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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]记忆体结构及其形成方法-CN201910229163.X有效
发明人： 蔡子中;陈彦志;陈侠威 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本揭示案针对具有底电极阻障堆叠的电阻性随机存取记忆体(RRAM)结构。举例而言，RRAM结构包括：(i)具有导电材料及层堆叠的底电极，其中层堆叠覆盖导电材料的底面及侧面且插入于导电材料与下导电结构之间；(ii)安置于底电极上且与导电结构相对的电阻切换层；以及(iii)安置于电阻切换层上的顶电极。
记忆体结构及其形成方法

[发明专利]三维元件结构及其形成方法-CN202210226115.7在审
发明人：张任远;李建璋;赖佳平;蔡子中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种三维元件结构及其形成方法，三维元件结构包括具有第一半导体基板的第一晶粒、设置在第一晶粒上且包括第二半导体基板的第二晶粒、设置在第一晶粒上且围绕第二晶粒的介电封装层、设置在第二晶粒与介电封装层上的再分布层结构，及嵌入介电封装层中且电连接至至第一晶粒及再分布层结构的集成被动元件。
三维元件结构及其形成方法

[发明专利]半导体元件及其形成方法-CN202210259355.7在审
发明人：张任远;蔡子中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种半导体元件及其形成方法，半导体元件包括安装于基材上的第一半导体晶粒、安装于基材上且与第一半导体晶粒分离的第二半导体晶粒、在第一半导体晶粒与第二半导体晶粒之间且具有第一密度的第一介电材料、及第一介电材料中的第二介电材料柱，第二介电材料具有不同于第一密度的第二密度，且第二介电材料包括孔隙区。
半导体元件及其形成方法

[发明专利]三维装置结构-CN202210323955.5在审
发明人：张任远;李建璋;赖佳平;蔡子中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：一种三维装置结构，包括晶粒，该晶粒包括半导体基板、设置在半导体基板上的互连结构、延伸穿过半导体基板且电接触互连结构的金属特征的硅穿孔结构及嵌入半导体基板中且电性连接至硅穿孔结构的集成被动元件。
三维装置结构

[发明专利]集成晶片与其形成的方法-CN202210555757.1在审
发明人：罗司宪;刘哲宏;蔡子中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L27/01 文献下载
摘要：本揭示案各种实施例是针对一种集成晶片与其形成的方法。集成晶片包括基板以及覆于基板上的电阻器。电阻器包括第一金属氮化物结构、与第一金属氮化物结构间隔开的第二金属氮化物结构、以及配置于第一金属氮化物结构与第二金属氮化物结构之间的金属结构。集成晶片还包括第一介电结构，配置在基板及电阻器上方。
集成晶片与其形成方法

[发明专利]晶粒、半导体封装体与形成硅穿孔结构的方法-CN202210014819.8在审
发明人：张任远;赖佳平;陈世昌;蔡子中;李建璋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种晶粒、半导体封装体与形成硅穿孔结构的方法，晶粒包含半导体基板、介电结构、互连结构、硅穿孔结构与硅穿孔阻障结构。半导体基板具有前侧与相对的背侧。介电结构可包含置于半导体基板的前侧上的基板氧化层与置于基板氧化层上的多个层间介电层。互连结构置于介电结构中。硅穿孔结构在垂直方向上从半导体基板的背侧延伸贯穿至半导体基板的前侧，使得硅穿孔结构的第一端部置于介电结构中。硅穿孔阻障结构可包含接触硅穿孔结构的第一端部的阻障线与第一密封环，第一密封环置于基板氧化层中并在横向上环绕硅穿孔结构，横向与垂直方向垂直。
晶粒半导体封装形成穿孔结构方法

[发明专利]集成芯片、存储器器件及其形成方法-CN202011629122.9在审
发明人：李璧伸;金海光;匡训冲;蔡子中;张耀文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开涉及一种集成芯片、存储器器件及其形成方法。存储器器件包括设置在衬底上方的下部层间介电(ILD)层内的下部互连上方的底部电极。数据存储结构位于底部电极上方。第一顶部电极层设置在数据存储结构上方，第二顶部电极层位于第一顶部电极层上。与第一顶部电极层相比，第二顶部电极层不易被氧化。顶部电极通孔位于第二顶部电极层上方并且电耦合到第二顶部电极层。
集成芯片存储器器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构-CN202010805569.0在审
发明人：林佳桦;张耀文;吴启明;蔡正原;逸群·陈;蔡子中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种半导体结构。所述半导体结构包含金属化结构、多个导电垫及电介质层。所述多个导电垫在所述金属化结构上方。所述电介质层在所述金属化结构上且覆盖所述导电垫。所述电介质层包含第一电介质膜、第二电介质膜及第三电介质膜。所述第一电介质膜在所述导电垫上。所述第二电介质膜在所述第一电介质膜上。所述第三电介质膜在所述第二电介质膜上。所述第一电介质膜的折射率小于所述第二电介质膜的折射率，且所述第二电介质膜的所述折射率小于所述第三电介质膜的折射率。
半导体结构

[发明专利]显示装置及形成其的方法-CN202010279672.6在审
发明人：张耀文;蔡子中;朱彦璋;林佳桦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明的各种实施例涉及一种显示装置及形成其的方法。显示装置包括设置在半导体衬底的上方的隔离结构。电极至少局部地设置在隔离结构的上方。发光结构设置在电极的上方。导电性反射器设置在隔离结构下方且电耦合到电极。导电性反射器至少局部地设置在发光结构的侧壁之间。导电性反射器包含掺杂非金属的铝材料。本发明涉及一种具有反射率得到提高的反射器的显示装置。
显示装置形成方法

[发明专利]集成芯片及其形成方法-CN202011065670.3在审
发明人：杨静茹;吴启明;蔡子中;张耀文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本公开的实施例在一些实施例中涉及形成集成芯片的方法。该方法包括在半导体主体的正面的互连结构上方形成多个接合焊盘结构，多个接合焊盘结构分别具有钛接触层。图案化互连结构和半导体主体，以形成延伸进入半导体主体的沟槽。在沟槽内形成介电填充材料。在将半导体主体接合至载体衬底之前，蚀刻介电填充材料以暴露钛接触层。减薄半导体主体以沿半导体主体的背面暴露介电填充材料，并形成多个集成芯片管芯；以及去除介电填充材料以分离多个集成芯片管芯。本申请的实施例还提供了集成芯片及其形成方法。
集成芯片及其形成方法

[发明专利]存储器件、集成芯片及其形成方法-CN202010652708.0在审
发明人：金海光;吴启明;林杏莲;蔡子中;江法伸;李璧伸 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开的各种实施例涉及一种包括经共掺杂的数据储存结构的存储单元。底部电极上覆在衬底上，而顶部电极上覆在底部电极上。数据储存结构设置在顶部电极与底部电极之间。数据储存结构包含掺杂有第一掺杂剂及第二掺杂剂的介电材料。
存储器件集成芯片及其形成方法

[发明专利]存储单元、存储器器件以及用于形成存储器器件的方法-CN202010656452.0在审
发明人：金海光;吴启明;蔡正原;蔡子中;江法伸 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开的各种实施例涉及包含数据存储结构的存储单元。顶部电极上覆于底部电极。数据存储结构安置于顶部电极与底部电极之间。数据存储结构包含第一数据存储层、第二数据存储层以及第三数据存储层。第二数据存储层安置于第一数据存储层与第三数据存储层之间。第二数据存储层具有比第三数据存储层低的带隙。第一数据存储层具有比第二数据存储层低的带隙。
存储单元存储器器件以及用于形成方法

[发明专利]用于储存和运输半导体元件的装置及其形成方法-CN201711248525.7有效
发明人：许择伦;刘芳瑜;蔡子中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： B65D25/00 文献下载
摘要：一种用于储存和运输半导体元件的装置及其形成方法，装置包含第一部分和第二部分。第一部分包含一第一前侧壁、一第一后侧壁、一顶壁及从第一后侧壁延伸的至少一个枢转销结构。前述至少一个枢转销结构包含一基座、一轴及具有非圆形横截面形状的一头部。第二部分包含一第二前侧壁、一第二后侧壁、一底壁及从第二后侧壁延伸的至少一个销保持件。前述至少一个销保持件定义出一在一对齐线上容纳前述至少一个枢转销结构的头部的开口。前述至少一个枢转销结构的头部延伸穿过开口。第一部分和第二部分可在打开状态和容器关闭状态之间枢转。
用于储存运输半导体元件装置及其形成方法

[发明专利]工艺工具及在其内部拍摄图像数据的方法-CN201911016170.8在审
发明人： 蔡子中;吴启明;金海光 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开涉及一种工艺工具，所述工艺工具包括界定真空室的壳体。晶圆夹盘位于所述壳体中且载体晶圆位于所述晶圆夹盘上。相机集成在所述载体晶圆上以使所述相机面对所述壳体的顶部。所述相机被配置成以无线方式拍摄所述壳体内的所关注物体的图像。位于所述壳体外部的是无线接收器。所述无线接收器被配置成在所述真空室被密封的同时从所述相机接收所述图像。
工艺工具内部拍摄图像数据方法

[发明专利]半导体裸片载具-CN201910578264.8在审
发明人： 蔡子中;柯柄成;杨智渊;刘芳瑜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：一种半导体裸片载具包含第一部件与第二部件。第一部件包含第一前壁、第一后壁、一体成形于第一后壁的底壁，以及枢轴针脚结构一体成形至第一后壁并从第一后壁延伸。第二部件包含第二前壁、第二后壁、一体成形至第二前壁的顶壁，以及至少一针脚座一体成形至第二后壁并从第二后壁以参照于顶面的一偏移角度延伸。枢轴针脚结构包含连接至第一后壁的基座支撑，以及连接基座支撑的轴。针脚座定义开口，开口的尺寸与大小被调整以接受轴。第一部件与第二部件的尺寸与大小被调整以可枢转地移动于开启状态与关闭状态之间。
后壁一体成形前壁针脚结构枢轴开口半导体裸片角度延伸开启状态可枢转地连接基座针脚座偏移底壁顶壁脚座载具支撑延伸移动

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