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[发明专利]用于离子注入系统的主动工件加热或冷却-CN201880005293.9在审
发明人：约瑟夫·费拉拉;布瑞·泰瑞;约翰·巴格特 -专利权人： 艾克塞利斯科技公司
申请日： 2018-01-10 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于离子注入系统的加热夹盘，其选择性将工件夹持至具有加热器的承板，以选择性加热夹持表面。加热夹盘的基板与承板之间的间隙包含传热介质。冷却流体源耦合至基板中的冷却通道。控制器以第一模式和第二模式操作加热夹盘。在第一模式下，控制器不激活加热器并使冷却流体流过冷却通道，其中热量通过传热介质传递到冷却流体。在第二模式下，控制器激活加热器并可选地从冷却通道中清除冷却流体或以其他方式改变其冷却能力。间隙中能够选择性设置有气体，以进一步控制第一模式和第二模式下的热传递。
加热器加热夹盘冷却流体冷却通道控制器离子注入系统传热介质承板基板激活冷却流体源选择性加热选择性设置工件夹持工件加热夹持表面冷却能力模式操作耦合热传递可选冷却传递

[发明专利]使用角能量过滤器的角扫描-CN201580021611.7有效
发明人：卡森·高全·任;威廉·宾茨 -专利权人： 艾克塞利斯科技公司
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：提供了一种离子注入系统和方法，用于在被扫描的离子束撞击工件的同时改变被扫描的离子束相对于工件的入射角度。所述系统具有被配置为形成离子束的离子源和被配置为对离子束进行质量分析的质量分析器。离子束扫描器被配置为沿第一方向对离子束进行扫描，从而限定被扫描的离子束。工件支撑件被配置为在其上支撑工件，并且角度注入装置被配置为改变被扫描的离子束相对于工件的入射角度。所述角度注入装置包括角能量过滤器和可操作地耦接到工件支撑件的机械装置中的一个或多个，其中控制器控制所述角度注入装置，从而在被扫描的离子束撞击工件的同时改变被扫描的离子束相对于工件的入射角度。
使用能量过滤器扫描

[发明专利]在具有垂直射束角装置的离子注入系统中测量垂直射束轮廓的方法-CN201580070453.4有效
发明人：舒·佐藤 -专利权人： 艾克塞利斯科技公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01J37/304 文献下载
摘要：本发明涉及一种离子注入系统的测量系统，该测量系统可以具有绕轴线(184)旋转的扫描臂(166)以及使工件平移通过离子束(112)的工件支撑件(168)。第一测量构件(162)可以位于扫描臂下游并且提供来自离子束的第一信号。具有遮罩(190)和阻挡板(202)的第二测量构件(164)可以耦合(182)至扫描臂以随着扫描臂旋转提供来自离子束的第二信号，其中，遮罩基于遮罩与离子束之间的角取向而允许离子束中不同数量的离子辐射进入法拉第杯(200)；并且阻挡板基于扫描臂旋转来选择性阻挡到法拉第杯的离子束。控制器被配置成至少部分基于来自测量构件的一个或多个信号来确定离子束的尺寸以及离子束与工件之间的相对取向。
具有垂直射束角装置离子注入系统测量轮廓方法

[发明专利]多直径真空晶片处置-CN201780057156.5在审
发明人：艾伦·威德 -专利权人： 艾克塞利斯科技公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种配置用于夹持并处理具有不同直径的工件的静电夹盘和夹取系统。离子注入设备选择性向处理腔室中的第一工件和第二工件提供离子，其中第一工件的直径大于第二工件的直径。在暴露于离子期间，夹盘支撑处理腔室内相应的第一工件或第二工件。装载锁定腔室使处理环境与外部环境隔离并且具有工件支撑件，用于在处理腔室与外部环境之间传送第一工件或第二工件期间支撑相应的第一工件或第二工件。真空机器人在夹盘与工件支撑件之间传送第一工件或第二工件并且具有夹钳机构，该夹钳机构配置成在多个阶式引导件之间选择性夹取第一工件或第二工件。
第一工件工件支撑件处理腔室夹钳机构外部环境夹盘离子传送离子注入设备真空机器人处理环境夹取系统静电夹盘锁定腔室处理腔引导件支撑夹持夹取阶式晶片配置装载隔离室内暴露

[发明专利]可调式圆周静电夹盘-CN201780057116.0在审
发明人：艾伦·威德 -专利权人： 艾克塞利斯科技公司
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种用于夹持具有不同直径的工件的静电夹盘。设置与第一工件相关联的中央静电夹盘构件和与第二工件相关联的第一外围静电夹盘构件。升降器使第一外围静电夹盘构件相对于中央静电夹盘构件在缩回位置与伸出位置之间直移。在缩回位置，第一工件仅接触第一表面。在伸出位置，第二工件接触第一表面和第二表面。当第一外围静电夹盘构件处于缩回位置时，第一外围屏蔽大致屏蔽第二表面。能够添加附加的外围静电夹盘构件和外围屏蔽，以适应附加的工件直径。
静电夹盘外围缩回位置屏蔽第二表面第一表面第一工件伸出位置关联工件接触可调式升降器夹持

[发明专利]集成发射率传感器的对准特性-CN201780057140.4在审
发明人：约翰·巴格特;约瑟夫·费拉拉 -专利权人： 艾克塞利斯科技公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的工件对准系统具有用来支撑工件的工件支撑件。第一发光器朝向工件引导第一光束。第一受光器接受第一光束。旋转装置使工件支撑件绕支轴旋转。第二发光器朝向工件的外围区域引导第二光束。在工件旋转的同时，第二受光器接受第二光束。控制器基于第一光束的总初始发射率和第一光束透过工件的透射量来确定工件透射率。控制器至少部分基于工件的旋转位置、所接受的第二光束的一部分和所确定的透射率来确定工件相对于支轴的位置。
工件支撑件控制器发光器发射率受光器透射率支轴工件对准工件旋转光束透过外围区域旋转位置旋转装置支撑工件透射量传感器对准

[发明专利]改进的离子源推斥极护罩-CN201780019766.6在审
发明人：尼尔·科尔文;哲-简·谢;保罗·西尔弗斯坦 -专利权人： 艾克塞利斯科技公司
申请日： 2017-04-04 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01J27/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种电弧腔室，其包括具有凹进表面的内衬以及具有第一直径的通孔。内衬具有自所述表面朝向围绕通孔的表面向上延伸并且具有第二直径的唇缘。电极具有轴部和头部。轴部具有小于第一直径的第三直径并且穿过主体和通孔并通过环状间隙与内衬电性隔离。头部具有第四直径和第三表面，该第三表面具有自第三表面朝向第二表面向下延伸的电极唇缘。电极唇缘具有介于第二直径与第四直径之间的第五直径。内衬唇缘与电极唇缘之间的间距界定迷宫式密封件并大体上防止污染物进入环状间隙。
唇缘电极内衬通孔环状间隙轴部迷宫式密封件凹进表面第二表面电性隔离间距界定向上延伸向下延伸电弧腔离子源推斥极护罩污染物穿过改进

[发明专利]离子注入系统、确定离子束的轮廓的方法和执行剂量控制的方法-CN201480062577.3有效
发明人：佐藤秀 -专利权人： 艾克塞利斯科技公司
申请日： 2014-11-20 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： G01T1/34 文献下载
摘要：提供了一种离子注入系统和方法，其中，离子源产生离子，质量分析器对离子束进行质量分析。束轮廓确定装置在预定时间内沿轮廓确定平面平移通过离子束，其中，束轮廓确定装置与所述平移并发地横跨离子束的宽度来测量束电流，其中限定离子束的与时间和位置相关的束电流轮廓。束监测装置被配置为测量所述预定时间内在离子束的边缘处的离子束电流，其中限定与时间相关的离子束电流，以及控制器通过将离子束的与时间和位置相关的束电流轮廓除以与时间相关的离子束电流来确定与时间无关的离子束轮廓，其中抵消离子束电流在所述预定时间内的波动。
用于测量横向强度分布方法

[发明专利]提高离子注入系统中磁扫描离子束一致性的方法-CN201610257320.4有效
发明人：爱德华·艾伊斯勒;伯·范德伯格 -专利权人： 艾克塞利斯科技公司
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：本发明涉及一种扫描系统，该扫描系统包括扫描元件、射束评测仪、分析系统及ZFE限制元件。扫描元件配置成扫描离子束扫描路径上的离子束。在离子束扫描路径上扫描离子束时，射束评测仪测量离子束的束电流；分析系统分析所测的束电流，从而检测ZFE情况。位于射束评测仪上游并经由反馈通路耦合至分析系统的ZFE限制元件配置成基于是否检测到ZFE情况而有选择地向经扫描离子束施加时变电场。选择性施加的电场引发经扫描射束中的变化，从而限制ZFE情况。
生产率一致性提高离子注入系统方法

[发明专利]离子注入系统及具有可变能量控制的方法-CN201580004882.1有效
发明人：科松·柯-泉珍;马文·法利 -专利权人： 艾克塞利斯科技公司
申请日： 2015-03-06 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01J37/302 文献下载
摘要：本发明提出一种用于跨工件(200)以改变的能量注入深度(208，212)的离子注入系统及方法。所述系统包括配置成将掺杂物气体离子化成多个离子且形成离子束(202)的离子源。质量分析器位于离子源的下游且配置成对离子束加以质量分析。减速/加速级位于质量分析器的下游。能量过滤器可以构成减速/加速级的一部分或者可以位于减速/加速级的下游。设置终端站，该终端站具有与其相关的工件支撑件，用于将工件设置在离子束之前。扫描装置配置成相对于彼此来扫描(204)所述离子束及所述工件支撑件中的一或多个。一个或多个电源可操作地耦接至离子源、质量分析器、减速/加速级、以及能量过滤器中的一个或多个。控制器配置成在扫描离子束和/或工件支撑件的同时选择性改变一个或多个分别供应至减速/加速级以及能量过滤器中的一个或多个的电压，其中一个或多个电压的选择性改变至少部分基于离子束相对工件支撑件的位置。
离子注入系统具有可变能量控制方法

[发明专利]用于离子注入系统的低传导性自屏蔽绝缘体-CN201680059373.3在审
发明人：尼尔·K·科尔文;约翰·F·巴格特 -专利权人： 艾克塞利斯科技公司
申请日： 2016-11-10 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01B17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种细长绝缘体(302)。该绝缘体可以定位于离子源的开孔接地电极(308)与开孔抑制电极(306)之间。该绝缘体包含具有第一端(316)和第二端(316)的细长本体，其中一个或多个特征(312)界定于该细长本体中并增长沿该细长本体的表面从第一端到第二端的气体传导路径。这些特征(312)中的一个或多个是大体上沿轴向或者与细长本体的轴线成非零角度延伸到细长本体中的切槽(314)。这些特征(312)中的一个能够包括自细长本体的半径延伸出的肋部。
细长本体绝缘体第一端开孔离子注入系统低传导性角度延伸接地电极气体传导抑制电极离子源自屏蔽非零界定肋部切槽轴向延伸

[发明专利]工件承载件-CN201380031317.5有效
发明人：威廉·戴维斯·李;凯文·霍伊特;大卫·山;杰森·贝灵哲 -专利权人： 艾克塞利斯科技公司
申请日： 2013-06-12 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明涉及一种工件承载件，该工件承载件包括第一板，其具有第一外径、第一内径及第一凹部，该第一凹部自第一内径向第一外径延伸第一距离。该工件承载件进一步包括第二板，其具有第二外径、第二内径及第二凹部，该第二凹部自第二内径向第二外径延伸第二距离。与第一板及第二板关联的多个配合功能件配置成选择性将第一工件的位置固定于第一板与第二板之间和第一凹部及第二凹部内。
凹部工件承载件第一板第一工件功能件延伸关联配置配合

[发明专利]针对离子注入系统的降低轨迹金属污染的离子源-CN201480068636.8有效
发明人：谢泽仁;奈尔·卡尔文 -专利权人： 艾克塞利斯科技公司
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：一种针对离子注入系统的离子源室(120)包括：外壳，至少部分地界定离子化区域，高能电子会从阴极(124)移动穿过所述离子化区域，以对注入所述外壳内部的气体分子进行离子化；衬垫区段(133、135、137、139)，限定所述外壳内部的一个或更多个内壁，其中每个衬垫区段包括面向内部表面，所述面向内部表面在所述离子注入系统的操作期间暴露于所述离子化区域；阴极屏蔽(153)，布置在所述阴极周围；排斥极(180)，与所述阴极相分离；板(128)，包括用于从离子源室释放离子的源孔(126)；其中，所述排斥极、所述衬垫区段、所述阴极屏蔽、所述板或在限定源孔的板中的插入件中的至少一个包括碳化硅，其中，碳化硅具有超额碳的非化学计量烧结材料。
阴极离子注入系统离子化区域离子源室内部表面外壳内部阴极屏蔽碳化硅源孔排斥非化学计量操作期间高能电子金属污染气体分子烧结材料插入件离子化离子源相分离界定内壁离子穿过释放暴露移动

[发明专利]用于在扫描束离子布植器中提高束利用率的方法-CN201580006793.0有效
发明人：舒·佐藤 -专利权人： 艾克塞利斯科技公司
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种用以增加离子束利用率的剂量系统和方法，其中一个或多个侧法拉第杯沿着离子束路径而设置,并被用于感测其电流。一个或多个侧法拉第杯所分开的距离与工件直径有关。离子束跨越工件往返扫描，窄扫描和宽扫描交错着，其中窄扫描是由靠近工件边缘的逆转扫描方向来定，宽扫描是由位于侧法拉第杯的外部区域处的逆转扫描方向来定。
用于扫描离子布植器中提高利用率方法

[发明专利]离子注入系统中引出电极组件的电压调制-CN201480025170.3有效
发明人：尼尔·科尔文;张锦程 -专利权人： 艾克塞利斯科技公司
申请日： 2014-05-02 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开一种用于减少离子注入系统中的微粒污染的方法，其中经由离子源与引出电极组件的协同操作而产生离子束。向离子源施加阴极电压以在其中生成离子，并且向引出组件施加抑制电压以阻碍离子束中的电子卷入离子源。选择性调制抑制电压，由此诱发穿过引出组件的电流或弧放电，以移除其表面上的沉淀物，进而减轻工件的后续污染。根据前述，本发明还公开改进的离子注入系统，其中控制器配置成基本在传送工件的同时选择性将电压调制于预定电压与预定的抑制电压之间，由此诱发穿过引出电极组件的电流或弧放电，以移除其表面上的沉淀物，进而减轻工件的后续污染。
离子注入系统引出电极组件电压调制