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[发明专利]半导体激光器非吸收窗口的制备方法及半导体激光器-CN201810778850.2有效
发明人：井红旗;王鑫;赵懿昊;袁庆贺;刘素平;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体激光器非吸收窗口的制备方法及半导体激光器。所述方法包括：在外延片的非吸收窗口区域覆盖光刻胶掩膜进行保护；采用感应耦合等离子体刻蚀方法，通入气体产生的等离子体轰击所述外延片表面；去除所述外延片表面覆盖的光刻胶；在所述外延片表面生长一层氧化硅薄膜；将所述外延片进行热退火处理；去除所述外延片表面生长的氧化硅薄膜。用感应耦合等离子体刻蚀方法替代了生长介质膜形成保护的步骤，简化了制备过程，降低了工艺难度，减少了制备过程中的危险性。
半导体激光器吸收窗口制备方法

[发明专利]基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器-CN201610550266.2有效
发明人：王海丽;赵懿昊;张奇;仲莉;刘素平;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：一种基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器，该方法包括：通过紫外纳米压印技术在GaInP材料上压印出光栅图形；将压印好的样品送入ICP设备中，进行一次刻蚀，反应气体为CH₄/H₂/Ar；对样品进行二次刻蚀，反应气体为H₂/Ar，刻蚀出光栅图形；使用氧等离子体对样品进行处理，以清洁沉积在刻蚀表面和侧壁的残留聚合物；将样品放入负胶去膜剂中加热处理8‑15分钟，用去离子水反复冲洗，最后用异丙醇清洗若干次，完成清洁步骤。本工艺采用CH₄/H₂/Ar和H₂/Ar混合气体对GaInP光栅进行两步刻蚀，经过优化各项刻蚀参数，可有效去除刻蚀表面和侧壁非挥发性刻蚀产物，得到优良的刻蚀结果。
基于纳米压印光栅两步干法刻蚀方法外延激光器

[发明专利]基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器-CN201610550299.7有效
发明人：王海丽;赵懿昊;张奇;王文知;仲莉;刘素平;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：一种基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器，该方法包括：通过紫外纳米压印工艺，在外延片表面涂覆的光刻胶上压印出光栅图形；将压印好的外延片送入电感耦合等离子体(ICP)设备的反应腔室中进行一次刻蚀，反应气体为CH₄/H₂/Ar；将完成一次刻蚀的外延片送入反应腔室进行二次刻蚀，反应气体为CH₄/H₂/Ar。本发明采用二次刻蚀方法即连续两次对GaInP光栅进行干法刻蚀，通过调整优化刻蚀的气体流量比、腔室压强和刻蚀时间等参数，可以得到优良的光栅形貌。
基于纳米压印光栅二次刻蚀方法外延激光器

[发明专利]一种半导体激光器慢轴准直夹具组件及其应用方法-CN201710597632.4有效
发明人：王鑫;赵懿昊;吴霞;王翠鸾;井红旗;刘素平;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光器慢轴准直夹具组件及其应用方法，其中半导体激光器慢轴准直夹具组件包括一个主夹具，一个固定臂，在使用时主夹具固定在固定臂上，形成L形结构，慢轴透镜夹持在主夹具的间隙中，采用两个螺钉调节主夹具的间隙，不损伤慢轴透镜，不遮挡光路。利用本发明可以在进行半导体激光器光纤耦合工艺过程中方便、快捷的夹持慢轴透镜，进行激光光束的慢轴准直工艺，减少了夹具对慢轴准直过程中光路的遮挡，有利于高效的进行半导体激光器慢轴准直工艺，提高准直效果。
一种半导体激光器慢轴准直夹具组件及其应用方法

[发明专利]波长稳定DFB激光器及切趾光栅的制备方法-CN201810396843.6在审
发明人：班雪峰;赵懿昊;刘素平;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：一种波长稳定DFB激光器切趾光栅，包括：一衬底；一下限制层，其制作在衬底上；一下波导层，其制作在下限制层上；一有源层，其制作在下波导层上；一上波导层，其制作在有源层上；一上限制层，其制作在上波导层上；一欧姆接触层，其制作在上限制层上；其中，在欧姆接触层的上面按预定距离开有不同深度的V形光栅沟槽，该V形光栅沟槽的深度均达到上限制层内。本发明可以实现单个半导体激光器的窄线宽输出以及波长稳定。
制作波长稳定上限制层欧姆接触层光栅沟槽切趾光栅上波导层波导层限制层衬底源层半导体激光器预定距离窄线宽制备输出

[发明专利]半导体激光器的腔面制备方法及其腔面制备装置-CN201710572640.3在审
发明人：王鑫;赵懿昊;朱凌妮;王翠鸾;刘素平;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01S5/18 文献下载
摘要：一种半导体激光器的腔面制备方法及其腔面制备装置，其中方法包括以下步骤将划有解理线的晶片放入解理腔，解理腔根据解理线，解理得到至少一个bar条；将至少一个bar条传送至钝化腔，以对每一个bar条的两个腔面钝化；将上述至少一个bar条传送至镀膜腔，对其每一个的两个腔面分别蒸镀高反膜和高透膜，完成半导体激光器的腔面制备；其中，解理腔、钝化腔及镀膜腔均处于真空状态。本发明在真空条件下对半导体激光器进行解理和钝化，并在真空中直接蒸镀半导体激光器前后腔面的光学膜，可有效避免其与空气接触、避免新解理的腔面被空气中的氧和碳等杂质所污染，避免腔面形成表面态，从而可有效抑制腔面光学灾变的产生。
半导体激光器制备方法及其装置

[发明专利]一种用于激光器无遮挡镀膜的镀膜架装置-CN201410270114.8有效
发明人： 赵懿昊;王翠鸾;刘素平;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本发明公开了一种镀膜架，其包括：主体，中间薄两端厚，其中一端的端面中间开有两个螺纹孔，另一端表面的上表面开有两个通孔，中间为一具有开口的框架，所述框架的上表面和下表面各有一片金属片相对延伸到矩形方口中间；装配附件，其大小与主体相同，中间厚两端薄，第一端上表面开有两个螺纹孔，位置与所述主体的通孔相对应，同螺纹与所述主体固定；所述装配附件中间为两个高、低凸台，所述两个高、低凸台的高度差不小于主体下表面金属片的厚度，高凸台中间开有一细沟；滑片，在所述主体的矩形框架方口间移动，且由所述两个金属片上下夹持。本发明对镀膜样品完全没有遮挡，大大提高了芯片的利用率，降低了激光器的成本。
一种用于激光器遮挡镀膜装置

[发明专利]分布反馈激光器中基于纳米压印光栅干法刻蚀的方法-CN201510338379.1在审
发明人：张奇;赵懿昊;董振;刘素平;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-06-17 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：一种分布反馈激光器中基于纳米压印光栅干法刻蚀的方法，包括如下步骤：步骤1：取一外延片；步骤2：在该外延片的表面涂覆光刻胶，通过纳米压印工艺，在该外延片表面的光刻胶上制作出光栅图形；步骤3：清洁感应耦合等离子体反应室；步骤4：将制作有光栅图形的外延片放入感应耦合等离子体反应室中进行刻蚀，刻蚀出压印的光栅图形；步骤5：使用氧等离子体对外延片表面进行清洁处理；步骤6：把清洁处理后的外延片放入负胶去膜剂中加热处理，然后再用异丙醇进行清洁，完成制备。利用本方法制作出带有内置光栅的分布反馈激光器，从而使得激光器稳定地单纵模工作。
分布反馈激光器基于纳米压印光栅刻蚀方法

[发明专利]一种半导体激光器及其制备方法-CN201410812472.7在审
发明人：姚南;赵懿昊;刘素平;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01S5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光器，所述半导体激光器由下至上依次包括：衬底、材料生长缓冲层、N型包层、有源区、P型包层和电极接触层，其中：有源区为量子阱区；半导体激光器的两端形成有光非吸收窗口，其中，光非吸收窗口的宽度为50～100μm，深度至少大于电极接触层、P型包层以及有源区的厚度之和。本发明同时还公开了一种半导体激光器的制备方法。本发明通过在激光器腔面上形成光非吸收窗口来提高半导体激光器的输出功率。
一种半导体激光器及其制备方法

[发明专利]一种用于LDA的外腔锁模波长合束装置和方法-CN201410363990.5在审
发明人： 赵懿昊;王翠鸾;刘素平;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-07-28 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于LDA(Laser Diode Array，半导体激光器列阵)的光束整形装置，该装置包括：一LDA，该LDA含有多个发光区，为外腔锁模提供有效的增益；一整形镜组，主要是对LDA的输出光束进行准直、聚焦等光束整形和光路变换；一衍射光栅，该光栅同时承担了锁模和波长合束的功能；一输出耦合镜，具有一定的反射率，将部分合束后的光束原路返回进行锁模。根据本发明的方案，可以将多个发光区的输出光束合为一束，使LDA的输出光束质量基本等于单个发光单元的光束质量，解决了LDA输出亮度低的问题，从而将其应用范围大幅度拓宽。
一种用于 lda 外腔锁模波长束装方法

[发明专利]激光器合束装置和方法-CN201410112426.6无效
发明人：王翠鸾;赵懿昊;刘素平;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-03-25 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光器合束装置和方法，用于对多个激光器进行合束后进行输出，装置包括多个激光器、光束整形装置、衍射光栅和输出耦合器，各激光器均具有增益区和后腔面，增益区为激光的产生提供增益，后腔面与输出耦合器形成谐振腔；光束整形装置用于接收多个激光器发出的激光，并将其以不同的角度入射到衍射光栅的同一位置；衍射光栅用于将入射到其上的激光进行色散后合为一束输出到输出耦合器；输出耦合器接收由衍射光栅出射的激光，将部分入射的激光进行反射后使其原路返回，与各激光器的后腔面形成谐振腔，以将衍射光栅选择的模式进行锁定；同时该输出耦合器还用于进行耦合输出。本发明可以将激光器的输出功率和亮度提高数十倍甚至上百倍。
激光器束装方法

[发明专利]一种用于在光纤侧面均匀蒸镀增透膜的夹具-CN201110062132.3无效
发明人： 赵懿昊;李全宁;王翠鸾;刘素萍;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-03-15 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： C03C25/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于在光纤侧面均匀蒸镀增透膜的夹具，该夹具包括上半部分和下半部分，被该夹具夹持的光纤在镀膜过程中采用公转与自转相结合的形式转动，其中该上半部分与镀膜机的旋转部件相连接，由镀膜机的旋转部件带动该上半部分转动，使该上半部分侧面夹持的光纤围绕该夹具中心转动，形成公转；该下半部分与镀膜机的机体相连接，在该上半部分转动时保持不动，由该下半部分表面的齿轮轨道迫使该上半部分中夹持光纤的部件在随该上半部分转动的同时自身同步转动，形成自转。利用本发明，减少了光纤对此波段激光的反射，提高了光纤对激光器的准直效率，提高了激光器的可靠性。同时该夹具还可用于其他柱状体物体的侧壁镀膜，具有广泛的应用价值。
一种用于光纤侧面均匀增透膜夹具

[发明专利]紫外激光干涉条纹的辅助检测装置及方法-CN201110001219.X无效
发明人：郑凯;赵懿昊;李全宁;熊聪 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-01-05 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外激光干涉条纹的辅助检测装置及方法。该辅助检测装置在紫外激光全息光刻系统中增加了一套可见性的激光光路，在确定可见激光波长和紫外激光波长的关系后，通过观察可见激光的干涉条纹来对紫外激光干涉条纹周期进行检测，从而简化了在紫外光全息光刻系统中检测紫外激光干涉条纹的过程，缩短了全息光刻工艺的周期，并降低了光刻工艺的成本。
紫外激光干涉条纹辅助检测装置方法

[发明专利]光纤侧圆柱面镀膜旋转装置及方法-CN200910241547.X无效
发明人：冯小明;赵懿昊;祁琼;刘素平;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-11-25 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：一种光纤侧圆柱面镀膜旋转装置，包括：一平圆盘，该平圆盘的中心固定一中心轴；一公转件，该公转件为一筒状，套置于平圆盘的中心轴上，该公转件靠近平圆盘的一端横置有多个水平支杆，所述水平支杆的端部枢接有自转件，该自转件与平圆盘的表面摩擦接触；上述部件置于一镀膜室中，在镀膜室中还放置有坩锅，其中每个自转件与待镀光纤连接，当所述公转件转动时带动与平圆盘表面摩擦接触的自转件转动。
光纤圆柱面镀膜旋转装置方法

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