“英飞凌科技奥地利有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1177个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体封装及其制造方法-CN202310473532.6在审
发明人： A·格拉斯曼;I·尼基廷 -专利权人： 英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种半导体封装包括基板；布置于基板上的第一半导体管芯和第二半导体管芯；包封第一半导体管芯和第二半导体管芯的模制主体，该模制主体包括背离基板的第一外侧；多个至少部分穿过模制主体从第一外侧延伸到第一半导体管芯和/或第二半导体管芯的电连接器；布置于模制主体内的第一侧外侧上的沟槽中的多个镀敷导电轨道，导电轨道通过电连接器耦接到第一半导体管芯和/或第二半导体管芯。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]多相位电压调节器中的动态切换频率控制-CN201811180341.6有效
发明人：游志青;A·巴巴扎德赫;郭晶虹;T·吴;B·唐 -专利权人： 英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：一种多相位电压调节器包括多个相位和控制器。每个相位都被配置为响应于输入至相位的控制信号而通过电感器向负载输出相位电流。控制器可操作为：生成输入至相位的控制信号；将控制信号的切换频率设置为第一值；以及如果负载电流在处于切换频率的第一值的预定范围内的频率处重复地改变，则将切换频率从第一值变为不同于第一值的第二值。还提供了操作多相位电压调节器的对应方法。
多相电压调节器中的动态切换频率控制

[发明专利]用于操作功率晶体管电路的方法-CN202310429663.4在审
发明人： C·法赫曼;M-A·库查克;O·维登鲍尔;W·凯因德尔;H·韦伯 -专利权人： 英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03K17/0814 文献下载
摘要：公开了一种用于操作功率晶体管电路的方法。该方法包括关断电子电路中的功率晶体管电路(1)。该电子电路包括电源(2)、负载电路(3)以及连接于电源(2)和负载电路(3)之间的功率晶体管电路(1)。关断功率晶体管电路(1)包括使功率晶体管电路(1)中包括的至少一个功率晶体管(10；101‑10n)在雪崩模式下操作，从而使得在该至少一个功率晶体管中耗散在关断功率晶体管电路(1)之前存储于电子电路中的能量的至少一部分。
用于操作功率晶体管电路方法

[发明专利]用于双向转换器的电路、双向转换器及其操作方法-CN202210323640.0在审
发明人：施三保;张兴胜;陈跃;张城 -专利权人： 英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：公开了一种用于双向直流至直流转换器的电路、双向直流至直流转换器和用于操作双向直流至直流转换器的方法。该电路包括：第一输入端子和第二输入端子，其用于接收直流输入；直流输出端子；第一开关和第二开关；第一控制接口，其控制第一开关的导通和关断；第二控制接口，其控制第二开关的导通和关断；第一初级绕组，其与第一开关串联耦接在第一输入端子与公共端子之间；第二初级绕组，其与第二开关串联耦接在第二输入端子与公共端子之间；和公共次级绕组，其一端耦接至直流输出端子。
用于双向转换器电路及其操作方法

[发明专利]用于分离同一半导体管芯上的不同晶体管区的隔离结构-CN202310403144.0在审
发明人：马凌;R·哈泽;T·亨森 -专利权人： 英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上的外延层或层堆叠；多个第一类型的晶体管单元，所述多个第一类型的晶体管单元形成在所述外延层或层堆叠的第一区中并且并联电耦合以形成垂直功率晶体管；多个第二类型的晶体管单元，所述第二类型不同于所述第一类型，并且所述多个第二类型的晶体管单元形成在所述外延层或层堆叠的第二区中；以及隔离结构，所述隔离结构横向且垂直地界定所述外延层或层堆叠的所述第二区。所述隔离结构的侧壁和底部包括电介质材料，所述电介质材料将所述外延层或层堆叠中的所述多个第二类型的晶体管单元与所述多个第一类型的晶体管单元电隔离。还描述了制造半导体器件的方法。
用于分离同一半导体管芯不同晶体管区隔离结构

[发明专利]电源装置和控制方法-CN202310306258.3在审
发明人：阿尔弗雷多·梅迪纳-加西亚;马丁·克吕格尔 -专利权人： 英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：公开了一种电源装置和控制方法。电源装置包括控制器。控制器控制电源装置中的第一开关和第二开关的切换，以调节从变压器的初级绕组到变压器的次级绕组的能量传送，从而产生输出电压。为了控制输出电压的生成，控制器接收在将第一开关与第二开关耦接的第一节点处生成的第一信号。如本文所讨论的，控制器根据第一信号的幅度控制第一开关激活为接通状态。本公开内容提供电源部件(例如一个或更多个开关)的改进的可靠性，这是因为此类部件不再受到由于体二极管交叉导通而带来的应力(或过应力)。
电源装置控制方法

[发明专利]控制器、反激式转换器和控制反激式转换器的方法-CN202310335704.3在审
发明人：阿尔弗雷多·梅迪纳-加西亚 -专利权人： 英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：公开了控制器、反激式转换器和控制反激式转换器的方法。其中，控制器用于反激式转换器并且被配置成对反激式转换器的半桥的高侧开关和低侧开关进行控制，控制器包括控制逻辑，控制逻辑被配置成：基于峰值电流控制方案对反激式转换器的半桥的高侧开关和低侧开关之一进行控制；基于阈值对高侧开关和低侧开关之一的接通时间进行限制；并且在已经基于阈值对高侧开关和低侧开关之一的接通时间进行限制达预定次数的情况下触发保护机制。
控制器反激式转换器控制方法

[发明专利]用于量子计算的多维电极控制器-CN202310369415.5在审
发明人： W·弗特纳 -专利权人： 英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G06N10/20 文献下载
摘要：一种用于多维离子穿梭的方法和装置，该装置包括具有第一通道元件的第一穿梭通道、具有第二通道元件的第二穿梭通道、沿着第一移动通道的第一电极元件、沿着第二移动通道的第二电极元件、连接到第一电极元件和第二电极元件中的每一个的电极控制电路、以及连接到第一电极元件和第二电极元件中的每一个的电压控制电路，其中，第二穿梭通道与第一穿梭通道相交。电压控制电路根据来自电极控制电路的信令而选择性地将至少一个电压提供至第一电极元件和第二电极元件中的一个或多个电极元件，并且该至少一个电压控制离子沿着第一穿梭通道或第二穿梭通道中的至少一个的移动。
用于量子计算多维电极控制器

[发明专利]驱动PMOS和NMOS全桥功率级的高效概念-CN202310310755.0在审
发明人： D·伯纳唐 -专利权人： 英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及驱动PMOS和NMOS全桥功率级的高效概念。一种电路，可以是全桥驱动电路，包括第一PMOS高侧晶体管器件和第一NMOS低侧晶体管器件。该电路还包括导通电路装置，其被配置为：通过将存储在第一PMOS高侧晶体管器件的栅极中的电荷路由到第一NMOS低侧晶体管器件的栅极，导通第一PMOS高侧晶体管器件、同时导通第一NMOS低侧晶体管器件，以对第一NMOS低侧晶体管器件的栅极充电。
驱动 pmos nmos 功率高效概念

[发明专利]开关电容转换器及其操作方法-CN201810756552.3有效
发明人：阿米尔·巴巴扎德;克里斯蒂安·雷纳;丹尼·克拉韦特;拉凯什·伦加纳坦 -专利权人： 英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：公开了一种开关电容转换器和操作开关电容转换器的方法。该开关电容转换器包括耦接在输入端与输出端处的整流器之间的多个支线。每个支线均包括电容器。第一组支线耦接至整流器的第一支路，并且第二组耦接至整流器的第二支路。开关装置连接至每个支线。控制器交替切换连接至第一组支线和第二组支线的开关装置，以将能量从输入端传输至输出端。基于指示通过每个开关装置的电流过零或几乎过零的过零信息来修改切换，使得连接至同一组支线的每个开关装置在通过该开关装置的电流过零或几乎过零时关断，并且保持关断状态直到连接至该组的所有开关装置均关断达预定的时间量为止。
开关电容转换器及其操作方法

[发明专利]晶体管器件-CN202310279860.2在审
发明人： C·阿尔斯塔特 -专利权人： 英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：在一个实施例中，提供了一种晶体管器件(10)，其包括半导体衬底(11)和金属化结构(20)，所述半导体衬底包括前表面(12)和有源区域(14)，其中，有源区域(14)包括多个有源晶体管单元(15)，每个有源晶体管单元(15)包括柱形沟槽(16)，该柱形沟槽包括场板(17)、台面(18)和栅电极(19)，所述金属化结构布置在前表面(12)上，金属化结构(20)提供栅极焊盘(21)和源极焊盘(22)。栅极焊盘(21)的至少一部分被布置在有源区域(14)上方。
晶体管器件

[发明专利]半导体器件和制备半导体器件的方法-CN202310294372.9在审
发明人：何红海;R·哈斯;H·奈克;T·亨森;A·米尔钱达尼 -专利权人： 英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：公开了半导体器件和制备半导体器件的方法。在实施例中，提供了一种半导体器件，其包括：用于对负载电流进行开关的竖向功率FET，功率FET包括第一导电类型的沟道区；以及提供用于驱动功率FET的栅极驱动器电路的输出级的第一横向FET和第二横向FET，其中第一横向FET包括第一导电类型的沟道区，并且第二横向FET包括与第一导电类型相反的第二导电类型的沟道区。功率FET以及第一横向FET和第二横向FET被单片地集成到包括第一表面的第一导电类型的半导体衬底中。第一横向FET的漏极和第二横向FET的源极被电耦合到功率FET的栅极。
半导体器件制备方法

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN202310300327.X在审
发明人： H·奈克;T·亨森;A·米尔钱达尼;R·哈斯;何红海 -专利权人： 英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：在实施例中，提供了一种半导体器件(1000)，半导体器件(1000)包括用于切换负载电流的竖直功率FET(21)和用于驱动竖直功率FET的横向FET(22)，其中，竖直功率FET(21)被配置成提供第一导电类型的沟道，其中，横向FET(22)被配置成提供与第一导电类型相反的第二导电类型的沟道。竖直功率FET(21)和横向FET(22)单片地集成到第一导电类型的半导体衬底(20)中，并且横向FET(22)的漏极(25)电耦合到竖直功率FET(21)的栅极(26)。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201910081894.4有效
发明人： G·普雷科托;O·黑伯伦;C·奥斯特梅尔 -专利权人： 英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2016-01-22 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及半导体器件。半导体器件包括基于III族半导体氮化物的沟道层、形成在沟道层上的基于III族半导体氮化物的势垒层、形成在沟道层中的二维电子气沟道、形成在势垒层上并且彼此横向间隔的第一电流电极和第二电流电极、以及形成在第一电流电极和第二电流电极之间的势垒层上的栅极结构。势垒层具有在第一电流电极和第二电流电极之间的对称形状的凹陷，对称形状的凹陷包括形成在势垒层的上表面的一部分中的第一凹陷部分以及形成在第一凹陷部分内的第二凹陷部分。栅极结构包括填充对称形状的凹陷的基于III族半导体氮化物的掺杂层，以及形成在与势垒层相对的掺杂层的上侧上的导电栅极电极。
半导体器件

[发明专利]D类音频放大器及其输出级功率消耗的降低方法-CN201810432353.7有效
发明人：米克尔·霍耶比 -专利权人： 英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H03F3/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种D类音频放大器及其输出级功率消耗的降低方法，该D类音频放大器包括用于接收音频信号并将音频信号转换为具有预定载波频率的调制音频信号的调制器。D类音频放大器还包括：输出级，该输出级包括在第一DC电源电压和第二DC电源电压之间级联耦接的多个功率晶体管；以及多个栅极驱动器，该多个栅极驱动器被配置为生成到所述多个功率晶体管的相应调制栅极驱动信号。控制器被配置为基于音频信号的电平来调节施加到输出级的第一功率晶体管的第一调制栅极驱动信号的电平。
音频放大器及其输出功率消耗降低方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 1177 条