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[发明专利]一种阵列器件的测试电路及装置-CN202310693284.6在审
发明人：余兆安;姚志宏;吴飞宏;董大年;黄泓键;许晓欣 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种阵列器件的测试电路及装置，其中，测试电路包括源表、第二开关、第三开关和输出接口；第二开关和第三开关为相同的多通道模拟开关；第二开关的固定端连接源表的force端，第三开关的固定端连接源表的sense端；第二开关和第三开关的各开关通道端口分别通过输出接口的转接与阵列器件的各被测端口分别连接；在对阵列器件进行直流特性测试时，源表的force端通过第二开关的开关通路将输出电压加载到阵列器件的一个被测端口中；同时，源表的sense端通过第三开关的开关通路采集加载到被测端口的驱动电压值。本发明可靠地保证施加于待测器件上的信号不受模拟开关输出电阻的影响，解决了测试电路中带宽和输出电阻指标相矛盾的问题。
一种阵列器件测试电路装置

[发明专利]一种RRAM阵列的读取电路及读取方法-CN202211155763.4有效
发明人：许晓欣;赖锦茹;孙文绚;郑旭;董大年;余杰;樊韶阳;庞婉 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种RRAM阵列读取电路及读取方法，属于半导体存储器技术领域，解决了现有技术中参考单元使RRAM芯片面积变大，成本变高，功耗较大，RRAM可靠性差的问题。一种RRAM阵列读取电路包括：RRAM阵列，字线控制单元，位线源线控制单元，多路复用选择器，放大反相单元；RRAM阵列中每个RRAM单元的源线均用于输入读取电压；每个字线连接字线控制单元；字线控制单元和位线源线控制单元用于对外界输入信号进行译码；多路复用选择器，用于对阵列中要读取单元的输出电压信号进行选择，并传输到放大反相单元；放大反相单元有若干路，用于检测放大电压差异，并转换为信号0/1输出RRAM存储的数据。本发明实现了无需参考单元，节省芯片面积，降低功耗，缩减成本的功能。
一种 rram 阵列读取电路方法

[发明专利]一种RRAM的读取电路及读取方法-CN202211155750.7有效
发明人：许晓欣;赖锦茹;孙文绚;郑旭;董大年;余杰;樊邵阳 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种RRAM的读取电路及读取方法，属于半导体存储器技术领域，解决了现有技术中参考单元使RRAM芯片面积变大，成本变高，功耗较大，RRAM可靠性差的问题。一种RRAM读取电路包括：RRAM单元、放大器、反相器；RRAM单元的源线一端和放大器正输入端连接，另一端用于输入读取电压，RRAM阵列的位线和放大器负输入端连接；放大器，用于检测并放大同时刻位线和源线上的电压差异，并将放大后的信号输出至反相器的输入端；反相器，用于将输入端的高电平信号/低电平信号转变为0/1输出，所述反相器的输出端作为读取电路的输出端，输出RRAM存储的数据。实现了无需参考单元，节省芯片面积，降低功耗，缩减成本的功能。
一种 rram 读取电路方法

[发明专利]一种阻变存储器及其制作方法-CN202110319822.6有效
发明人：许晓欣;孙文绚;余杰;董大年;赖锦茹;吕杭炳 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种阻变存储器及其制作方法，在底电极与阻变层之间形成底缓冲层，且底缓冲层的热膨胀系数位于底电极的热膨胀系数和阻变层的热膨胀系数之间；及在上电极和阻变层之间形成上缓冲层，且上缓冲层的热膨胀系数位于上电极的热膨胀系数和阻变层的热膨胀系数之间，进而，通过底缓冲层和上缓冲层的设置，消除阻变存储器的电极与阻变层之间的热应力失配情况，提高阻变存储器的可靠性和良率。
一种存储器及其制作方法

[发明专利]一种储备池计算网络优化方法及相关装置-CN202211009477.7在审
发明人：许晓欣;孙文绚;张握瑜;余杰;李熠;尚大山;赖锦茹;董大年 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H04L41/0823 文献下载
摘要：本申请公开了一种储备池计算网络优化方法及相关装置，该方法包括：对输入信号进行采样，得到采样信号；通过至少两种量化方式对所述采样信号进行量化处理，得到至少两种数字信号，不同的数字信号中元素的取值不同；将所述不同的数字信号中元素对应的电压脉冲输入到由不同数量虚拟节点构建的储备池中，以便不同储备池提取所述输入信号在不同量化方式下的信号特征。通过对信号进行不同方式的量化，并将其输入到由不同数量虚拟节点构建的储备池中，可提高储备池的内部状态丰富性，进一步提高储备池系统对信号识别的准确性。
一种储备计算网络优化方法相关装置

[发明专利]阻变存储器及其制备方法-CN202011413926.5在审
发明人：许晓欣;李晓燕;董大年;余杰;吕杭炳 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种阻变存储器及其制备方法，其中阻变存储器包括：阻变层、上电极和势垒结构，阻变层设置于衬底上；上电极设置于阻变层上；势垒结构设置于阻变层和上电极之间，用于在器件执行擦除操作时，电子从势垒结构的导带通过，避免阻变层形成缺陷，造成阻变层的反向击穿。通过在阻变层和上电极之间增加一层非完全配比的氧化层作为势垒结构，在该器件的擦除操作过程中，当施加的擦除电压逐渐增大时，阻变层的导带能级会与该氧化层的导带能级拉平，电子从势垒结构的导带中通过，避免了阻变层中形成过多的缺陷，因此器件不会出现反向击穿，使得器件的耐久性得以进一步提高。
存储器及其制备方法

[发明专利]一种基于易失性三维忆阻器的三维储备池及其制作方法-CN202210055435.0在审
发明人：许晓欣;孙文绚;余杰;张握瑜;董大年;赖锦茹;郑旭;尚大山 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于易失性三维忆阻器的三维储备池及其制作方法，三维储备池中每个通孔内的存储层、选择层和电极层构成一个忆阻器即形成一个储备池单元，基于叠层结构以及多个通孔形成一种基于易失性三维忆阻器的三维储备池，具体的本发明采用基于三维忆阻器动态特性产生的虚拟节点构建三维储备池，首先构建界面型忆阻器通过电学测试证实其易失特性，并基于该易失性忆阻器制备垂直三维阵列，通过肖特基势垒调节器件动态特性，三维储备池的不同层分别对应不同层的储备池，通过对不同层的器件分别调控来构建不同的存储池，增加了虚拟节点的丰富性，提高了系统的并行度和识别准确率，并减小了系统的面积。
一种基于易失性三维忆阻器储备及其制作方法

[发明专利]一种储备池元件的制备方法-CN202111593480.3在审
发明人：许晓欣;孙文绚;余杰;赖锦茹;郑旭;董大年 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于人工智能技术领域，尤其涉及一种储备池元件的制备方法。该方法包括以下步骤：a)在衬底上依次设置底电极层、介质层、阻变层和顶电极层，得到待退火储备池元件；b)将所述待退火储备池元件进行退火处理，得到储备池元件；所述退火处理的温度为300～700℃；所述退火处理的时间为30～100s。本发明提供的方法在制备得到储备池元件后对其进行了快速退火处理，快速退火后缺陷会再分布，形成更加稳定的膜层，同时还能在膜层中引入铁电O相。通过快速退火处理，可以有效降低储备池元件的功耗，提高计算准确率。
一种储备元件制备方法

[发明专利]阵列器件测试装置及测试方法-CN202111585674.9在审
发明人：姚志宏;余兆安;董大年;吴飞宏;梁圣法;卢年端 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本公开提供一种阵列器件测试装置，包括：装载板，用于装载待测的阵列器件；主控电路板，与所述装载板电连接，用于选择所述阵列器件中特定地址的单元器件，并控制施加给所述单元器件的直流信号与脉冲信号之间的切换；半导体参数分析仪，用于输出所述直流信号或所述脉冲信号对所述特定地址的单元器件进行测试；控制主机，用于控制所述主控电路板和所述半导体参数分析仪，并对所述半导体参数分析仪测试的结果进行统计分析。本公开另一方面还提供一种阵列器件的测试方法。
阵列器件测试装置方法

[发明专利]一种忆阻器及其制作方法-CN202111518851.1在审
发明人：许晓欣;赖锦茹;孙文绚;余杰;董大年;吕杭炳 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种忆阻器及其制作方法，包括：衬底；位于所述衬底上且材质为TiN的下电极，其中，所述下电极的N组分和Ti组分的比例为0.96‑1.1，包括端点值；位于所述下电极背离所述衬底一侧的阻变层；位于所述阻变层背离所述衬底一侧的上电极。由上述内容可知，本发明提供的技术方案，通过调节忆阻器的下电极中Ti和N的组分比例为0.96‑1.1，进而优化下电极的电阻率和热电导率，使忆阻器在编程过程中形成自加热效应。进而，采用热电耦合效应，通过下电极的热场辅助来降低阻变层的缺陷形成能，提高了缺陷形成概率，降低编程过程中所需的电场强度，达到降低编程电压的目的，由此提高了忆阻器的可靠性。
一种忆阻器及其制作方法

[发明专利]忆阻器、制备方法及全忆阻器基的神经形态计算芯片-CN202011019747.3在审
发明人：许晓欣;余杰;董大年;李晓燕;郑旭;吕杭炳;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种忆阻器、制备方法及全忆阻器基的神经形态计算芯片；其中，所述忆阻器，包括：下电极层、位于所述下电极层上的功能层、位于所述功能层上的势垒层及位于所述势垒层上的上电极层；其中，所述功能层为阻变层。通过调制所述功能层的电阻值实现所述忆阻器的电阻态的变化，通过改变势垒层中的不稳定细丝的断裂实现反向阈值转变特性。
忆阻器制备方法全忆阻器基神经形态计算芯片

[发明专利]一种数字电视控制智能终端进行信息显示的方法及设备-CN201310642311.3在审
发明人： 董大年 -专利权人：青岛海信传媒网络技术有限公司
申请日： 2013-12-03 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H04N21/472 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种数字电视控制智能终端进行信息显示的方法及设备，在播放节目信息中关键词对应的设定时刻，获取到与所述关键词相关的标签信息，所述标签信息包括关键词、网络资源定位信息；将所述标签信息发送给智能终端，由所述智能终端根据所述关键词、所述网络资源定位信息，确定与所述关键词相关的信息并进行显示，本发明实施例在播放节目信息中关键词对应的设定时刻，获取到用于标识该关键词的标签信息，并且在智能终端侧显示该关键词及其相关信息，从而使用户在观看数字电视节目时，在不影响节目观看的情况下，获取到与该节目中的关键词相关的信息以及参与互动。
一种数字电视控制智能终端进行信息显示方法设备

[发明专利]一种号码转换服务器及电话号码保密的通信方法、系统-CN201310489079.4有效
发明人： 董大年;姜东 -专利权人：青岛海信传媒网络技术有限公司
申请日： 2013-10-17 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H04M3/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种号码转换服务器及电话号码保密的通信方法、系统，该方法包括：号码转换服务器接收核心网路由设备在通信过程中发送的消息，所述消息中携带在所述通信过程中作为被叫号码的掩码，所述掩码由特殊服务号码和虚拟号码构成，所述特殊服务号码用来将所述消息路由到所述号码转换服务器；所述号码转换服务器查找所述掩码对应的电话号码，并发送查找到的电话号码。利用上述方法可以使得用户的电话号码得到保密，以致使得个人信息也得到了安全保障。
一种号码转换服务器电话号码保密通信方法系统

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