过第一导轨、第二导轨进行点压位置调节，通过电动缸直线移动控制点压力度，无需手动操作省时省力，并且该装置的电动按摩器为可拆卸设置，便于对发生损坏的电动按摩器进行更换，无需整体更换装置。
一种多功能中医护理穴位装置

[发明专利]用于检测MDCK细胞残留DNA含量的特异性引物和探针及实时荧光定量PCR试剂盒-CN202110371867.8有效
发明人：车妍;李潇玲;辛倩;李春;杜弢;徐全乐;沈颂东;杨立坤;车团结 -专利权人：兰州百源基因技术有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C12Q1/6851 文献下载
摘要：本发明提供用于检测MDCK细胞残留DNA含量的特异性引物和探针，所述特异性引物为下述序列或为下述序列的互补链序列：上游引物MDCK ND‑F：5’‑CATAACCAAAAGGGACGAAC‑3’；下游引物MDCK ND‑R：5’‑TTCCGAGGTTTATAGAGAGTTGT‑3’；所述探针序列为：5’‑ACCTCACTCATTTACGCCCAC‑3’。本发明还提供相应的试剂盒。本发明的试剂盒能够很好的检测MDCK细胞残留DNA含量，灵敏度高，用时短。
用于检测 mdck 细胞残留 dna 含量特异性引物探针实时荧光定量 pcr 试剂盒

[发明专利]一种氧化镓半导体肖特基二极管及其制作方法-CN201811480787.0有效
发明人：辛倩;杜路路;徐明升;宋爱民 -专利权人：山东大学
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明的氧化镓(Ga2O3)半导体肖特基二极管，包括半导体层、阳极电极和阴极电极，特征在于：半导体层为Ga2O3薄膜，阳极电极为锡的氧化物(SnOx)。本发明的肖特基二极管的制作方法，包括：a).制备Ga2O3薄片；b).薄片清洗；c).Ga2O3薄片刻蚀；d).制备阴极和金属接触点层；e).退火处理；f).制备SnOx薄膜；g).制备阳极金属触点层。本发明的氧化镓半导体肖特基二极管，理想因子（为1.02）非常接近1、势垒高度为1.17 eV、开关比超过1010，所获取的肖特基二极管性能优良。本发明的肖特基二极管的制作方法，用SnOx作为肖特基接触电极，进而得到高性能的Ga2O3肖特基二极管。
一种氧化半导体肖特基二极管及其制作方法

[发明专利]一种电梯轿厢内镜柜式藏梯组件-CN202310112626.0在审
发明人：杨金容;辛倩;陈燮申;王明渠 -专利权人：上海三菱电梯有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： B66B11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电梯轿厢内镜柜式藏梯组件，涉及到电梯技术领域，包括轿壁、门板、伸缩梯、底盒和连接组件，底盒与轿壁连接，底盒的一侧还铰接有门板，门板可旋转打开或关闭至底盒，底盒的另一侧设有连接组件，伸缩梯通过连接组件安装于底盒的另一侧。本发明中，可在已有电梯轿厢的任意一块轿壁上进行改造，借用轿内空间收纳伸缩梯，不影响原有梯型的土建规格和机械部件，兼具美观性；借用轿壁原有空间，将轿壁与底盒做成整体。这将减少组件占用的轿内空间，提升轿厢整体的和谐性，同时省去一块轿壁的成本。
一种电梯轿厢内镜柜式藏梯组件

[发明专利]一种等离子体增强原子层沉积制备的电荷俘获型存储器及其制备方法-CN202310115718.4在审
发明人：李玉香;褚光福;郑帅英;董立伟;李志军;辛倩;张嘉炜;宋爱民 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体增强原子层沉积制备的电荷俘获型存储器及其制备方法，属于电荷俘获型存储器技术领域。存储器，包括由下自上依次设置的衬底、栅电极、电荷阻挡层、电荷存储层、电荷隧穿层和铟镓锌氧沟道层，铟镓锌氧沟道层上侧间隔分别设置有源电极和漏电极，电荷阻挡层、电荷存储层、电荷隧穿层的材料选用Al2O3薄膜。本发明使用等离子体增强原子层沉积通过不同氧源和不同工艺条件得到了不同性质的Al2O3薄膜，并将其分别应用于电荷俘获型存储器的电荷阻挡层、电荷存储层、电荷隧穿层。制备的电荷俘获型存储器电荷存储能力强，有效解决了现有技术中存在的缺陷。
一种等离子体增强原子沉积制备电荷俘获存储器及其方法

[发明专利]一种利用β相氧化镓晶体(100)面内各向异性制备高性能日盲探测器的方法-CN202210161043.2有效
发明人：辛倩;颜世琪;宋爱民 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用β相氧化镓晶体(100)面内各向异性制备高性能日盲探测器的方法，包括：(1)条状β相Ga2O3晶体的加工及定向：获得β相Ga2O3晶体的(100)解理面，即bc面；再获取条状β相Ga2O3晶体；(2)对步骤(1)获取的条状β相Ga2O3晶体依次进行清洗、光刻定义电极图形、ICP刻蚀、生长电极制备得到MSM型日盲探测器。本发明器件性能实现了133A/W的超高响应度，大的外量子效率约为6.61×104％以及较短的响应时间。本发明制备的各项异性光探测器件有助于对氧化镓材料的各向异性特性进行深入理解，为制备高性能光探测器件提供指导。
一种利用氧化晶体 100 各向异性制备性能探测器方法

[发明专利]一种基于突触晶体管的智能日盲探测器的应用-CN202211183798.9在审
发明人：辛倩;纪兴启;宋爱民 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于突触晶体管的智能日盲探测器的应用，智能日盲探测器包括由下自上依次生长的栅电极、介质层、IGZO前沟道层、源电极和漏电极、Ga2O3背沟道层，IGZO前沟道层与Ga2O3背沟道层形成IGZO/Ga2O3异质结沟道，包括：在IGZO/Ga2O3异质结晶体管上施加光脉冲作为调制端突触刺激引起IGZO/Ga2O3异质结沟道层上电流的变化。本发明所制备的突触晶体管表现出明显的突触特性，包括双脉冲易化、短时记忆、长时记忆以及“经验式学习”行为。本发明基于突触晶体管的智能日盲探测器，成功实现了对图像信息的实时探测和记忆，为图像传感器和未来的先进机器人系统奠定了基础。
一种基于突触晶体管智能探测器应用

[发明专利]一种非晶InGaZnO异质结薄膜晶体管及其制备方法-CN202211183799.3在审
发明人：辛倩;纪兴启;宋爱民 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种非晶InGaZnO异质结薄膜晶体管及其制备方法，包括由下自上依次生长的栅电极、介质层、InGaZnO前沟道层、源电极、漏电极、Ga2O3背沟道层。本发明通过引入非晶IGZO/Ga2O3异质结，既显著提升了器件的迁移率和偏压稳定性，又保证了较低的关态电流。该非晶InGaZnO异质结薄膜晶体管制备工艺简单、成本低、大面积均匀性好且制备温度较低(170℃)，因而在柔性显示与薄膜电子领域具备很好的应用价值。
一种 ingazno 异质结薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种磁控溅射非晶氧化镓光电薄膜晶体管及其制备方法与应用-CN202211183592.6在审
发明人：辛倩;纪兴启;宋爱民 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁控溅射非晶氧化镓光电薄膜晶体管及其制备方法与应用，包括由下自上依次生长的栅电极、介质层、氧化镓沟道层、源电极和漏电极；源电极和漏电极形成叉指结构。本发明在254nm的光照下，表现出优越的光电探测特性，包括响应度为2.0×105A W‑1、探测率为4.9×1018Jones及亮暗电流比大于2.9×108。在此基础上，本发明进一步基于非晶氧化镓薄膜光电晶体管制备了具有高探测灵敏度、高对比度的成像探测阵列与光控逻辑门电路。
一种磁控溅射氧化光电薄膜晶体管及其制备方法应用

[发明专利]一种非晶氧化镓肖特基日盲紫外探测器及其制备方法与应用-CN202211183558.9在审
发明人：辛倩;纪兴启;宋爱民 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及一种非晶氧化镓肖特基日盲紫外探测器及其制备方法与应用，包括由下自上依次生长的a‑Ga2O3薄膜、阴极电极、阳极电极。本发明基于磁控溅射制备a‑Ga2O3薄膜，通过引入不对称肖特基结，既通过肖特基耗尽降低了关态电流(6.6×10‑12A)，提升了亮暗电流比(2.3×106)与响应速度(144/208ms)，同时保证了高响应度(1021.8A W‑1)，并基于该技术实现了大面积阵列式成像。
一种氧化镓肖特基日盲紫外探测器及其制备方法应用

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