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- [发明专利]半导体装置-CN202210960718.X在审
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诹访刚史;末代知子;岩鍜治阳子
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2022-08-11
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2023-09-12
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H01L29/06
- 实施方式提供一种能够控制末端区域的击穿电压以及骤回特性的半导体装置。实施方式的半导体装置具备半导体部、第一电极、第一控制电极、至少一个第二控制电极以及控制焊盘。半导体部具有活性区域和末端区域。第一电极设于半导体部的表面上，且位于活性区域上。第一控制电极设于半导体部的活性区域，隔着第一绝缘膜与半导体部相对。第二控制电极隔着第二绝缘膜设于半导体部的末端区域上，以包围第一电极的方式配置。控制焊盘在半导体部的表面上与第一电极分离地设置，并与第二控制电极电连接。半导体部包括从活性区域向末端区域延伸的第一半导体层，第二控制电极隔着第二绝缘膜与第一半导体层的一部分相对。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN202010817678.4在审
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诹访刚史;末代知子;岩鍜治阳子
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2020-08-14
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2021-09-24
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H01L29/739
- 实施方式的半导体装置具备：半导体部的背面上的第1电极；表面侧的第2电极；和第1及第2控制电极，在第2电极与半导体部之间，配置于在半导体部设置的沟槽的内部。所述第1控制电极通过第1绝缘部与半导体部电绝缘。所述第2控制电极在沿着所述半导体部的所述表面的方向上与所述第1控制电极并排，并通过第2绝缘部与所述半导体部电绝缘。所述半导体部包括第1导电型的第1层、第2导电型的第2层、所述第1导电型的第3层和所述第2导电型的第4层。所述第2层设置于所述第1层与所述第2电极之间。所述第3层及所述第4层选择性地设置于所述第2层与所述第2电极之间。所述第3层与所述第1层的间隔比所述第4层与所述第1层的间隔窄。
- 半导体装置
- [发明专利]环氧系反应性稀释剂及含有其的环氧树脂组合物-CN201680064537.1有效
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上田祐挥;远藤勇树;诹访刚史
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日产化学工业株式会社
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2016-10-17
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2021-04-09
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C08L63/00
- 本发明涉及一种环氧系反应性稀释剂及含有其的环氧树脂组合物。本发明提供一种含有低挥发性的环氧树脂用反应性稀释剂的环氧树脂组合物，该环氧树脂用反应性稀释剂尽可能不使硬化物的耐热性或硬化性等物性降低，进而能够赋予降低介电常数的效果。本发明是一种含有式[1]所表示的至少一种环氧化合物及环氧树脂的环氧树脂组合物、以及含有该树脂组合物与硬化剂或酸产生剂的硬化性组合物。(式中，R1及R2表示碳原子数2至27的烷基、R3表示氢原子或碳原子数1至25的烷基，其中，‑CR1R2R3基的碳原子数的合计为10至30，X表示＊‑C(＝O)O‑、＊‑CH2O‑或＊‑CH2OC(＝O)‑，L表示单键、或可包含醚键的碳原子数1至8的烷撑，E表示式[2]或式[3]所表示的基)(式中，R4至R15表示氢原子或碳原子数1至10的烷基)
- 环氧系反应稀释剂含有环氧树脂组合
- [发明专利]半导体装置-CN202010020259.8在审
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诹访刚史;末代知子;岩鍜治阳子
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2020-01-09
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2021-03-19
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H01L29/06
- 实施方式提供针对由动作时的发热引起的损坏模式具有较高的耐性的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体部，包含第1导电型的第1半导体层；设置于半导体部的表面侧的电极；第1控制电极，配置于半导体部与电极之间，与半导体部电绝缘；及第2控制电极，在半导体部与电极之间与第1控制电极并排而配置，与半导体部电绝缘。半导体部还包括：第2导电型的第2半导体层，设置于第1半导体层与电极之间；及第1导电型的第3半导体层，选择性地设置于第2半导体层与电极之间。第1控制电极及第2控制电极具有设置于与第2半导体层对置的位置、且位于第1半导体层中的端部。第2控制电极包含与第1控制电极的材料相比导热率更大的材料。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201910584739.4在审
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岩鍜治阳子;末代知子;诹访刚史
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2019-07-01
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2020-09-29
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H01L29/739
- 实施方式提供的断开损失得以降低的半导体装置具备：第1及第2电极；第1及第2栅极电极；具有第1及第2面的半导体层，该半导体层具有：第1导电型的第1半导体区域，具有：第1部分；与第1部分相比载流子浓度高的第2部分；及与第2部分相比载流子浓度低的第3部分第2导电型的第2半导体区域，设置于第1半导体区域与第1面之间，与第1栅极电极对置；第1导电型的第3半导体区域，设置于第2半导体区域与第1面之间，与第1电极接触；第2导电型的第4半导体区域，设置于第1半导体区域与第2面之间，一部分与第2栅极电极对置，与第2电极接触；及第1导电型的第5半导体区域，设置于第4半导体区域与第2面之间，与第2电极接触。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201910022474.9在审
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末代知子;岩鍜治阳子;诹访刚史
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2019-01-10
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2020-03-27
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H01L29/739
- 半导体装置具备：半导体部，包括第1导电型的第1半导体层、设置在所述第1半导体层上的第2导电型的第2半导体层、在所述第2半导体层上排列配置的第1导电型的第3半导体层及第2导电型的第4半导体层。半导体装置还具备设置在所述半导体部中且在与所述第1半导体层与所述第2半导体层的层叠方向正交的第1方向上交替地配置的第1控制电极及第2控制电极。所述第1控制电极隔着第1绝缘膜而与所述第2半导体层相对，所述第2控制电极隔着第2绝缘膜而与所述第2半导体层相对。所述第1控制电极及第2控制电极具有位于所述第1半导体层中的下端，所述第1控制电极与第3绝缘膜的一面接触，所述第2控制电极与第3绝缘膜的另一面接触。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201910022530.9在审
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末代知子;岩鍜治阳子;诹访刚史
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2019-01-10
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2020-03-27
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H01L29/739
- 半导体装置具备：半导体部，包括第一导电型的第一半导体层；第一电极，设在半导体部表面上；第二电极，设在半导体部背面上；多个控制电极，设在半导体部中，在从第一电极朝第二电极的方向上延伸；及绝缘膜，使多个控制电极与半导体部电绝缘；半导体部包括：第二导电型的第二半导体层，位于邻接的两个控制电极间，且设在第一电极与第一半导体层之间；第一导电型的第三半导体层，设在第一电极与第二半导体层之间；第二导电型的第四半导体层，设在邻接的另外两个控制电极间，且设在第一电极与第一半导体层间；第二导电型的第五半导体层，设在第一电极与第四半导体层之间；及第六半导体层，设在第四与第五半导体层之间，包含第一导电型杂质。
- 半导体装置
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