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[发明专利]半导体发光元件和发光装置-CN202180003206.8在审
发明人：王瑜;蓝永凌;马明彬;唐超;周宏敏;董金矿;李政鸿;林兓兓 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及半导体发光元件和发光装置，包括半导体叠层，该半导体叠层包括：第一半导体层，具有n型掺杂；第二半导体层，位于所述第一半导体层上，具有p型掺杂，所述第二半导体层包括靠近第一半导体层的第一表面和远离第一半导体层的第二表面；有源层，位于所述第一半导体层和第二半导体层之间，所述有源层包括靠近第一半导体层的第三表面和靠近第二半导体层的第四表面；其特征在于：该半导体叠层还包括氢杂质，该氢杂质的浓度至少包括靠近有源层的第一峰值和远离有源层的第二峰值，所述第二峰值大于第一峰值。本发明的发光元件具有高亮度的性能。
半导体发光元件装置

[发明专利]一种复合衬底及其制备方法和利用其制备发光元件的方法-CN201910221205.5有效
发明人：汪玉;蔡家豪;汪琴;方斌;桂亮亮;董金矿;王珊;黄照明;邱智中;蔡吉明 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，尤其涉及一种复合衬底的制备方法和利用其制备发光元件的方法，其通过在基板上形成纵横交错金属掩膜层，在后续氮化物沉积过程中，利用氮化物沉积温度高于金属掩膜层的气化温度而形成具有特定中空结构的复合衬底，并在该复合衬底上形成发光外延层，其中该中空结构为第一预切割道，发光外延层上表面MESA图形之间的间隙形成第二预切割道，当激光沿着第一预切割道和第二预切割道切割时，由于第一预切割道中空结构的存在，能够避免激光对发光元件边缘区域的损伤，有效地改善发光元件因激光能量过高损伤外延层导致的漏电异常。
一种复合衬底及其制备方法利用发光元件

[发明专利]一种图形化衬底及其制作方法-CN202211284846.3在审
发明人：王瑜;董金矿;丁祥;陈志豪;周宏敏;李政鸿;林兓兓 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种图形化衬底及其制作方法，所述图形化衬底包括：基板，所述基板包括第一区域和包围第一区域的第二区域；图形结构，复数个所述图形结构间隔设置于基板上，图形结构包括设置于基板上的第一部分以及设置于第一部分上的第二部分，第一部分的材料与第二部分的材料不同，其中，位于第一区域内单个图形结构的第二部分体积小于位于第二区域内单个图形结构的第二部分体积。本发明能有效降低第二区域内的外延生长速率，提高第二区域内形成的发光二极管的外延生长质量、发光效率和良率。
一种图形衬底及其制作方法

[发明专利]一种发光二极管及其制作方法-CN202110777409.4有效
发明人：周宏敏;唐超;王瑜;董金矿;李政鸿;林兓兓 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管及其制作方法，至少包括衬底，以及依次层叠于所述衬底之上的第一半导体层、应力释放层、有源层和第二半导体层，所述第一半导体层与所述应力释放层之间设有不含Al且不含In的第三半导体层，所述第三半导体层与应力释放层之间设有含Al的第四半导体层，所述第四半导体层与第三半导体层的厚度比为1:5~1:100。本发明可以有效降低电子的迁移速率，降低非辐射复合的几率并改善Droop效应，提高发光二极管的发光效率。
一种发光二极管及其制作方法

[发明专利]发光二极管及其制备方法-CN202010703012.6有效
发明人：周宏敏;唐超;董金矿;李政鸿;林兓兓;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及发光二极管及其制备方法，其中的发光二极管包括图形化衬底、缓冲层、三维成长层、二维成长层、N型半导体层、发光层和P型半导体层，其中在三维成长层和二维成长层之间生长缺陷转向层，缺陷转向层可以阻挡图形化衬底的凸起顶部的缺陷延伸，并使二维成长层不在凸起顶部进行横向合并，而是在凸起顶部两侧的附近进行横向合并，从而减少位错，降低非辐射复合，提高发光效率。
发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管、发光装置及发光二极管的制备方法-CN202111627446.3在审
发明人：王瑜;师修磊;钱承红;周宏敏;唐超;董金矿;马明彬;李遥;赵豆豆;李政鸿;林兓兓 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管、发光装置及发光二极管的制备方法，所述发光二极管包括图形化衬底、覆盖于图形化衬底的缓冲层及发光结构，其中，图形化衬底包括衬底以及形成在衬底表面的若干个间隔设置的图形结构；图形结构包括形成于衬底的表面的第一部分以及形成在第一部分上方的第二部分，第一部分与第二部分的材料不同；缓冲层包括第一子缓冲层和第二子缓冲层，第一子缓冲层覆盖于图形结构的第一部分的表面及间隔设置的图形结构之间；第二子缓冲层覆盖于图形结构的第二部分的表面，第一子缓冲层的厚度大于第二子缓冲层的厚度。本发明能够提高外延磊晶面积，同时减小外延层内的晶格缺陷，提高LED的发光效率。
一种发光二极管发光装置制备方法

[实用新型]一种发光二极管-CN202020886966.0有效
发明人：周宏敏;汤恒;董金矿;李政鸿;林兓兓;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管，至少包括依次层叠的衬底、第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层，以及第一电极和第二电极，所述第一电极与第一导电型半导体层电性连接，所述第二电极与第二导电型半导体层电性连接，所述发光层包括由量子阱层和量子垒层交替层叠的量子阱结构，其特征在于：所述量子阱层包括第一量子阱层和第二量子阱层，所述第二量子阱层位于第一量子阱层和量子垒层之间，所述第二量子阱层的能隙小于第一量子阱层。本实用新型可以降低量子阱层中的极化电场，提高发光效率。
一种发光二极管

[发明专利]一种具有复合电子阻挡层的发光二极管及其制备方法-CN202010446626.0在审
发明人： 董金矿;汪玉;黄文宾;周宏敏;李政鸿;林兓兓;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明属于半导体领域，尤其涉及一种具有复合电子阻挡层的发光二极管及其制备方法，其中复合电子阻挡层位于有源层和P型半导体层之间，为AlxInyGa1‑x‑yN层和石墨烯层周期性交替层叠形成。本发明可以促进空穴横向扩展，改善电子溢流，提升亮度。
一种具有复合电子阻挡发光二极管及其制备方法

[实用新型]一种金属有机化合物容器-CN201922038985.8有效
发明人：周宏敏;王瑜;唐超;董金矿;李政鸿;林兓兓;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2019-11-23 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种金属有机化合物容器，用于盛放MO源，包括MO源瓶体、进气管路、出气管路、所述进气管路和出气管路的端部均设置有与MOCVD设备连接的连接头，所述连接头和MO源瓶体之间均设置手动阀，其特征在于：所述连接头和手动阀之间设置感应阀，通过控制连接头与MOCVD设备的连接和断开控制感应阀的打开和关闭。本实用新型通过在连接头和手动阀之间增设感应阀，并且在连接头的下端设置感应器，通过感应器感应连接头与MOCVD设备的连接和断开状态，进而控制感应阀的打开和关闭，以确保MO源瓶体内的MO源无法与外界空气接触，进而防止因手动阀误操作而导致的事故。
一种金属有机化合物容器

[实用新型]一种MO源瓶恒温槽-CN201920451702.X有效
发明人： 董金矿;汪玉;黄文宾;周宏敏;王亚伟;林兓兓;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： B01F13/08 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体设备领域，尤其涉及一种MO源瓶恒温槽，用于使MO源瓶温度恒定，至少包括槽体，所述槽体内盛有使MO源瓶恒温的液体，其特征在于，所述槽体内设置放置MO源瓶的支架，所述支架下方设置使所述液体流动的搅拌装置，所述搅拌装置下方设置使所述搅拌装置沿槽体内壁升降的升降装置。本实用新型通过搅拌装置减小液体温度的不均匀和波动，通过升降装置自动调节液位的高低，通过槽体的第一保温层和第二保温层减慢液体温度的降低。
搅拌装置本实用新型升降装置体内保温层支架半导体设备温度恒定液体流动恒温槽通过槽槽体减小沿槽液位减慢升降

[实用新型]一种半导体发光元件-CN201920905516.9有效
发明人：汪玉;董金矿;汪琴;桂亮亮;毕东升;王珊;黄照明;蔡家豪;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种半导体发光元件，包括衬底、第一类型导电性半导体层、第二类型导电性半导体层和两者之间的发光层；具有与第一类型导电性半导体层电性连接的第一电极，与第二类型导电性半导体层电性连接的第二电极；第一类型导电性半导体层和第一电极之间具有电流阻挡层；其特征在于：所述电流阻挡层包括中心区域和围绕中心区域的外围区域，所述第一电极覆盖中心区域和部分外围区域。本实用新型通过设计包括中心区域和围绕中心区域的外围区域的电流阻挡层，一方面改善电流的拥挤效益，扩展电流；另一方面，增加电极的粘附性，改善电极的稳定性。
导电性半导体层中心区域电流阻挡层第一电极外围区域本实用新型电性连接电极半导体发光元件半导体领域第二电极发光层粘附性衬底拥挤覆盖

[实用新型]一种MOCVD设备的冷却装置-CN201821468148.8有效
发明人： 董金矿;黄文宾;汪玉;周宏敏;史志结;林兓兓;蔡吉明 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体设备领域，尤其涉及一种MOCVD设备的冷却装置，其至少包括放置石墨盘的底座，所述底座边缘凸起形成支撑架，其特征在于：所述底座上表面具有复数个间隔排列的支撑柱，所述支撑架和支撑柱用于承载石墨盘，所述支撑架内设置有贯通的冷却气体孔。本实用新型的冷却装置改变传统的单一水冷冷却方式，而采用支撑柱、冷却气体以及热传导结构对石墨盘上的晶片进行多种方式的快速冷却，从而提高冷却效率，提高LED的量产。
冷却装置石墨盘支撑架支撑柱本实用新型冷却气体半导体设备底座上表面热传导结构底座边缘间隔排列快速冷却冷却效率传统的复数晶片量产凸起底座承载贯通

[发明专利]一种多壳层核壳微纳结构Cu₂O的制备方法-CN201210347293.1无效
发明人：徐海燕;陈琛;董金矿 -专利权人：安徽建筑工业学院
申请日： 2012-09-10 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： C01G3/02 文献下载
摘要：“一种多壳层核壳微纳结构Cu2O的制备方法”属于半导体领域。现有方法对设备要求较高，过程复杂，难以控制成本，严重影响Cu2O样品的应用范围。本发明特征在于：按照硫酸铜与柠檬酸三钠的摩尔浓度比范围12∶4～12∶18，硫酸铜与葡萄糖的摩尔浓度比范围12∶2～12∶22，将柠檬酸三钠溶液加入硫酸铜溶液中，充分络合后加入葡萄糖溶液；调节溶液pH值至12.3～14.0；于50℃～95℃反应1.5h～6.0h；反应结束后冲洗、烘干，即得所需产物。该方法(采用葡萄糖作还原剂的化学浴沉积法)与其它液相制备核壳(多壳)微纳结构Cu2O方法(采用模板或中间相法)相比，简化制备工艺，降低生产成本，避免模板或中间相消除不完全而引入杂相，且制备的产品为高纯多壳层核壳微纳结构Cu2O。
一种多壳层核壳微纳结构 cu sub 制备方法

[发明专利]一种纳米晶Cu₂O薄膜的制备方法-CN201210252813.0无效
发明人：徐海燕;董金矿;陈琛 -专利权人：安徽建筑工业学院
申请日： 2012-07-14 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： C23C18/16 文献下载
摘要：“一种纳米晶Cu2O薄膜的制备方法”属于半导体领域。现有方法一般对设备要求较高，需要比较复杂的程序，而最终难以控制成本，这会严重影响Cu2O薄膜的应用范围。本发明提供的纳米晶Cu2O薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：分别按照硫酸铜与柠檬酸三钠的摩尔浓度比范围为12∶8～12∶36，硫酸铜与抗坏血酸钠的摩尔范围为1∶3～5∶6，将抗坏血酸钠、柠檬酸三钠溶液依次加入硫酸铜溶液中，使充分络合；调节溶液pH值至7.0～10.0；置于50℃～95℃水浴温度中反应1.0h～3.0h；反应结束后经冲洗、烘干后，即得所需产物。该方法采用相对于阳极氧化法、热氧化法、溅射法和化学气相沉积法等方法更加简易的化学浴沉积方法，大大简化了制备工艺，而且所得产物均匀致密。
一种纳米 cu sub 薄膜制备方法

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