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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]碳纳米管生长、催化剂去除、氮化硼纳米管壳形成方法-CN202210817164.8在审
发明人： 许倍诚;李环陵;李信昌;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请公开了碳纳米管生长、催化剂去除、氮化硼纳米管壳形成方法。提供了一种用于形成用于极紫外光刻的防护膜的方法。该方法包括在过滤薄膜之上形成防护薄膜并且将防护薄膜从过滤薄膜转移到薄膜边界。形成防护薄膜包括在反应器的第一反应区域中从原位形成的金属催化剂颗粒生长碳纳米管(CNT)，CNT中的每一个在其生长尖端处包括金属催化剂颗粒，在第一反应区域的下游的反应器的第二反应区域中生长氮化硼纳米管(BNNT)以围绕单个CNT，从而形成各自包括CNT核和BNNT壳的异质结构纳米管，以及将异质结构纳米管收集在过滤薄膜上。
纳米生长催化剂去除氮化管壳形成方法

[发明专利]具有涂层的光学组件和使用方法-CN202210767783.0在审
发明人：李伟豪;许倍诚;李环陵;连大成;李信昌;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G03F1/48 文献下载
摘要：本公开涉及具有涂层的光学组件和使用方法。经涂覆的纳米管和纳米管束被形成为用于EUV光刻系统中的光学组件的膜。这些光学组件可用于对半导体衬底上的材料进行图案化的方法。这样的方法涉及在UV光刻系统中产生UV辐射。UV辐射穿过光学组件，如薄膜组件的涂覆层。穿过涂覆层的UV辐射穿过单个纳米管的矩阵或纳米管束的矩阵。穿过单个纳米管的矩阵或纳米管束的矩阵的UV辐射从掩模反射并在半导体衬底处接收。
具有涂层光学组件使用方法

[发明专利]极紫外掩模、使用极紫外掩模的方法以及图案化方法-CN202210859358.4在审
发明人：李信昌;许倍诚;李伟豪;林秉勋;连大成;余青芳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本公开涉及极紫外掩模、使用极紫外掩模的方法以及图案化方法。极紫外(EUV)掩模包括衬底、位于衬底上的反射多层堆叠、以及位于反射多层堆叠上的单层或多层帽盖特征。帽盖特征包括一个或多个帽盖层，该一个或多个帽盖层包括具有非晶结构的材料。其他描述的实施例包括(一个或多个)帽盖层，该(一个或多个)帽盖层包含具有小于约3的第一固态碳溶解度的(一种或多种)元素。在多层帽盖特征实施例中，各个帽盖层的(一种或多种)元素具有不同的固态碳溶解度特性。
紫外使用方法以及图案

[发明专利]具有帽盖层的极紫外掩模-CN202210816581.0在审
发明人：李伟豪;许倍诚;李信昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本申请公开了具有帽盖层的极紫外掩模。极紫外(EUV)掩模包括衬底、位于衬底上的反射多层堆叠和位于反射多层堆叠上的多层帽盖特征。多层帽盖特征包括第一帽盖层和第二帽盖层，第一帽盖层包括包含具有第一碳溶解度的元素的材料，第二帽盖层包括包含具有第二碳溶解度的元素的材料。第一碳溶解度与第二碳溶解度不同。在一些实施例中，第一帽盖层的材料的元素和第二帽盖层的元素针对波长为13.5nm的EUV具有不同的消光系数。
具有盖层紫外

[发明专利]掩模结构与掩模制程方法-CN201710514850.7有效
发明人：李信昌;许倍诚;林云跃;陈炫辰;王宣懿;严涛南 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：一种掩模结构，包括：一极紫外光掩模；一薄膜组件，附接于该极紫外光掩模，其中该薄膜组件包括：一薄膜框架；多个薄膜层，附接于该薄膜框架，其中该些薄膜层包括：至少一层核心薄膜层；以及一额外薄膜层，位于该至少一层核心薄膜层之上，且为该些薄膜层的最接近相邻该极紫外光掩模的一层，其中该额外薄膜层为碳化硅。
结构掩模制程方法

[发明专利]具有保护网格的等离子体增强原子层沉积的系统和方法-CN202210817186.4在审
发明人：李伟豪;许倍诚;李信昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开涉及具有保护网格的等离子体增强原子层沉积的系统和方法。等离子体增强原子层沉积(PEALD)系统包括工艺室。在工艺室内支撑靶材衬底。在工艺室内在靶材衬底之上放置网格。网格包括从网格的第一侧延伸到网格的第二侧的多个孔。在PEALD工艺期间，等离子体产生器产生等离子体。在等离子体与靶材衬底反应之前，通过使等离子体通过网格中的孔来降低等离子体的能量。
具有保护网格等离子体增强原子沉积系统方法

[发明专利]具有黑色边界区域的光刻掩模及其制造方法-CN201810457279.4有效
发明人：林进祥;陈建诚;李信昌;陈嘉仁;许倍诚;苏益辰;李环陵;沈仓辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：光刻掩模包括衬底、设置在衬底的第一侧上方的反射结构和设置在反射结构上方的图案化的吸收层。光刻掩模包括第一区域和在俯视图中围绕第一区域的第二区域。图案化的吸收层位于第一区域中。基本非反射材料位于第二区域中。通过以下方法形成光刻掩模：在衬底上方形成反射结构，在反射结构上方形成吸收层，限定光刻掩模的第一区域，以及限定光刻掩模的第二区域。第一区域的限定包括图案化吸收层。第二区域限定为在俯视图中围绕第一区域。第二区域的限定包括在第二区域中形成基本非反射材料。本发明的实施例还涉及具有黑色边界区域的光刻掩模及其制造方法。
具有黑色边界区域光刻及其制造方法

[发明专利]倍缩光罩外壳及其处置方法-CN202210434807.0在审
发明人： 许倍诚;连大成;李信昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G03F1/66 文献下载
摘要：一种倍缩光罩外壳及其处置方法，倍缩光罩外壳包括：包括一第一表面的一基座；一盖，该盖包括一第二表面且安置于该基座上，其中该基座及该盖在之间形成一内部空间以包括一倍缩光罩；及一弹性体或凝胶材料层，该弹性体或凝胶材料层安置于该第一表面及该第二表面中的至少一者上，其中该弹性体或凝胶材料层安置于该基座与该盖之间且接触该基座或该盖。
倍缩光罩外壳及其处置方法

[发明专利]用于极紫外掩模的间隙型吸收体-CN202210618565.0在审
发明人：林怡志;许倍诚;连大成;陈嘉仁;李信昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：本公开涉及用于极紫外掩模的间隙型吸收体。提供了一种光刻图案化光致抗蚀剂的方法。该方法包括接收具有光致抗蚀剂的晶圆并使用由EUV掩模反射的极紫外(EUV)辐射来曝光光致抗蚀剂。EUV掩模包括衬底、衬底上的反射多层堆叠、反射多层堆叠上的覆盖层、覆盖层上的图案化吸收体层。图案化吸收体层包括基质金属以及占据基质金属的间隙位置的间隙元素，并且间隙元素与基质金属的尺寸比为约0.41至约0.59。
用于紫外间隙吸收体

[发明专利]极紫外光微影光罩及其制造方法-CN201910572799.4有效
发明人： 许倍诚;温啟平;王子奕;连大成;李信昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G03F1/58 文献下载
摘要：一种极紫外光(EUV)微影光罩的制造方法包含，形成影像图案于极紫外光光罩基底的吸收层中。极紫外光光罩基底包含：多层堆叠包含数个交替钼(Mo)与硅(Si)层设于光罩基板的第一表面的上方，覆盖层设于该多层堆叠的上方，以及吸收层设于覆盖层的上方。边界区围绕影像图案且具有沟渠，其中蚀刻吸收层、覆盖层、与多层堆叠的至少一部分。数个凹侧壁形成于边界区中、或相互扩散部形成在沟渠的多层堆叠中。
紫外光微影光罩及其制造方法

[发明专利]带有合金基吸收体的极紫外掩模-CN202210458972.X在审
发明人： 许倍诚;林秉勋;连大成;李信昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本公开涉及带有合金基吸收体的极紫外掩模。提供了一种极紫外掩模，包括衬底、衬底上的反射多层堆叠和反射多层堆叠上的多层经图案化吸收体层。所公开的实施例包括含有如下合金的吸收体层：该合金包括钌Ru、铬Cr、铂Pt、金Au、铱Ir、钛Ti、铌Nb、铑Rh、钼Mo、钨W或钯Pd以及至少一种合金元素。该至少一种合金元素包括钌Ru、铬Cr、钽Ta、铂Pt、金Au、铱Ir、钛Ti、铌Nb、铑Rh、钼Mo、铪Hf、硼B、氮N、硅Si、锆Zr或钒V。其他实施例包括具有包含合金和合金元素的层的多层经图案化吸收体结构，其中多层结构中的至少两层具有不同的成分。
带有合金吸收体紫外

[发明专利]防护组件及形成倍缩光罩组件及增加防护薄膜寿命的方法-CN202110901466.9在审
发明人： 许倍诚;连大成;李信昌;高蔡胜;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：一种防护组件及形成倍缩光罩组件和增加防护薄膜寿命的方法，防护组件包括防护薄膜及在防护薄膜的外表面上的保形涂层。防护薄膜可由多个层形成且具有高透射率、低偏转及小微孔尺寸的组合。保形涂层旨在保护防护薄膜免受可能由于EUV曝光期间所产生的热量及氢电浆而发生的损坏。
防护组件形成倍缩光罩增加薄膜寿命方法

[发明专利]薄膜组件和倍缩光罩组件的形成方法以及薄膜膜状物-CN202110820401.1在审
发明人：李信昌;许倍诚;连大成;陈立锐;高蔡胜;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：一种薄膜组件和倍缩光罩组件的形成方法以及薄膜膜状物，形成薄膜组件的方法包括减少一或多个初始膜状物的厚度以获得薄膜膜状物。接着将薄膜膜状物固定至安装框架以获得薄膜组件。可施加压缩压力以减少初始膜状物的厚度。可替代的是，通过拉伸初始膜状物来减少厚度以获得经延伸膜状物。接着将安装框架固定至经延伸膜状物的一部分。接着将安装框架及经延伸膜状物的此部分与经延伸膜状物的其余部分分离，以获得薄膜组件。所得薄膜组件包括附接至安装框架的薄膜膜状物。薄膜膜状物可由纳米管形成且具有高透射率、低偏转及小微孔尺寸的组合。
薄膜组件倍缩光罩形成方法以及膜状物

[发明专利]极紫外光罩和形成极紫外光罩的方法-CN202210080721.2在审
发明人：林秉勳;许倍诚;余青芳;连大成;陈嘉仁;李信昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：提供了一种极紫外光罩和形成极紫外光罩的方法，极紫外光罩包括基板、位于基板上的反射多层堆叠及位于反射多层堆叠上的覆盖层。在反射多层堆叠上形成覆盖层之前，对反射多层堆叠进行处理。通过离子辅助离子束沉积或离子辅助溅射制程形成覆盖层。
紫外光形成方法

[发明专利]带涂覆层的光学组件及使用方法-CN202210126552.1在审
发明人： 许倍诚;林秉勋;连大成;李信昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开提供了带涂覆层的光学组件及使用方法。在EUV光刻系统中，经涂覆的纳米管和纳米管束被形成在光学组件中有用的膜中。这些光学组件在用于在半导体衬底上图案化材料的方法中有用。这样的方法涉及在UV光刻系统中产生UV辐射。UV辐射穿过光学组件(例如，薄膜组件)的涂覆层。已穿过涂覆层的UV辐射穿过个体纳米管的基体或纳米管束的基体。穿过个体纳米管的基体或纳米管束的基体的UV辐射从掩模反射并在半导体衬底处被接收。
覆层光学组件使用方法

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