专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果38个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN202310828744.1在审
  • 谈亚丽 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-07-06 - 2023-10-13 - H01L29/78
  • 本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法,其中,所述半导体结构包括:衬底;位于衬底上的至少一个柱状结构,柱状结构包含至少一个突出部。沟道层,沟道层至少覆盖柱状结构设置有突出部的部分的表面及柱状结构的顶表面,突出部至少包含第一边界,第一边界的尺寸大于第一边界在第一方向或第二方向上的正投影的尺寸中的任一者,其中,第一方向为平行于衬底平面的方向,第二方向为垂直于衬底平面的方向。介质层,介质层覆盖沟道层的部分表面,栅极层,栅极层覆盖介质层的表面。
  • 一种半导体结构及其制备方法
  • [发明专利]一种葛根酵素及其制备方法和应用-CN202310659305.2在审
  • 谈亚丽;李啸;付家园;黄蓉;曾子琦 - 安琪生物科技有限公司
  • 2023-06-05 - 2023-10-13 - A23L33/00
  • 本发明提供一种葛根酵素及其制备方法和应用,该植物酵素的制备方法,包括如下步骤:步骤1,将柴葛根干粉碎,加水混匀,得到葛根粉混合液;步骤2,将葛根粉混合液与复合酶制剂混合酶解,得到酶解液;步骤3,酶解液中加入碳源混匀,混合液再进行二段发酵工艺,第一段发酵采用包含酵母菌和醋酸菌的菌剂进行有氧发酵,第二段发酵采用包含乳杆菌的菌剂进行无氧发酵;步骤4,将发酵后的混合液过滤至获得澄清溶液,即得。所获得的葛根酵素具有较高葛根素、葡萄糖醛酸等活性成分含量,且具有很好的抗氧化能力,具有保健作用,尤其是护肝功效。
  • 一种葛根酵素及其制备方法应用
  • [实用新型]一种适用于植物原料的提取装置-CN202320554731.5有效
  • 谈亚丽;李啸;张小龙;熊健 - 安琪生物科技有限公司
  • 2023-03-21 - 2023-09-22 - B01D11/02
  • 本实用新型涉及植物原料提取装备领域,具体涉及一种适用于植物原料的提取装置。该实用新型包括釜体、釜盖、釜底和电机,釜体内设有料筒、旋转轴和固定轴承,旋转轴的一端与设在釜底的电机相连,旋转轴的另一端与固定轴承内圈相连,固定轴承的外圈与端盖固定连接;釜盖上设有带盖板的人孔,盖板上设有贯通的中心螺纹孔,中心螺纹孔中设有螺杆顶杆;料筒包括过滤筒体、上封头和下封头,上封头和下封头与过滤筒体可拆卸连接,上封头和下封头中间开有与旋转轴匹配的通孔,上封头上设有固定座,固定座与旋转轴可拆卸连接。本实用新型将料筒设计在釜体内,能实现在线的残渣与提取液分离,残渣清除方便快捷。
  • 一种适用于植物原料提取装置
  • [发明专利]半导体结构、存储单元结构及半导体结构的制造方法-CN202310871392.8在审
  • 谈亚丽 - 长鑫科技集团股份有限公司
  • 2023-07-14 - 2023-09-08 - H01L29/423
  • 本公开实施例提供一种半导体结构、存储单元结构及半导体结构的制造方法,半导体结构包括:基底,具有相对的第一面和第二面,且基底内具有相连通的沟槽和通孔,沟槽自第一面向第二面方向延伸,通孔位于沟槽与第二面之间;位于沟槽内且相互分立的第一栅极和第二栅极,第一栅极和第二栅极分别位于通孔相对两侧;第一栅介质层,至少位于第一栅极朝向沟槽的表面,且还位于第二栅极朝向沟槽的表面;第一半导体层,自第一面延伸至沟槽内壁,且还填充满通孔,其中,位于沟槽内的第一半导体层位于第一栅介质层远离第一栅极的表面、以及第一栅介质层远离第二栅极的表面。本公开实施例至少有利于提高半导体结构的性能。
  • 半导体结构存储单元制造方法
  • [发明专利]半导体结构及半导体结构的制造方法-CN202310871387.7在审
  • 谈亚丽 - 长鑫科技集团股份有限公司
  • 2023-07-14 - 2023-09-08 - H01L29/423
  • 本公开实施例提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法,半导体结构包括:具有相对的第一面和第二面的基底,基底内具有由第一面向第二面延伸的沟槽,沟槽包括相连通第一沟槽和第二沟槽,第二沟槽位于第一沟槽与第二面之间;相互分立的第一栅极和第二栅极,第一栅极位于第一沟槽中,第二栅极位于第一沟槽中且延伸至第二沟槽中;第一半导体层,自第一面延伸至第一沟槽的内壁,且位于第一栅极朝向第一沟槽内壁的一侧,且还延伸至第二栅极电接触;第二半导体层,自第一面依次延伸至第一沟槽内壁、第二沟槽侧壁以及第二沟槽的底面,第二半导体层位于第二栅极朝向第一沟槽内壁以及第二沟槽内壁的一侧。本公开实施例至少有利于提高半导体结构的性能。
  • 半导体结构制造方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top