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[发明专利]一种具有VDMOS和晶闸管的可编程过电压保护器件-CN202010501467.X有效
发明人：李泽宏;何云娇;王彤阳;莫家宁;蒲小庆;程然;王志明;任敏;张金平;高巍;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有VDMOS和晶闸管的可编程过电压保护器件，属于功率半导体技术领域。该可编程过电压保护器件利用两个VDMOS分别为两个NPNP晶闸管提供独立控制，VDMOS的栅端与负电源电压连接；或者，利用两个VDMOS分别为两个PNPN晶闸管提供独立控制，VDMOS的栅端与正电源电压连接，当电话线上负电压低于电源电压一个阈值电压或正电压高于电源电压一个阈值电压时，器件开启并将传输线上浪涌产生的过电压传导到地，从而保护用户线接口电路(SLIC)免受雷击等因素引起的浪涌过电压，实现单向可编程保护，利用VDMOS纵向结构且为单极型器件的特点，可使本发明功耗低，温度特性好，可编程的输入电压的范围更广泛，且浪涌电压的承受能力更强。
一种具有 vdmos 晶闸管可编程过电压保护器件

[实用新型]一种输送带张紧装置及带式输送机-CN202122663323.7有效
发明人：冯煜;唐国参;李开鹏;覃洪汉;王万康;韦小荣;莫家宁;黄耀果;蒙志勇;王俊文 -专利权人：广西中烟工业有限责任公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： B65G23/44 文献下载
摘要：本实用新型提供一种输送带张紧装置及带式输送机，输送带张紧装置的结构包括输送带；主动辊，设置在所述输送带的一端；从动辊，设置在所述输送带的另一端；以及调整机构，与所述从动辊相连接，从而能够调整所述从动辊与所述主动辊之间的距离。该输送带张紧装置能够解决如何在检测到打滑现象时及时的对输送带施加以合适的张紧力的问题。
一种输送带装置输送

[发明专利]一种JFET触发的可编程双向抗浪涌保护器件-CN202010500385.3有效
发明人：李泽宏;何云娇;王彤阳;莫家宁;蒲小庆;程然;王志明;任敏;张金平;高巍;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种JFET触发的可编程双向抗浪涌保护器件，属于功率半导体技术领域，用于保护SLIC免受因雷电等因素引起的浪涌过电压干扰。该保护器件由两个保护单元组成，包括四个JFET和四个晶闸管。四个分立的JFET分别为每个晶闸管保护部分提供独立控制，JFET的栅端分别与SLIC负电源电压及正电源电压相连，当电话线上正电压增加使得正电源电压与电话线正电压差值低于设定的夹断电压或者当电话线上负电压减小使得负电源电压与电话线负电压差值高于设定的夹断电压时，器件开启并将浪涌传导到地，实现可编程双向保护。本发明JFET工艺与晶闸管工艺兼容，易于单片集成；且JFET输入阻抗高，为单极型器件，使本发明器件整体噪声小，功耗低，温度特性好，对浪涌响应更快。
一种 jfet 触发可编程双向浪涌保护器

[发明专利]一种具有SGT和晶闸管的可编程过电压保护器件-CN202010500402.3有效
发明人：李泽宏;何云娇;程然;王志明;王彤阳;莫家宁;蒲小庆;任敏;张金平;高巍;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有SGT和晶闸管的可编程过电压保护器件，属于功率半导体技术领域。该可编程过电压保护器件利用两个SGT分别为两个NPNP晶闸管提供独立控制，SGT的栅端与负电源电压连接；或者，利用两个SGT分别为两个PNPN晶闸管提供独立控制，SGT的栅端与正电源电压连接，当电话线上负电压低于电源电压一个阈值电压或正电压高于电源电压一个阈值电压时，器件开启并将浪涌传导到地，从而实现对传输电话线上后续电路的保护。SGT采用沟槽栅及屏蔽栅结构，耐压更高，导通电阻更低，且低的栅漏电容提升了器件的开关速度和降低了器件的开关损耗，使得本发明的可编程输入电压范围更广，开关速度更快且功耗更低，可以对两条传输电话线上的浪涌过电压更快响应。
一种具有 sgt 晶闸管可编程过电压保护器件

[发明专利]一种具有U-MOSFET和晶闸管的可编程过电压保护器件-CN202010500408.0有效
发明人：李泽宏;何云娇;王志明;程然;王彤阳;莫家宁;蒲小庆;任敏;张金平;高巍;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有U‑MOSFET和晶闸管的可编程过电压保护器件，属于功率半导体技术领域。该可编程过电压保护器件利用两个U‑MOSFET分别为两个NPNP晶闸管提供独立控制，U‑MOSFET的栅端与负电源电压连接；或者，利用两个U‑MOSFET分别为两个PNPN晶闸管提供独立控制，U‑MOSFET的栅端与正电源电压连接，当电话线上负电压低于电源电压一个阈值电压或正电压高于电源电压一个阈值电压时，器件开启并将传输线上浪涌产生的过电压传导到地，从而实现对用户线接口电路的单向可编程保护。U‑MOSFET的沟槽栅结构减小了器件导通电阻，且为单极型器件，使得本发明功耗更低，温度稳定性更高，且高的开关速度使其对浪涌响应更快，另外U‑MOSFET与晶闸管工艺兼容，易于集成。
一种具有 mosfet 晶闸管可编程过电压保护器件

[发明专利]一种LDMOS触发的可编程单向保护器件-CN202010501486.2有效
发明人：李泽宏;何云娇;莫家宁;王彤阳;蒲小庆;程然;王志明;任敏;张金平;高巍;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种LDMOS触发的可编程单向保护器件，属于功率半导体技术领域。该单向保护器件通过一个由LDNMOS和NPNP晶闸管组成的负向保护结构提供电话线上负向浪涌保护；或者通过一个由LDPMOS和PNPN晶闸管组成的正向保护结构提供电话线上正向浪涌保护，避免了SLIC受到雷电等因素造成的浪涌冲击而损坏整机系统。另外，与已有的半导体抗浪涌保护器件相比，本发明LDMOS工艺与晶闸管工艺兼容，可单片集成；且LDMOS为单极型器件，相比使用三极管，功耗更低，开关速度也更快，利于该保护器件对浪涌更快响应且实现有效防护，此外，LDMOS有较好的温度特性，可防止热耗散的影响。
一种 ldmos 触发可编程单向保护器件

[实用新型]一种管道用过滤装置及管道-CN202122518195.7有效
发明人：李开鹏;周健;覃洪汉;腾居兵;莫家宁;李景欣;冯煜;黄耀果;蒙志勇;夏柳泉 -专利权人：广西中烟工业有限责任公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： B01D46/24 文献下载
摘要：本实用新型提供一种管道用过滤装置及管道，管道用过滤装置的结构包括：底座，所述底座的中心设有开孔，所述底座安装有用于使待过滤的流体流通的管道，使得所述开孔与所述管道连通；以及过滤部，所述过滤部设置于所述底座，所述过滤部开设有与所述底座的开孔连通的中心开孔，所述过滤部形成有多个过滤孔。该管道用过滤装置能够解决如何对管道进行过滤的问题。
一种管道过滤装置

[发明专利]具有氮化硅阻挡层的SGT器件及制备方法-CN202110477496.1有效
发明人：李泽宏;莫家宁;王彤阳;叶俊;肖璇 -专利权人：电子科技大学;无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种具有氮化硅阻挡层的SGT器件及制备方法，包括从下至上依次层叠设置的金属化漏极、N+衬底、N‑漂移区和金属化源极；N‑漂移区中具有沟槽栅结构、P型掺杂区、P+重掺杂区和N+重掺杂区；沟槽栅结构包括氧化层、控制栅电极、氮化硅阻挡层和屏蔽栅电极；当器件正向导通时，控制栅电极接正电位，金属化漏极接正电位，金属化源极接零电位；当器件反向阻断时，控制栅电极和金属化源极短接且接零电位，金属化漏极接正电位；本发明具有较大的正向电流、较小的阈值电压、较小的导通电阻等特性，并且有效解决了SGT击穿电压不稳定的可靠性问题。
具有氮化阻挡 sgt 器件制备方法

[发明专利]带有MOS单元和电压感测及控制单元的半导体器件-CN202011017870.1有效
发明人：李泽宏;林雨乐;杨洋;赵一尚;李陆坪;莫家宁;何云娇;胡汶金;王彤阳 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种带有MOS单元和电压感测及控制单元的半导体器件，包括MOS单元和电压感测及控制单元，两个单元共用部分器件结构，共用结构包括：第二导电类型半导体漏极区、位于第二导电类型半导体集电极区上表面的第二导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体集电极区下表面连接的漏极金属电极；本发明在电压感测及控制单元中设置电压采样感测区和采样控制区，对漏极电压实现可控的采样；在器件进行电压采样时，当漏极电压增大到某一电压时，电压采样感测区的电压开始随着漏极电压的进一步增加而增加，检测电压采样感测区的电压，来反映漏极电压，并通过改变电压采样控制区的电压来改变电压采样的起始点，实现一个可控制的电压采样。
带有 mos 单元电压控制半导体器件

[发明专利]带有IGBT单元和电流电压感测及控制单元的半导体器件-CN202011017881.X有效
发明人：李泽宏;杨洋;林雨乐;赵一尚;李陆坪;莫家宁;何云娇;胡汶金;王彤阳 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种带有IGBT单元和电流电压感测及控制单元的半导体器件，该半导体器件包括IGBT单元和电流电压感测及控制单元，两个单元共用部分器件结构，共用结构包括第一导电类型半导体集电极区、位于第一导电类型半导体集电极区上表面的第二导电类型半导体缓冲层、第二导电类型半导体缓冲层上表面的第二导电类型半导体漂移区；本发明在电流电压感测及控制单元中设置电流、电压采样感测区和采样控制区，其中电压采样与电流采样所使用的感测区与控制区相反，感测电极与采样电极在两种情况下也互为相反使用，对集电极电压和流经器件的电流实现可控的采样。
带有 igbt 单元电流电压控制半导体器件

[实用新型]一种清洗装置、热交换器检修口盖板以及松散回潮机-CN202122263273.3有效
发明人：李开鹏;冯煜;覃加杰;覃洪汉;李景欣;韦小荣;王万康;莫家宁;黄耀果;蒙志勇 -专利权人：广西中烟工业有限责任公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： A24B3/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种清洗装置、热交换器检修口盖板以及松散回潮机。所述清洗装置包括连接部、进水管和喷嘴。所述连接部用于贯穿开设在所述热交换器检修口盖板上的开口；所述进水管的第一端连接到外部水源，所述进水管的第二端安装在所述连接部的在所述松散回潮机的热交换器检修口盖板外的第一端；所述喷嘴安装在所述连接部的伸入所述松散回潮机的热交换器检修口盖板内的第二端。根据本实用新型的清洗装置、热交换器检修口盖板以及松散回潮机，不再需要工人手动进行热交换器的保养，能够节省大量的人工保养烟草生产中清洗热交换器时的时间，并且保证生产中的回风温度稳定。
一种清洗装置热交换器检修口盖以及松散回潮

[实用新型]一种双介质喷嘴喷射角度的调整装置及烟草加工装置-CN202122196901.0有效
发明人：冯煜;李开鹏;滕居兵;黄啟华;甘永生;覃加杰;覃洪汉;侯文华;莫家宁;黄耀果 -专利权人：广西中烟工业有限责任公司
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： B05B15/68 文献下载
摘要：本实用新型提供一种双介质喷嘴喷射角度的调整装置及烟草加工装置。双介质喷嘴喷射角度的调整装置的结构包括：第一连接件，用于与滚筒类设备连接，第二连接件，其一端与第一连接件活动连接，能够相对于第一连接件沿第一方向移动，以及第三连接件，其与第二连接件活动连接，使得所述第三连接件能够相对于所述第二连接件沿第二方向和第三方向移动，双介质喷嘴可枢转地设置在第三连接件的一端，第一方向、第二方向和第三方向构成坐标系。该双介质喷嘴喷射角度的调整装置能够解决双介质喷嘴受到外力碰撞时容易发生偏转且在生产过程中喷射的角度无法进行调整的问题。
一种介质喷嘴喷射角度调整装置烟草加工

[实用新型]一种具有介质保护层的SGT器件-CN202023234842.3有效
发明人：李泽宏;莫家宁;黄龄萱;李伟聪;姜春亮;林泳浩 -专利权人：深圳市威兆半导体有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开一种具有介质保护层的SGT器件，包括：第一导电类型的衬底、第一导电类型的漂移区、沟槽，所述沟槽内设有控制栅电极和屏蔽栅电极，且控制栅电极位于屏蔽栅电极的上方；还包括第一介质层，填充于第一介质层与沟槽内壁之间的介质保护层、第二介质层、第二导电类型的基区、源极金属、第三介质层；所述第二导电类型的基区上设有并排的第一导电类型的重掺杂区与第二导电类型的重掺杂区，且第一导电类型的重掺杂区靠近第二介质层设置。本实用新型引入氧化铝介质保护层，有效抑制由于界面俘获空穴引起的SGT雪崩击穿不稳定性，使实际应用中的SGT可靠性增加。
一种具有介质保护层 sgt 器件

[实用新型]一种具有PSG介质保护层的SGT器件-CN202023248067.7有效
发明人：李泽宏;莫家宁;刘小菡;李伟聪;姜春亮;林泳浩 -专利权人：深圳市威兆半导体有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开一种具有PSG介质保护层的SGT器件，包括：第一导电类型的衬底、第一导电类型的漂移区、沟槽；所述沟槽内设有控制栅电极和屏蔽栅电极，且控制栅电极位于屏蔽栅电极的上方；还包括PSG介质保护层，位于沟槽内壁并填充在屏蔽栅电极的底部及侧面；还包括第一介质层、第二导电类型的基区、第一导电类型的重掺杂区、第二导电类型的重掺杂区、源极金属、第二介质层。本实用新型使用掺磷的PSG作为屏蔽栅介质层，起屏蔽空穴的作用，有效抑制由于界面俘获空穴引起的SGT雪崩击穿不稳定性。
一种具有 psg 介质保护层 sgt 器件

[发明专利]一种具有接地P型区的SGT器件及其制备方法-CN202010201303.5在审
发明人：李泽宏;莫家宁;何云娇;任敏;高巍;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有接地P型区的SGT器件，属于功率半导体技术领域。本发明的一种具有接地P型区的SGT器件，通过引入接地P型区，形成空穴抽取通路，消除热空穴对沟槽栅氧化层的去钝化作用；接地P型区与漂移区形成的PN结在器件阻断状态下反偏，降低沟槽底部的电场峰值，减少热空穴的产生。采用本发明可以具有较大的正向电流、较小的阈值电压、较小的导通电阻等特性，并且有效解决了SGT击穿电压不稳定的可靠性问题，同时，本发明还具有屏蔽栅结构的优点。此外，本发明还涉及一种具有接地P型区的SGT器件的制备方法。
一种具有接地 sgt 器件及其制备方法

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