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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有阻挡层的集成电路器件-CN201810723993.3有效
发明人：李常铉;金俊植;蔡教锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种集成电路器件可以包括在衬底的栅极沟槽的内表面上的栅极电介质层、在栅极电介质层上填充栅极沟槽的一部分的栅极结构、以及在栅极沟槽中在栅极结构的上表面上的绝缘盖图案。栅极结构可以包括具有第一功函数的下栅线、具有比第一功函数低的第二功函数的上栅线、在下栅线与上栅线之间的第一阻挡层以及在上栅线与绝缘盖图案之间的第二阻挡层。
具有阻挡集成电路器件

[发明专利]包括外围接触件的半导体装置-CN202211266287.3在审
发明人：李进成;金庆希;禹东秀;蔡教锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：单元有源图案；单元栅极结构，其连接至单元有源图案；外围有源图案；外围栅极结构，其连接至外围有源图案；导电图案，其连接至外围有源图案、单元栅极结构或外围栅极结构；电容器结构，其电连接至单元有源图案；层间绝缘层，其包围电容器结构；以及外围接触件，其连接至导电图案，同时延伸穿过层间绝缘层，其中，层间绝缘层包括接触电容器结构的第一材料层和第一材料层上的第二材料层，外围接触件包括接触第一材料层的第一部分和接触第二材料层的第二部分，并且第一部分的最大宽度大于第二部分的最小宽度。
包括外围接触半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN202111082505.3在审
发明人：金真雅;柳镐仁;蔡教锡;崔准容 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括：衬底，包括沟槽和接触凹陷，接触凹陷具有弯曲的表面轮廓；导电图案，位于沟槽中；掩埋接触，包括填充所述接触凹陷的第一部分和位于第一部分上的第二部分；以及间隔物结构，包括第一间隔物和第二间隔物。第二部分可以为柱状，并且其宽度小于第一部分的顶表面的宽度。掩埋接触可以通过间隔物结构与导电图案间隔开。第一间隔物可以在间隔物结构的最外部分处位于掩埋接触的第一部分上。第一间隔物可以沿着掩埋接触的第二部分延伸并接触掩埋接触。第二间隔物沿着导电图案的侧表面和沟槽延伸。第二间隔物可以接触导电图案。第一间隔物可以包括氧化硅。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN202110589033.4在审
发明人：金慧元;魏胄滢;尹成美;任桐贤;李相运;林兑旭;蔡教锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括凹部；栅极绝缘层，位于凹部的表面上；第一栅极图案，位于栅极绝缘层上，并且填充凹部的下部；第二栅极图案，在凹部中位于第一栅极图案上，并且包括具有与第一栅极图案的逸出功不同的逸出功的材料；盖绝缘图案，位于第二栅极图案上，并且填充凹部的上部；泄漏阻挡氧化物层，在凹部在第一栅极图案的上表面上方的上侧壁处位于栅极绝缘层上，并且接触盖绝缘图案的侧壁；以及杂质区，位于基底中并且与凹部的上侧壁相邻，每个杂质区具有比第一栅极图案的上表面高的下表面。
半导体装置

[发明专利]存储器装置-CN201910766600.1在审
发明人： 蔡教锡;林兑旭;卢弦均;李元锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：公开了一种存储器装置，所述存储器装置包括：基底，包括彼此隔开的第一有源区域和第二有源区域；器件隔离膜，位于基底上，器件隔离膜限定第一有源区域和第二有源区域；以及埋入字线结构，穿过第一有源区域与第二有源区域之间的低介电区域，其中，埋入字线结构包括栅电极和栅极绝缘层，栅电极位于栅极沟槽中，栅极绝缘层位于栅电极的在低介电区域的外部的部分与栅极沟槽之间，并且其中，气隙设置在栅电极的在低介电区域内的部分与栅极沟槽之间。
存储器装置

[发明专利]半导体器件-CN201811430052.7在审
发明人：文浚硕;孔东植;柳成原;朱姬宣;蔡教锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底；器件隔离膜，限定衬底的有源区，栅极沟槽在有源区中延伸；栅极绝缘膜，沿着栅极沟槽的侧面和底部设置；栅电极，设置在栅极沟槽中的栅极绝缘膜上，并且具有第一部、第一部上的第二部以及第二部上的第三部；第一阻挡膜图案，介于栅电极的第一部与栅极绝缘膜之间；第二阻挡膜图案，介于栅电极的第二部与栅极绝缘膜之间；以及第三阻挡膜图案，介于栅电极的第三部与栅极绝缘膜之间。第一阻挡膜图案的功函数大于第二阻挡膜图案的功函数并且低于第三阻挡膜图案的功函数。
阻挡膜栅极绝缘膜图案栅电极栅极沟槽功函数半导体器件衬底源区器件隔离膜侧面延伸

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710099074.9在审
发明人：李盛三;金俊秀;安孝信;山田悟;全柱炫;郑文泳;郑天炯;赵珉熙;蔡教锡;崔恩爱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种半导体器件包括包含沟槽的半导体基板，该半导体基板具有晶体结构；以及覆盖沟槽的内侧壁的绝缘层，其中沟槽的内侧壁具有在晶体结构的{320}晶面族中包含的至少一个面或者关于{320}晶面族具有2度以内的角度的至少一个面。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]四晶体管电路布局、集成电路场效应晶体管和半导体器件-CN201110183551.2有效
发明人： 蔡教锡;山田悟;韩相然;崔荣振;金煜济 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供四晶体管布局、集成电路场效应晶体管和半导体器件。四晶体管布局可以包括定义有源区的隔离区，该有源区沿不同的第一方向和第二方向延伸。四个晶体管的公共源区从有源区的中心沿第一方向和第二方向两者延伸以定义有源区的在公共源区之外的四个象限。提供四个漏区，各个漏区在所述四个象限的相应一个中且与公共源区间隔开。最后，提供四个栅电极，各个栅电极在四个象限的相应一个中在公共源区与四个漏区中的相应一个之间。各个栅电极包括顶点以及第一延伸部分和第二延伸部分，该第一延伸部分从该顶点沿第一方向延伸，该第二延伸部分从该顶点沿第二方向延伸。
晶体管电路布局集成电路场效应半导体器件

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