“赵柏儒”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果14个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于超高灵敏探测的微纳悬臂梁结构制作方法-CN201010106789.0有效
发明人：曹立新;李位勇;韩烨;许波;赵柏儒 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2010-02-03 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于超高灵敏探测的微纳悬臂梁结构制作方法，包括下列步骤：1)对晶片进行光刻和刻蚀，制作出悬臂梁；2)通过光刻和刻蚀在晶片正面制备氧化硅掩膜；3)对晶片背面进行光刻和刻蚀，制作出背面沟槽，所述背面沟槽位于悬臂梁的正下方；4)利用步骤2)制备的掩膜，从晶片正面利用各向异性干法刻蚀刻穿硅晶片；5)利用步骤2)制备的掩膜，从正面利用各向同性干法刻蚀悬臂梁下方的硅，并在缓冲氢氟酸中去除氧化硅以释放悬臂梁。本发明各步骤采用的都是通常的微纳机电系统的加工方法，可靠性高，成品率高、加工精度高、能够精确制备各种形状和尺寸的悬臂梁结构，并且可适用于各种不同取向的晶片，易于产业化。
用于超高灵敏探测悬臂梁结构制作方法

[发明专利]一种晶体管器件及其制造方法-CN200910089793.8无效
发明人： 赵柏儒;付跃举;袁洁;许波;朱北沂;李俊杰;金爱子;曹立新;邱祥冈 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2009-07-24 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明提供一种叠层钙钛矿结构氧化物p-i-n结和一种叠层钙钛矿结构氧化物双极型晶体管及其制造方法，该晶体管包括：氧化物单晶衬底；在衬底上形成的第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层；在第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层的至少一部分上形成的两个分隔开的钙钛矿结构氧化物铁电体势垒层；在该两个钙钛矿结构氧化物铁电体势垒层上分别形成的第二导电类型的钙钛矿结构氧化物层；在该两个分隔开的第二导电类型氧化物层上分别形成的第一和第二金属电极；在未被钙钛矿结构氧化物铁电体势垒层和第二导电类型的钙钛矿结构氧化物层占据的第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层上形成的第三金属电极。该第一、第二和第三金属电极均为贵金属。
一种晶体管器件及其制造方法

[发明专利]外延铁基超导薄膜制备方法及制备的外延铁基超导薄膜-CN200910082471.0有效
发明人：曹立新;李位勇;韩烨;张帅;许波;赵柏儒 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2009-04-20 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明提供一种外延铁基超导薄膜的制备方法，其包括以下步骤：a)制备外延铁基超导薄膜所需的靶材，将所述靶材放入脉冲激光沉积系统的真空腔体中，其中所述靶材是FeSex或FeSe(1-y)Tey靶材，其中0.80≤x≤1.0，0＜y≤1.0；b)准备基片，将所述基片固定在基片台上，将所述基片台放入脉冲激光沉积系统的真空腔体中；c)加热所述基片台进而加热所述基片；d)利用脉冲激光沉积方法在所述基片上用脉冲激光沉积方法生长薄膜。本发明还提供根据上述方法制备的单α-相、c-取向外延铁基超导薄膜。
外延超导薄膜制备方法

[发明专利]复合薄膜制备系统-CN200710306080.3无效
发明人： 赵柏儒;许波;赵崇凌;吴昊;杨浩;袁浩;曹立新;苗君;赵力;张福昌;钟建平 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2007-12-29 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜制备系统，包括：用于取出和放入样品的样品室，包括样品存储台；磁控溅射装置，包括磁控室、磁控室样品台和用于在真空中在磁控室样品台和样品室的样品存储台之间传送样品的磁控室样品传递机构；以及激光分子束外延装置，包括激光室、激光室样品台、以及用于在真空中在激光室样品台和样品室的样品存储台之间传送样品的激光室样品传递机构；所述样品室通过密闭的第一管路连通到激光分子束外延室，且所述样品室通过密闭的第二管路连通到磁控室；本发明将磁控溅射和激光分子束蒸发结合在同一装置中，既能原位集成生长不同材料的异质结和多层膜，实现完整和无污染的界面；同时也能为薄膜器件研制提供关键的器件基体。
复合薄膜制备系统

[发明专利]一种电子型高温超导体镧铈铜氧薄膜的制备方法-CN200610165448.4无效
发明人： 赵柏儒;袁洁;吴昊;金魁;赵力;曹立新;许波 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2006-12-20 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明提供的制备电子型高温超导体LCCO薄膜的方法，使用脉冲激光沉积设备，包括以下步骤：1.按照La_2－xCe_xCuO₄，其中0.08≤x≤0.16配比，采用固相反应法制成LCCO陶瓷靶材，安装到反应室的靶座上；2.选择衬底：选择SrTiO₃、MgO或LaAlO₃，清洗干净放入反应室内加热台上，关闭反应室；3.将反应室抽真空至背底真空优于2.0×10^－4Pa；4.通过加热器将衬底加热至温度为675－800℃；5.首先向反应室内通入反应气体；6.然后对LCCO陶瓷靶材表面进行清理；7.将LCCO靶材加热至升华，开始在衬底上制备LCCO薄膜；8.反应结束后，停止通入反应气体，抽真空至真空度优于2×10^－4Pa，然后将制备有LCCO薄膜的衬底降温到退火温度，进行退火，最后将制备有LCCO薄膜的衬底自然冷却至室温。
一种电子高温超导体镧铈铜氧薄膜制备方法

[发明专利]一种电子型高温超导体镧铈铜氧薄膜的制备方法-CN200610169542.7无效
发明人： 赵柏儒;赵力;金魁;吴昊;袁洁;许波 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2006-12-22 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01B12/06 文献下载
摘要：本发明提供的制备电子型高温超导体La_2－xCe_xCuO₄薄膜的方法，使用直流磁控溅射设备，包括以下步骤：1.按照La_2－xCe_xCuO₄，其中0.08≤x≤0.16配比，采用固相反应法制成La_2－xCe_xCuO₄陶瓷靶材，安装到反应室的靶座上；2.选择衬底：选择SrTiO₃、MgO或LaAlO₃，清洗干净放入反应室内加热台上，关闭反应室；3.将反应室抽真空至背底真空优于2.0×10^－4Pa；4.通过加热器将衬底加热至温度为600－800℃；5.首先向反应室内通入反应气体；6.然后对La_2－xCe_xCuO₄陶瓷靶材表面进行预溅射；7.将加热台移至靶位处，开始在衬底上制备La_2－xCe_xCuO₄薄膜；8.反应结束后，停止通入反应气体，抽真空至真空度优于2×10^－4Pa，然后将制备有La_2－xCe_xCuO₄薄膜的衬底降温到退火温度，进行退火；9.最后将制备有La_2－xCe_xCuO₄薄膜的衬底自然冷却至室温。
一种电子高温超导体镧铈铜氧薄膜制备方法

[发明专利]氧化物p－i－n结器件及其制备方法-CN200610164954.1无效
发明人： 赵柏儒;袁洁;吴昊;曹立新;许波;赵力;金魁;朱北沂 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2006-12-08 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化物p－i－n结器件及其制备方法，该器件包括衬底，在衬底之上形成的p型氧化物层，在p型氧化物层上形成的n型氧化物层，以及分别形成在p型氧化物层和n型氧化物层上用于连接引线的引出端和在p型氧化物层和n型氧化物层之间的铁电体势垒层；n型氧化物层和铁电体势垒层两层设置在的p型氧化物层的一侧，其占p型氧化物层面积的1/3～2/3，其余部分作为p型氧化物层的引出端；n型氧化物层表面作为n型氧化物层的引出端，在p型氧化物层和n型氧化物层的引出端上分别制作用于连接引线的贵金属焊盘；p型氧化物层和n型氧化物层均为金属性的；本发明的器件制备方法简单，结构易于实现，实现了单一器件功能的多样化。
氧化物器件及其制备方法

[发明专利]隧道效应磁电阻器件及制备方法-CN02117765.1无效
发明人： 赵柏儒;蔡纯;龚伟志;许波;张福昌 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2002-05-16 - 公布日： 2003-11-26 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种隧道效应磁电阻器件及制备方法。它包括一衬底，其上有一底电极层、势垒层和一顶电极层，势垒层位于底电极层之上和顶电极层之下；一位于衬底之上底电极层之下的反铁磁性的钙钛矿型锰氧化合物的钉扎层；底电极层呈条状，两端是引线引出端；底电极层之上是呈方块状的势垒层和顶电极层，顶电极层的顶部是引线引出端；在势垒层和顶电极层的周围是SiO2隔离层；从底电极层和顶电极层的引线引出端各引出一根或各引出两根导线。借助于隧道效应，电流穿过绝缘的势垒层，从一电极层流向另一电极层，并表现出磁电阻效应，在600Oe的磁场范围内隧道结的电阻变化率达到28％。由于钉扎层的引入，器件对外磁场的响应特性和稳定性得以明显改善。
隧道效应磁电器件制备方法

[发明专利]一种在硅基片上生长单一取向的锆钛酸铅薄膜的方法-CN00100116.7无效
发明人： 赵柏儒;林媛;彭海兵;郝昭;许波 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2000-01-11 - 公布日： 2003-09-10 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及铁电-半导体异质结领域。本发明以超薄氧化硅作缓冲层，通过对其厚度、激光沉积参数及沉积温度等因素的控制，用脉冲激光沉积设备实现PZT薄膜在硅基片上的取向生长。本发明工艺简单可靠，样品重复性好，获得的取向生长PZT薄膜具有良好的铁电性能，可用于铁电-半导体集成器件，便于进行铁电-半导体异质结的研究，为器件走向大批量生产提供了方便，为进一步沉积具有相似晶格结构的其他氧化物薄膜提供了方便。
一种硅基片上生长单一取向锆钛酸铅薄膜方法

[发明专利]一种制备具有有序表面结构的镧钙锰氧薄膜的方法-CN99125425.2无效
发明人： 赵柏儒;彭海兵;龚伟志;谢中;林媛;郝昭;许波 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 1999-12-08 - 公布日： 2003-09-10 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及超大磁电阻材料制备领域。利用镧钙锰氧薄膜与钛酸锶基片热膨胀系数的差异，通过对激光溅射参数、沉积温度及热处理温度等因素的调控，使镧钙锰氧薄膜表面形成有序微裂纹结构，从而在薄膜表面诱导纳米尺度颗粒的有序分布，并实现对裂纹宽度及密度的控制。这种有序结构增强了镧钙锰氧薄膜在低磁场下磁电阻效应，也便于进行异质结的研究。本发明工艺简单可靠，易于控制，样品重复性好，在异质结和半导体的研究中可推广应用。
一种制备具有有序表面结构镧钙锰氧薄膜方法

[发明专利]一种在钛酸锶基片上制备纳米级有序微裂纹的方法-CN01134312.5无效
发明人： 赵柏儒;龚伟志;许波;蔡纯;张富昌;罗鹏顺;林媛 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2001-10-29 - 公布日： 2003-05-07 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明属于纳米结构制备领域。通过激光溅射在STO基片上沉积LCMO薄膜，利用热处理过程中LCMO薄膜的自组织行为，通过控制制备过程中的沉积温度、退火温度及薄膜厚度等工艺条件，使得LCMO薄膜表面自发形成纳米级正交有序微裂纹结构，达到在STO基片上制备纳米级有序微结构的目的。本发明工艺简单可靠，易于控制，样品重复性好，设备要求低。本发明作为一种通用技术将在多个领域中得到广泛的应用。
一种钛酸锶基片上制备纳米有序裂纹方法

[实用新型]真空系统中可轴对称360°旋转的大电流水冷电极-CN96207830.1无效
发明人：张鹰子;李林;赵柏儒 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 1997-02-25 - 公布日： 1998-09-02 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种真空系统中的部件制造领域。本实用新型的目的是为了在保持真空度不变的条件下消除大电流及由于电极无水冷引起的放气、断路等不良现象。提供一种由多根金属套管同轴依半径大小相套,用橡胶垫圈真空密封并相互绝缘,它们一端作进水口,另一端作出水端,在中层管出水端侧壁开有回水孔,另一端侧壁上有一电极水嘴,盲板把中层管出水端与冷水套管一端口密封焊住,水冷套管与外层管之间用陶瓷管密封相接。该套管既是水冷通路又是电极,并固化在旋转轴上可旋转360°。
真空系统轴对称 360 旋转电流水冷电极

[其他]液氮温区超导薄膜及其制备方法-CN101987000002739在审
发明人： 赵柏儒;王会生;陆勇;史引焕;赵玉英;李林 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 1987-04-15 - 公布日： 1989-08-02 - 主分类号：文献下载
摘要：本发明的液氮温区超导薄膜制备工艺，按ＡxＢ5-xＣｕ5Ｏ5（3-y）或ＡxＢ1-xＣｕＯ3-y体系制成化合物靶，其中Ａ＝Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ；Ｂ＝Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ；Ｘ＝０．５－０．６；Ｙ＝０．５－１；后者体系Ｘ＝０．３－０．７。用直流（或射频）磁控拣射和热处理工艺，工艺简单、可重复，稳定性好。制备的薄膜厚度０．５－１μｍ，在液氮温区呈现超导，用电阻法或感应法可测量其薄膜的超导电性。
液氮超导薄膜及其制备方法

[发明专利]液氮温区超导薄膜及其制备方法-CN87102739.9无效
发明人： 赵柏儒;王会生;陆勇;史引焕;赵玉英;李林 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 1987-04-15 - 公布日： 1989-08-02 - 主分类号： H01B12/06 文献下载
摘要：本发明的液氮温区超导薄膜制备工艺，按AxB5-xCu5O5(3-y)或AxB1-xCuO3-y体系制成化合物靶，其中A＝Ca，Sr，Ba；B＝Sc，Y，La；X＝0.5-0.6；Y＝0.5-1；后者体系X＝0.3-0.7。用直流(或射频)磁控拣射和热处理工艺，工艺简单、可重复，稳定性好。制备的薄膜厚度0.5-1μm，在液氮温区呈现超导，用电阻法或感应法可测量其薄膜的超导电性。
液氮超导薄膜及其制备方法

1
共 14 条