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[发明专利]面部图像的处理方法、装置、设备及存储介质-CN202310145345.5在审
发明人：袁格;李毛毛;张勇;单瀛 -专利权人：腾讯科技（深圳）有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06V40/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种面部图像的处理方法、装置、设备及存储介质，属于计算机技术领域。该方法包括：获取第一面部图像和第二面部图像；提取第一面部图像的第一身份特征以及提取第二面部图像的第一属性特征；基于第一面部图像中的目标局部区域，获取第一面部图像的第二身份特征，对第一身份特征和第二身份特征进行拼接，得到第三身份特征，目标局部区域为在提取第一身份特征的过程中被关注的程度满足提高条件的区域；基于第三身份特征和第一属性特征，生成融合面部图像。此种方法有利于提高融合面部图像对第一面部图像的身份信息的融合可靠性，进而提高融合面部图像的质量，面部图像的处理质量较高。
面部图像处理方法装置设备存储介质

[发明专利]一种基于电力统计数据的区域碳排放量核算方法-CN202310293733.8在审
发明人：谢品杰;尚艺伟;舒雅琳;郭炜囡;张静怡;袁格;潘仙友 -专利权人：上海电力大学
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G06F17/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电力统计数据的区域碳排放量核算方法，包括如下步骤：根据时间标尺获取一级区块对应的二级区块各电力消耗部门的第二电力负荷数据；根据第二电力负荷数据计算得到一级区块各电力消耗部门的第一用电量统计数据；根据时间标尺获取一级区块对应的碳排放量数据；采用变系数面板数据回归模型对一级区块对应的碳排放量数据及对应的第一用电量统计数据进行拟合，得到时间标尺上的一级区块对应的变系数，得到变系数矩阵；通过时间标尺上的一级区块对应的变系数与对应二级区块的第二电力负荷数据，计算二级区块对应的碳排放量数据。方案可以获取更加及时、准确、具有代表性的碳排放数据。
一种基于电力统计数据区域排放量核算方法

[发明专利]一种基于电力统计数据的超大城市碳排放量核算方法-CN202310296166.1在审
发明人：谢品杰;舒雅琳;尚艺伟;郭炜囡;张静怡;袁格;潘仙友 -专利权人：上海电力大学
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G06F17/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电力统计数据的超大城市碳排放量核算方法，步骤如下：根据时间标尺获取一级区块对应的二级区块各电力消耗部门的第二电力负荷数据；根据第二电力负荷数据计算得到一级区块各电力消耗部门的第一用电量统计数据；根据时间标尺获取一级区块对应的碳排放量数据；采用系数平滑可变模型对一级区块对应的碳排放量数据及对应的第一用电量统计数据进行拟合，得到时间标尺上的一级区块对应的变系数；采用自回归移动平均模型对时间标尺上的变系数进行预测；将变系数导入系数平滑可变模型，计算时间标尺上二级区块对应的碳排放量数据。方案可以获取对于未来年度上更加及时、准确、具有代表性的碳排放数据。
一种基于电力统计数据超大城市排放量核算方法

[发明专利]用于极紫外光刻抗蚀剂改善的原子层蚀刻及选择性沉积处理-CN202080032750.0在审
发明人：游正义;萨曼塔·S·H·坦;杨柳;梁振伟;鲍里斯·沃洛斯基;理查德·怀斯;潘阳;李达;袁格;安德鲁·梁 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供了用于降低EUV抗蚀剂的粗糙度并改善蚀刻特征的方法和系统。所述方法涉及对EUV抗蚀剂除渣、填充EUV抗蚀剂的凹陷、并用帽盖层保护EUV抗蚀剂。所得的EUV抗蚀剂具有更平滑的特征，并增加对下伏层的选择性，从而改善蚀刻特征的质量。在下伏层的蚀刻后，可去除帽盖层。
用于紫外光刻抗蚀剂改善原子蚀刻选择性沉积处理

[发明专利]处理室表面移除金属污染物-CN201980065594.5在审
发明人：游正义;萨曼莎·西亚姆华·坦;徐相俊;袁格;西瓦·克里希南·卡纳卡萨巴帕蒂 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-10-03 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C21C5/44 文献下载
摘要：一种用于清洁衬底处理室的表面的方法包含：a)供应第一气体，所述第一气体选自由下列各项所组成的群组：四氯化硅(SiCl4)、四氯化碳(CCl4)、碳氢化合物(CxHy，其中x与y为整数)和分子氯(Cl2)、三氯化硼(BCl3)、以及亚硫酰氯(SOCl2)；b)在所述衬底处理室中激励等离子体，以蚀刻所述衬底处理室的表面；c)将所述等离子体熄灭，并将所述衬底处理室排空；d)供应包含氟物质的第二气体；e)在所述衬底处理室中激励等离子体，以蚀刻所述衬底处理室的表面；以及f)将该等离子体熄灭，并将所述衬底处理室排空。
处理表面金属污染物