专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]flip chip型VCSEL芯片及其制造方法-CN201910523733.6有效
  • 窦志珍;曹广亮;刘留;苏小平;韩春霞;林新茗 - 威科赛乐微电子股份有限公司
  • 2019-06-17 - 2021-04-27 - H01S5/024
  • 本发明涉及激光芯片技术领域,尤其涉及flip chip型VCSEL芯片及其制造方法,该VCSEL芯片包括由上至下设置的衬底、外延片,衬底上蚀刻有出光孔,外延片生长在衬底底面,外延片包括依次层叠设置的第一型反射层、量子阱、限制层和第二型反射层,第二型反射层、限制层、量子阱的侧壁被蚀刻至第一型反射层表面形成台柱,台柱上包覆有SiNx层,SiNx层在第二型反射层上成型有孔一,SiNx层的相对两侧分别生长有N‑contact和P‑contact,P‑contact和N‑contact相对设置成型有孔二,P‑contact和N‑contact的表面蒸镀有Sn层。N‑contact的材料包括但不限于AuGe、Au,P‑contact的材料包括但不限于Ti、Pt、Au。本发明的VCSEL芯片的散热路径无需通过衬底,可实现高效散热,达到热电分离的状态,从而提高了饱和电流,提高了功率效率及斜率效率。
  • flipchipvcsel芯片及其制造方法
  • [实用新型]一种露天煤矿储水坑-CN202020390852.7有效
  • 苏小平;苏磊;刘海军 - 准格尔旗昶旭煤炭有限责任公司
  • 2020-03-25 - 2021-02-09 - E03F5/10
  • 本实用新型公开了一种露天煤矿储水坑,包括设置在煤矿储水坑的坝体,该坝体外侧设置有一体的凸台,所述凸台上开有延伸到坝体内侧的U形放置槽,所述U形放置槽内放置有匹配的静置槽体,所述静置槽体内部均匀固定有若干个阶梯向下设置的隔板,所述隔板将静置槽体内分隔为若干个沉淀腔,本实用通过在坝体设置多级静置的静置槽体,不仅将开采坑内的积水混合的原煤进沉淀收集,减少原煤的浪费,而且还减少了储水坑内部原煤堆积,保证储水坑的正常稳定使用。
  • 一种露天煤矿储水
  • [发明专利]一种用于免疫共沉淀回收的试剂盒及其应用-CN202010980288.9在审
  • 苏小平;苏乐恒 - 上海泽恒生物科技有限公司
  • 2020-09-17 - 2021-02-02 - G01N33/539
  • 本发明适用于生物医学技术领域,提供了一种用于免疫共沉淀回收的试剂盒及其应用,该试剂盒包括清洗液、洗脱液、细胞裂解液、细胞交联液、免疫磁珠和稀释液;其中,细胞裂解液包括以下组分:三羟甲基氨基甲烷、十二烷基硫酸钠、乙二胺四乙酸;细胞交联液为多聚甲醛溶液;免疫磁珠为蛋白A磁珠和/或蛋白G磁珠;稀释液包括以下组分:十二烷基硫酸钠、聚乙二醇辛基苯基醚、乙二胺四乙酸、三羟甲基氨基甲烷、氯化钠。本发明提供的试剂盒,具有操作简单、回收周期短、回收效率高等特点,其能够有效解决了传统免疫共沉淀回收技术操作复杂、回收周期长,回收背景高的问题,从而可以扩大其在基因表达调控机制以及相关疾病中的应用。
  • 一种用于免疫共沉淀回收试剂盒及其应用
  • [发明专利]一种RNA pulldown的回收试剂盒及其应用-CN202010980295.9在审
  • 苏小平;苏乐恒 - 上海泽恒生物科技有限公司
  • 2020-09-17 - 2021-01-22 - C12Q1/6806
  • 本发明适用于生物医学技术领域,提供了一种RNA pulldown的回收试剂盒及其应用,该回收试剂盒包括回收磁珠、清洗液、洗脱液、细胞裂解液和细胞交联液;所述细胞裂解液包括以下组分:三羟甲基氨基甲烷、十二烷基硫酸钠、乙基苯基聚乙二醇、氯化镁、氯化钠;所述细胞交联液为多聚甲醛溶液。本发明提供的回收试剂盒,具有操作简单、回收周期短、回收效率高等特点,其能够显著降低非特异背景回收,缩短回收时间,提高基因检测的准确度,进而有效解决了传统RNA技术回收操作复杂、回收周期长,回收背景高的问题。
  • 一种rnapulldown回收试剂盒及其应用
  • [发明专利]一种精简外延倒装VCSEL芯片及其制造方法-CN201910528502.4有效
  • 窦志珍;曹广亮;刘留;苏小平;韩春霞;林新茗 - 威科赛乐微电子股份有限公司
  • 2019-06-18 - 2020-12-25 - H01S5/343
  • 本发明涉及电子芯片技术领域,公开了一种精简外延倒装VCSEL芯片及其制造方法,VCSEL芯片包括量子阱、第一过渡层和第二过渡层;第一过渡层上生长有第一欧姆接触层,第一欧姆接触层上生长有第一ODR柱,第一ODR柱上蒸镀有镜面层,镜面层的侧壁生长有SiO2保护层,镜面层上蒸镀有外延片键合层,外延片键合层上设置有Si片,Si片上蒸镀金属形成有P‑contact;第二过渡层上生长有第二欧姆接触层,第二欧姆接触层生长有第二ODR柱,第二ODR柱上蒸镀金属形成有N‑contact,N‑contact在第二ODR柱上表面设置有出光孔。本发明的制造方法中无较难控制的氧化工序,该芯片中的N‑contact直接连通外延片,减少了需要散热的部分,提高了功率效率和斜率效率,且ITO使电流扩展更加均匀,减少了横模的产生。
  • 一种精简外延倒装vcsel芯片及其制造方法
  • [发明专利]一种磷化铟晶片的位错测定方法-CN202010711466.8在审
  • 傅伟力;李勇;刘留;苏小平 - 威科赛乐微电子股份有限公司
  • 2020-07-22 - 2020-12-15 - G01N21/84
  • 本发明涉及半导体材料领域,公开了一种磷化铟晶片的位错测定方法,在位错腐蚀前先采用手工抛光液对磷化铟晶片进行手工抛光,手工抛光液由甲醇和液溴组成,甲醇和液溴的体积比为5:1,甲醇及液溴的质量分数均为99.5%。采用手工抛光液抛光过后的磷化铟晶片放入一号腐蚀液中腐蚀后冲洗干净,再放入二号腐蚀液中腐蚀,腐蚀完成后取出冲洗干净,干燥,利用光学显微镜测定EPD密度;一号腐蚀液中包含硫酸,硫酸的质量分数为98%,二号腐蚀液中包含氢溴酸,氢溴酸的质量分数为48%。本发明能够提高磷化铟腐蚀位错的效率及计算EPD数量的准确性。
  • 一种磷化晶片测定方法
  • [发明专利]一种蔷薇香精及制造方法-CN202010855386.X在审
  • 苏小平 - 浙江绿晶生物科技股份有限公司
  • 2020-08-24 - 2020-12-08 - C11B9/00
  • 本发明公开了一种蔷薇香精及制造方法,包括以下成分组成:丙二醇5‑30份、正戊醛1‑10份、己醛0.01‑5份、正戊醇0.01‑5份、乙酸叶醇酯0.1‑10份、己醇0.01‑5份、叶醇1‑10份、壬醛0.01‑5份、反2己烯醇0.01‑5份、糠醛0.01‑5份、2乙基己醇0.01‑5份、茶螺烷0.01‑5份、芳樟醇0.01‑5份、柠檬醛0.01‑5份、α松油醇0.01‑5份、乙酸香叶酯0.01‑5份、香茅醇0.01‑5份、橙花醇0.01‑5份、乙酸苯乙酯0.1‑10份。本发明通过这些成份组成,从而配制出具有天然蔷薇香气的蔷薇香精,明显降低生产成本,有良好的销售市场,调配的蔷薇香精香气柔和、饱满醇厚、品质稳定、风味自然,接近蔷薇的天然香气。
  • 一种蔷薇香精制造方法
  • [发明专利]一种晶片研磨油及其制备方法-CN202010711479.5在审
  • 周一;毕洪伟;刘留;苏小平 - 威科赛乐微电子股份有限公司
  • 2020-07-22 - 2020-11-17 - C09G1/04
  • 本发明公开了一种晶片研磨油及其制备方法,涉及半导体材料技术领域。本发明的一种晶片研磨油,所述研磨油包括以下质量百分比的原料:8%~10%壬二酸酰胺钠、8%~10%月桂二酸钠、10%~20%单乙醇胺、15%~25%三乙醇胺、35%~59%水,具体的,该研磨油包括一下质量百分比的原料:8%壬二酸酰胺钠、8%月桂二酸钠、10%单乙醇胺、25%三乙醇胺、49%水,且本发明的研磨油的制备方法为:按照比例,称取各原料,先将壬二酸酰胺钠加入水中,持续搅拌至完全溶解后,加入月桂二酸钠,搅拌溶解,再加入单乙醇胺、三乙醇胺搅拌均匀后得到研磨油。本发明公开了一种晶片研磨油及其制备方法,具有良好的防锈能力,能够有效防止研磨盘生锈,进而保证了磷化铟晶片研磨质量。
  • 一种晶片研磨及其制备方法
  • [外观设计]芯片(2)-CN201930313092.2有效
  • 曹广亮;窦志珍;苏小平 - 威科赛乐微电子股份有限公司
  • 2019-06-17 - 2020-11-03 - 14-99
  • 1.本外观设计产品的名称:芯片(2)。2.本外观设计产品的用途:本外观设计产品用于电路控制的芯片。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片:主视图。5.无设计要点,省略后视图;本外观设计产品为薄型产品,省略左视图;本外观设计产品为薄型产品,省略右视图;本外观设计产品为薄型产品,省略俯视图;本外观设计产品为薄型产品,省略仰视图。
  • 芯片

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