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[发明专利]一种用于精密工件台的高度微调支撑装置-CN202311118714.8在审
发明人：张超;范江华;陈李松;刘千伍;叶文龙 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B25H1/16 文献下载
摘要：本发明公开一种用于精密工件台的高度微调支撑装置，该装置设置在精密工件台底板下，包括：由下而上依次设置在安装底板上的底座和锁紧盖，锁紧盖内设有沿竖直方向贯穿锁紧盖的微调机构以及与微调机构传动连接的楔块调节机构，微调结构顶部与精密工件台底板连接，楔块调节机构包括滑动设置在微调机构与底座之间的楔形块以及贯穿底座侧壁且与楔形块的一端传动连接的微调螺钉，微调螺钉通过楔形块对微调机构的高度进行调整，以实现精密工件台的高度微调。本发明具有结构紧凑、装调方便、稳定性高、调节精度高且操作空间需求小等优点，解决了现有调节支撑装置适用的载重较小、调节精度低、需要较大的操作空间、调节操作复杂等问题。
一种用于精密工件高度微调支撑装置

[实用新型]一种方便使用的VR仪器-CN202321082385.1有效
发明人： 范江华;辛芃堃 -专利权人： 范江华;辛芃堃
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G02B27/01 文献下载
摘要：本申请公开了一种方便使用的VR仪器，包括VR设备、固定垫、连接结构一、套带结构和连接结构二，所述VR设备的正面外侧壁上固定连接固定垫，所述固定垫呈环形结构，所述VR设备左右两侧的侧壁上设置有连接结构一。本申请将耳套带套在脸颊两侧的耳后，将连接带一上的魔术贴二粘贴到连接到二上的魔术贴一上，便于较好的将VR设备绑在头部，防止VR设备掉落，本申请套带可避免连接带一和连接带二从头的顶部翻起，连接带三和连接带四将拉住连接带一和连接带二，避免连接带一和连接带二被套带拉的过于向下，便于较好的平衡连接带一和连接带二，使得连接带一和连接带二不会翻起或者过度向下。
一种方便使用 vr 仪器

[发明专利]一种适用于异形曲面工件的多工位旋转工件台-CN202110135993.3有效
发明人：佘鹏程;龚俊;张双景;范江华;罗超 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于异形曲面工件的多工位旋转工件台，包括公转转盘、与公转转盘相连的转轴组件、以及与转轴组件相连的驱动机构，所述公转转盘上方沿圆周方向设有多个安装座，所述安装座上设有用于带动工件旋转的自转转轴，所述公转转盘下方设有旋转驱动件，所述旋转驱动件通过一万向软轴与所述自转转轴相连。本发明具有可减少工件装载抽真空的时间，避免电机被镀膜、烘烤导致故障等优点。
一种适用于异形曲面工件多工位旋转

[发明专利]基于电子束直写T型栅的GaAs器件结构及其制备方法和GaAs器件-CN202310214100.3在审
发明人：金磊;孙勇;范江华;陈章隆;张超;李瑫;陈李松 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电子束直写T型栅的GaAs器件结构及其制备方法和GaAs器件，该结构包括GaAs衬底和T型栅极，GaAs衬底上由下至上依次生长有GaAs缓冲层、AlGaAs二维电子气层、AlGaAs间隔层、n‑AlGaN电荷层及硅掺杂GaAs帽层，硅掺杂GaAs帽层中开有窗口，T型栅极通过窗口设于n‑AlGaN电荷层上。其制备方法包括在GaAs衬底上制备上述各膜层和T型栅极。本发明中，各膜层功函数与衬底匹配好，有利于降低电容、提高载流子迁移率和射频特性，能够有效实现GaAs基器件的高频属性，其制备方法具有工艺简单、易于操作、图形尺寸精确可控等优点，与传统工艺相兼容。
基于电子束 gaas 器件结构及其制备方法

[发明专利]一种石英谐振子修平设备的多工位工件台-CN202110244963.6有效
发明人： 范江华;佘鹏程;彭浩;周波;刘宇;张双景 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种石英谐振子修平设备的多工位工件台，包括真空腔室、自转轴、用于带动自转轴升降的升降驱动机构、位于真空腔室内的公转转盘、以及多个沿公转转盘圆周方向布置的测试夹具，所述测试夹具的中心轴延伸至所述公转转盘的下方，所述自转轴上端延伸至所述真空腔室内并设有用于抱紧所述中心轴的抱紧机构。本发明具有结构简单、可靠，有利于提高生产效率和工艺一致性等优点。
一种石英谐振子设备多工位工件

[发明专利]一种用于离子源的条形栅网组件-CN202110268293.1有效
发明人：龚俊;范江华;佘鹏程;张双景;石任凭 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于离子源的条形栅网组件，包括由上至下间隔布置的地栅网、加速栅网和屏栅网，所述地栅网对应设有用于安装地栅网的地栅法兰，所述加速栅网对应设有包括用于安装加速栅网的加速栅法兰，所述屏栅网对应设有用于安装屏栅网的屏栅法兰，所述屏栅法兰、加速栅法兰和地栅法兰三者相连，所述地栅网、加速栅网和屏栅网均为条形。本发明由于地栅网、加速栅网和屏栅网均为条形结构，那么栅网下方可以沿着栅网长度方向放置多个基片，在刻蚀时沿栅网长度垂直方向往复运动，提高刻蚀的均匀性，这样每次刻蚀的基片数量多，产能高。
一种用于离子源条形组件

[发明专利]一种用于红外金属膜的离子束沉积设备及薄膜沉积方法-CN202011064841.0有效
发明人：罗超;胡凡;范江华;程文进;陈特超 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于红外金属膜的离子束沉积设备及薄膜沉积方法，该设备包括装卸片腔室和溅射腔室，设在二者之间设有第一高真空隔离阀，装卸片腔室设有真空密封门，真空密封门中贯穿有推进杆，推进杆于真空密封门内侧的一端设有工件台，真空密封门外侧设有用于推动推进杆的推进机构，装卸片腔室连接有第一抽真空装置。薄膜沉积方法采用上述设备进行薄膜沉积。本发明中，设置的装卸片腔室，能够减少溅射腔室的开腔和抽真空次数，缩短抽真空时间，提高产能，能使溅射腔室内始终保持真空环境，减少烧靶次数，提高靶材的利用率。本发明离子束沉积设备具有产能高、靶材利用率高等优点，能够广泛用于沉积红外金属膜，有着很高的使用价值和应用前景。
一种用于红外金属膜离子束沉积设备薄膜方法

[发明专利]一种磁控溅射镀膜设备-CN201911094733.5有效
发明人：佘鹏程;范江华;罗超;陈庆广;龚俊 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁控溅射镀膜设备，包括缓存腔、传送腔、至少一个工艺腔、以及设于缓存腔和传送腔之间的过渡腔，所述缓存腔和所述传送腔内均设有传片机械手，所述过渡腔内设有冷却台以及与冷却台同轴布置的双层片架，过渡腔靠近缓存腔和传送腔的侧壁上均设有传片通道，所述传片通道的高度大于冷却台台面的高度，所述双层片架连接有升降驱动机构，所述升降驱动机构与所述过渡腔之间密封配合。本发明具有结构简单、成本低，能够实现缓存腔和传送腔之间的互联，并保证传送效率等优点。
一种磁控溅射镀膜设备

[外观设计]复合膜层生长设备-CN202230379089.2有效
发明人：龚俊;佘鹏程;范江华;罗超 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：复合膜层生长设备。2.本外观设计产品的用途：用于制备复合膜层。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
复合生长设备

[发明专利]一种磁控溅射机台-CN201911037058.2有效
发明人：佘鹏程;胡凡;陈庆广;范江华;彭浩 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁控溅射机台，包括缓存腔、传送腔、以及设于缓存腔和传送腔之间的过渡腔，所述过渡腔内设有冷却台以及与冷却台同轴布置的双层片架，过渡腔靠近缓存腔和传送腔的侧壁上均设有传片通道，所述传片通道的高度大于冷却台台面的高度，所述双层片架连接有升降驱动机构，所述升降驱动机构与所述过渡腔之间密封配合。本发明具有结构简单、成本低，能够实现缓存腔和传送腔之间的互联，并保证传送效率等优点。
一种磁控溅射机台

[发明专利]一种基片预清洗腔室-CN202010476666.X有效
发明人：佘鹏程;范江华;龚俊;罗超 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种基片预清洗腔室，包括腔体，所述腔体下部设有带射频功率的基座，所述基座外侧依次设有绝缘环和屏蔽环，所述基座上方设有进气板，所述腔体上部与所述进气板之间连接有环形连接件，所述进气板上设有挡板，所述腔体上部设有进气口，所述进气口、挡板、进气板及基座同轴布置，所述进气板上均匀设有多个匀气孔，所述挡板侧面设有多个沿圆周方向均匀布置并与下方的匀气孔连通的连通孔，所述屏蔽环与腔体的侧壁之间设有排气环，所述排气环上沿圆周方向均匀设有多个排气孔，所述腔体下部于所述排气环下方设有至少一个排气口。本发明具有结构简单、可靠，清洗均匀性、稳定性好等优点。
一种基片预清洗

[发明专利]一种用于刻蚀的圆形离子源-CN202110290430.1在审
发明人：龚俊;佘鹏程;范江华 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：用于刻蚀的圆形离子源，包括放电弧室，放电弧室底部设有第一磁场组件，第一磁场组件外周设有第二磁场组件，放电弧室外周设有第三磁场组件且顶部设有栅网组件，第一磁场组件包括磁柱盘，磁柱盘上沿径向设有多圈磁柱孔，磁柱孔中设有第一磁柱且各圈第一磁柱靠近放电弧室的一侧设有第一导磁环，第二磁场组件包括第二导磁环、位于第二导磁环外周的第三导磁环及多根沿圆周方向布置于第二导磁环和第三导磁环之间的第二磁柱，第二磁柱沿径向布置，第三磁场组件包括第四导磁环、位于第四导磁环上方的第五导磁环、及多组沿圆周方向布置于第四导磁环和第五导磁环之间的第三磁柱。本发明有利于调节放电弧室内磁场强度，进而调节大直径范围内的刻蚀均匀性。
一种用于刻蚀圆形离子源

[发明专利]一种半导体设备传送平台-CN202210242307.7在审
发明人：佘鹏程;龚俊;罗超;范江华 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体设备传送平台，包括装卸片腔体、传送腔体和传片机械手，传送腔体为多边形结构，传送腔体的每一边均设有外接法兰口，装卸片腔体与其中一个外接法兰口连接，传片机械手设于传送腔体内并可活动于各外接法兰口之间，传送腔体顶部设有顶盖和可驱动顶盖打开的翻盖机构，顶盖上对应各外接法兰口的位置设有第一透明窗口，每个第一透明窗口上设有用于检测传片机械手是否有晶片的有无晶片检测元件。本发明通过设置一个多接口的传送腔体，可以与装卸片腔体和多个工艺腔体接通，机械手在传送腔体内旋转可将晶片送至各个腔体内，从而可以一次进行多个晶片的工艺，大大提高了晶片生产效率。
一种半导体设备传送平台

[发明专利]一种离子束镀膜设备及其镀膜方法-CN202110063794.6有效
发明人： 范江华;佘鹏程;周立平;巴塞;袁祖浩;程文进 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子束镀膜设备及其镀膜方法，该设备包括传送腔室和连接在传送腔室上的装卸片腔室、镀膜腔室和清洗腔室，它们之间设有隔离阀，传送腔室内设有转运机构。镀膜方法采用的是上述设备进行镀膜处理。本发明中，装卸片腔室，用于存放不同类型的基片，传送腔室，实现基片在装卸片腔室、镀膜腔室和清洗腔室之间的转运，镀膜腔室，可实现对多个基片进行同时镀膜，也可实现多种类型膜层的制备，清洗腔室，可去除基片表面的脏污及氧化物，提高薄膜与基片之间的附着力。本发明离子束镀膜设备可实现基片的连续清洗和连续镀膜，可实现连续生产，提高生产效率，降低生产成本，能够满足基片(如红外器件)对大尺寸、低损伤、低温镀膜工艺的要求。
一种离子束镀膜设备及其方法

[发明专利]一种用于深孔PVD的金属自离子化装置及镀膜方法-CN202210242955.2在审
发明人：佘鹏程;程文进;范江华;黄也;罗超 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请提供了一种用于深孔PVD的金属自离子化装置及镀膜方法，包括溅射腔体、基片台、溅射组件、绝缘环、适配板和离子化线圈组件，适配板位于溅射腔体上部，溅射组件位于溅射腔体顶部，溅射组件通过绝缘环与适配板绝缘密封布置，基片台位于溅射腔体内，离子化线圈组件位于溅射腔体内，位于基片台和溅射组件之间，离子化线圈组件包括离子化线圈，溅射组件包括溅射靶材，溅射靶材的材质与离子化线圈相同；基片台与第一射频电源连接；离子化线圈与第二射频电源连接。其制备方法是采用以上装置进行镀膜处理。本申请金属自离子化装置，具有结构简单、镀膜均匀性好、沉积效率高等优点，可以实现深孔孔洞中阻挡层薄膜的沉积，使用价值高，应用前景好。
一种用于 pvd 金属离子化装置镀膜方法

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