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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置及方法-CN202310523572.7在审
发明人：马少阳;温政彦;舒丽丽;李啟弘;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体装置包含在源极/漏极区中的晶种层以及提供形成的方法。半导体装置可以包含在基材上方的多个纳米结构、包围环绕多个纳米结构的栅极结构、相邻于多个纳米结构的源极/漏极区，以及在源极/漏极区和栅极结构之间的内间隔物。源极/漏极区可以包含多晶晶种层覆盖于多个纳米结构的侧壁和内间隔物的侧壁，以及晶种层上方的半导体层。半导体层可以具有比晶种层更高的掺杂物浓度。
半导体装置方法

[发明专利]FINFET器件及其制造方法-CN202310607132.X在审
发明人：李彥儒;李启弘;郭建亿;丁姮彣;戴荣吉;舒丽丽;萧扬泰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-15 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括半导体衬底、多个半导体鳍和源极/漏极结构。半导体鳍和源极/漏极结构位于半导体衬底上，并且源极/漏极结构与半导体鳍连接。源极/漏极结构包括具有W‑形横截面的顶部用于形成接触接合区。半导体器件还可包括位于顶部的多个凹进的部分上的多个覆盖层。本发明实施例涉及FINFET器件及其制造方法。
finfet 器件及其制造方法

[发明专利]制造半导体装置的方法和半导体装置-CN202310410813.7在审
发明人：刘威民;郭紫微;杨詠竣;温政彦;舒丽丽;李啟弘;杨育佳;黄惠琳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造半导体装置的方法和半导体装置，特别是提供一种磊晶结构及一种用于形成此种结构的方法。该方法包括在一基板上形成一鳍片结构，其中该鳍片结构包括具有实质上一{110}结晶取向的一半导体材料。该方法包括蚀刻该鳍片结构的一部分以暴露该半导体材料的一侧壁部分。此外，该方法包括在该半导体材料的该侧壁上成长一磊晶结构，其中该磊晶结构以具有一{110}结晶取向的多个晶面增长。
制造半导体装置方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202310315321.X在审
发明人：杨詠竣;吕惟皓;刘威民;舒丽丽;李啟弘;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包含在基材上的第一纳米结构及与第一纳米结构相邻的第一源极/漏极区域。第一源极/漏极区域包含覆盖第一纳米结构的第一侧壁的第一磊晶层。第一磊晶层具有第一浓度的第一掺质。在剖面视图中，相对于第一纳米结构的第一侧壁，第一磊晶层具有圆凸状轮廓。在剖面视图中，第一源极/漏极区域还包含覆盖第一磊晶层的圆凸状轮廓的第二磊晶层。第二磊晶层具有第二浓度的第一掺质，且第二浓度不同于第一浓度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]晶体管源极/漏极区域及其形成方法-CN202210943655.7在审
发明人：刘威民;郭紫微;黄惠琳;温政彦;舒丽丽;李启弘;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及晶体管源极/漏极区域及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括：半导体鳍，从半导体衬底延伸；纳米结构，位于半导体鳍之上；源极/漏极区域，与纳米结构的沟道区域相邻；底部间隔件，位于源极/漏极区域与半导体鳍之间；以及间隙，位于底部间隔件和源极/漏极区域之间。
晶体管区域及其形成方法

[发明专利]具有空气内部间隔件的纳米结构晶体管及其形成方法-CN202210788373.4在审
发明人：刘威民;温政彦;舒丽丽;李启弘;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开总体涉及具有空气内部间隔件的纳米结构晶体管及其形成方法。一种方法包括形成层堆叠，该层堆叠包括多个半导体纳米结构和多个牺牲层。多个半导体纳米结构和多个牺牲层交替地布置。该方法还包括使多个牺牲层横向凹陷以形成横向凹部；在横向凹部中形成内部间隔件；以及从多个半导体纳米结构外延生长源极/漏极区域。源极/漏极区域通过空气内部间隔件与内部间隔件分隔开。
具有空气内部间隔纳米结构晶体管及其形成方法

[外观设计]天使造型装饰品-CN202230672727.X有效
发明人： 舒丽丽 -专利权人： 舒丽丽
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： 11-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：天使造型装饰品。2.本外观设计产品的用途：用于装饰和收藏。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
天使造型装饰品

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN202210494817.3在审
发明人：刘威民;舒丽丽;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置和制造半导体装置的方法，一个实施方式包括一种装置，此装置包括从基板延伸的第一鳍片。此装置也包括第一栅极堆叠其在第一鳍片上方并且沿着第一鳍片的侧壁。此装置也包括第一栅极间隔物其沿着第一栅极堆叠的侧壁而设置。此装置也包括第一源极/漏极区域其在第一鳍片中并且邻近第一栅极间隔物，第一源极/漏极区域包括在第一鳍片上的第一含碳的缓冲层。此装置也包括第一外延结构其在第一含碳的缓冲层上。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202210304748.5在审
发明人：郭建億;吕惟皓;舒丽丽;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置及其形成方法，形成半导体的方法包括在突出于基板的第一半导体鳍片中形成第一凹槽，且在突出于基板第一半导体鳍片的第二半导体鳍片中形成第二凹槽，并在第一凹槽及第二凹槽中形成源极/漏极区。形成源极/漏极区包括在第一凹槽中形成第一层的第一部分及在第二凹槽中形成第一层的第二部分，通过流动第一前驱物在第一层上形成第二层，及通过流动第二前驱物在第二层上形成第三层，第三层为单一连续材料。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]调整源极/漏极区域的轮廓以减少泄漏-CN202210636369.6在审
发明人：郭紫微;杨咏竣;温政彦;舒丽丽;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开总体涉及调整源极/漏极区域的轮廓以减少泄漏。一种方法包括：形成包括多个牺牲层和多个纳米结构的突出半导体堆叠，其中多个牺牲层与多个纳米结构交替布置。该方法还包括在突出半导体堆叠上形成虚设栅极结构，蚀刻突出半导体堆叠以形成源极/漏极凹部，以及在源极/漏极凹部中形成源极/漏极区域。源极/漏极区域的形成包括生长第一外延层。第一外延层生长在多个纳米结构的侧壁上，并且第一外延层中的每一个的横截面具有四边形形状。第一外延层具有第一掺杂浓度。源极/漏极区域的形成还包括在第一外延层上生长第二外延层。第二外延层具有高于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。
调整区域轮廓减少泄漏

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201811061853.0有效
发明人：游佳达;王圣祯;吕伟元;郭建亿;舒丽丽;杨丰诚;陈燕铭;杨世海 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本发明的一些实施例提供半导体装置及其形成方法。上述半导体装置包含由基底延伸的鳍片及设置于鳍片上的栅极结构。栅极结构包含位于鳍片上的栅极介电层、位于栅极介电层上的栅极电极、及沿着栅极电极的侧壁而形成的侧壁间隙物。上述半导体装置还包含形成于鳍片内且与栅极结构相邻的U型凹陷部。上述半导体装置进一步包含第一源/漏极层，其共形地形成在U型凹陷部的表面上。至少一部分的第一源/漏极层在相邻的栅极结构下方延伸。此外，上述半导体装置包含形成在第一源/漏极层上的第二源/漏极层。第一源/漏极层及第二源/漏极层的至少一者包括As。
半导体装置及其形成方法

[实用新型]一种用于脱垂肠管的造口袋-CN202221114008.7有效
发明人：欧梅;吴丽君;何凤霞;舒丽丽;曾焕娣 -专利权人：广州市妇女儿童医疗中心
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： A61F5/445 文献下载
摘要：本实用新型用于医疗器械领域，特别是涉及一种用于脱垂肠管的造口袋，包括造口袋本体，造口袋本体具有底盘和倒液口，造口袋本体内部设有引流装置，引流装置包括引流管和设在引流管上的连接绳，引流管通过连接绳与底盘连接。使用过程中，将脱垂肠管插进底盘的洞口，然后将造口袋本体内部的引流管的一端插入脱垂肠管的肠口，引流管的另一端位于造口袋本体内部，从脱垂肠管中流出的引流液可以通过引流管引流到造口袋中收集起来，由于引流管直接固定在造口袋本体的内部，所以不需要用绳子缠绕在患者身上来固定引流管，避免了绳子对患者造成勒伤，也不需要在造口袋上剪开洞口以穿过固定引流管的绳子，避免了造口袋中的液体流出造成污染。
一种用于肠管口袋

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201710422430.6有效
发明人：郑程文;舒丽丽;李启弘;吴卓斌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：半导体装置的形成方法包括：形成多个鳍状区于基板上，形成图案化的多晶硅结构于鳍状区上，以及回蚀刻图案化的多晶硅结构未覆盖的部份鳍状区，以形成多个凹陷的鳍状区。此方法亦包括形成合并外延区于凹陷的鳍状区上，以及采用蚀刻气体与沉积气体形成盖层于合并外延区上。形成盖层的步骤包括：调整蚀刻气体中的第一单元浓度与沉积气体中的第二单元浓度之间的比例，使沿着盖层的第一晶向外延成长盖层的速率，比沿着盖层的第二晶向外延成长盖层的速率快，第一单元与第二单元彼此不同，且第一晶向与第二晶向彼此不同。
半导体装置形成方法

[发明专利]晶体管源极/漏极区及其形成方法-CN202210180856.6在审
发明人：刘威民;舒丽丽;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开涉及晶体管源极/漏极区及其形成方法。在实施例中，一种器件包括：第一纳米结构；源极/漏极区，邻接第一纳米结构的第一沟道区，源极/漏极区包括：主层；以及位于主层与第一纳米结构之间的第一衬里层，第一衬里层的碳浓度大于主层的碳浓度；源极/漏极区上的层间电介质；以及延伸穿过层间电介质的接触件，该接触件连接到主层，该接触件与第一衬里层间隔开。
晶体管漏极区及其形成方法

[实用新型]一种批量点焊锡膏机-CN202220951020.7有效
发明人：胡文新;胡一波;许晶晶;舒丽丽;吴茶红;汪辅植 -专利权人：黄山市祁门新飞电子科技发展有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： B23K3/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种批量点焊锡膏机，包括底座，所述的底座上设置有纵向传动机构，所述的纵向传动机构上设置有门型支架，所述的门型支架上设置有横向传动机构，所述横向传动机构的一侧设置有垂直传动机构，所述的垂直传动机构上固定设置有点焊锡膏座，所述的底座上还设置有适配点焊锡膏座的焊锡膏盘。本实用新型解决了人工点焊锡膏效率低下，影响产品的生产进度的问题。
一种批量焊锡膏

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