专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种集成电路长跨度键合引线防注塑变形的键合方法-CN202011516205.7在审
  • 李阳;周恒;谌帅业;聂平健;商登辉 - 贵州振华风光半导体有限公司
  • 2020-12-21 - 2021-04-20 - H01L23/49
  • 一种集成电路长跨度键合引线防注塑变形的键合方法,所述方法包括如下步骤:将设定的金丝从劈刀顶部孔中穿入,从劈刀底部端口穿出;将劈刀端口带动键合引线在第一键合点A点键合;将劈刀端口向后按设定的倾斜角上升到设定的高度B点;将劈刀端口向后平移到设定的距离C点;将劈刀端口垂直上升到设定的高度D点;将劈刀端口向前上方按设定的高度和距离移动到E点;将劈刀端口向前下方移动到第二键合点F点完成键合完成第一键合点A点到第二键合点F点之间的引线键合。解决了现有塑料封装技术中,在引脚多、间距小、金丝细、长跨度的情况下,长跨度键合引线线弧注塑变形的问题。可以根据金丝的线径,推广到类似的长跨度引线键的产品中。
  • 一种集成电路跨度引线注塑变形方法
  • [实用新型]双面表贴式半导体集成电路-CN201621407813.3有效
  • 胡锐;杨成刚;路兰艳;黄华;唐拓;聂平健;杨晓琴 - 贵州振华风光半导体有限公司
  • 2016-12-21 - 2017-12-15 - H01L23/31
  • 双面表贴式半导体集成电路,由上陶瓷基片、下陶瓷基片、半导体集成电路芯片、对外电气连接端和金属引脚组成;上陶瓷基片和下陶瓷基片对称排列,两基片之间用陶瓷加厚层连接成为整体,两基片和陶瓷加厚层均有通孔;上陶瓷基片和下陶瓷基片分别有半导体集成电路芯片通过对外电气连接端与金属引脚连接;两基片的金属引脚方向相反。本实用新型解决了原有的半导体集成电路在装备系统的小型化、集成化和轻便化等应用领域受到限制的难题,使用本实用新型的器件广泛应用于航天、航空、船舶、电子、通讯、医疗设备、工业控制等领域,特别适用于装备系统小型化、高频、高可靠的领域,具有广阔的市场前景和应用空间。
  • 双面表贴式半导体集成电路
  • [实用新型]一种用于金属菱形外壳封装集成电路烧结的夹具-CN201621416995.0有效
  • 高鹏;陶霜;胡锐;尹国平;夏自金;聂平健 - 贵州振华风光半导体有限公司
  • 2016-12-22 - 2017-08-18 - H01L21/687
  • 一种用于金属菱形外壳封装集成电路烧结的夹具,由底座、固定片一、固定片二、固定块、压力柱组成,底座为一长方体,置于夹具底部,其中间有插槽,插槽右有细插杆、左有粗插杆;固定片一为圆形,置于放有基片的管基上,其上有开孔;固定片二为圆形,置于管基上,四周开有圆孔,中间开有特形孔;固定块为∏形,处于夹具顶部,顶面开有大圆孔和小圆孔;压力柱上为圆帽、下为圆柱,置于固定块大圆孔中。本夹具根据集成电路内部结构的特点设计制作,能够对集成电路内部的基片、芯片、分立器件起到水平固定作用和垂直施压,保障集成电路烧结后集成电路的一致性,同时提高烧结质量。该夹具结构简单,易实施。适用于金属菱形外壳封装集成电路的烧结过程。
  • 一种用于金属菱形外壳封装集成电路烧结夹具
  • [发明专利]一种免清洗混合集成电路焊接方法-CN201611188414.7在审
  • 尹国平;苏贵东;王德成;蔡景洋;聂平健;陈潇;陈帅业;卢辉昊 - 贵州振华风光半导体有限公司
  • 2016-12-21 - 2017-04-26 - H01L21/48
  • 本发明公开了一种免清洗混合集成电路焊接方法,该方法是采用不含助焊剂的全固态预制合金焊料片取代原先的膏状焊料,在充满氮气且温度可控的环境下,采用两种不同熔点的合金焊料分步进行芯片、基片电路、基座的相互焊接,不会对基座、基片电路和芯片造成污染,产品焊接后可直接进行键合、封装,实现免清洗焊接。本方法产品焊接后可直接进行键合、封装,避免焊接后的清洗、清洗剂的使用和排放,节省时间提高效率。采用这种工艺焊接的产品,焊接强度较膏状焊料更高,产品能经受恒定加速度试验不脱落,远高于国家军用标准规定的要求;适用于焊接面为可焊金属介质的外壳、基片电路和带背面金属化半导体芯片、无源元件的混合集成电路的组装焊接。
  • 一种清洗混合集成电路焊接方法
  • [实用新型]一种抗干扰薄膜混合集成电路-CN201520992983.1有效
  • 杨成刚;黄晓山;苏贵东;赵晓辉;杨晓琴;聂平健 - 贵州振华风光半导体有限公司
  • 2015-12-04 - 2016-08-17 - H01L23/552
  • 抗干扰薄膜混合集成电路,由管帽、管基、管脚、半导体集成电路芯片组成,半导体集成电路芯片用键合丝键合在管基薄膜陶瓷基片金属键合区上,管帽封装在管基之上;与原有薄膜混合集成电路不同的是:管帽有金属外层和陶瓷内层,管基有陶瓷基体,管基外表面有金属外层;另有片式元器件装贴在薄膜陶瓷基片上。这样,管基和管帽将陶瓷材料和金属材料二者有机结合,实现从低频到高频的电磁屏蔽,使封装内外电磁环境达到良好的隔离,从而实现薄膜混合集成电路的抗干扰能力。用本方法生产的器件广泛应用于航天、航空、船舶、电子、通讯、医疗设备、工业控制等领域,特别适用于装备系统小型化、高频、高可靠的领域。
  • 一种抗干扰薄膜混合集成电路
  • [实用新型]一种抗干扰抗腐蚀厚膜混合集成电路-CN201520992967.2有效
  • 杨成刚;黄晓山;苏贵东;赵晓辉;聂平健;路兰艳 - 贵州振华风光半导体有限公司
  • 2015-12-04 - 2016-08-17 - H01L27/13
  • 抗干扰抗腐蚀厚膜混合集成电路,由管帽、管基、管脚、半导体集成电路芯片组成,半导体集成电路芯片用键合丝键合在管基厚膜陶瓷基片金属键合区上,管帽封装在管基之上;与原有厚膜混合集成电路不同的是:管帽有金属内层和陶瓷外层,管基有陶瓷基体,管基内表面有金属内层;另有片式元器件装贴在厚膜陶瓷基片上。这样,管基和管帽将陶瓷材料和金属材料二者有机结合,实现从低频到高频的电磁屏蔽,使封装内外电磁环境达到良好的隔离,从而实现厚膜混合集成电路的抗干扰抗腐蚀能力。用本方法生产的器件广泛应用于航天、航空、船舶、电子、通讯、医疗设备、工业控制等领域,特别适用于装备系统小型化、高频、高可靠的领域。
  • 一种抗干扰腐蚀混合集成电路
  • [发明专利]抗干扰半导体集成电路的集成方法-CN201510881790.3在审
  • 杨成刚;刘学林;苏贵东;赵晓辉;王德成;聂平健 - 贵州振华风光半导体有限公司
  • 2015-12-04 - 2016-05-04 - H01L23/552
  • 抗干扰半导体集成电路的集成方法,是将金属与陶瓷的复合材料用作管基和管帽外层的材料,具体做法是:在预先烧结成型的陶瓷管帽的外表面,用涂覆金属浆料烧结方式或化学电镀方式或真空镀膜的方式形成所需管帽金属层;用低温共烧陶瓷工艺及厚膜印刷与烧结工艺制作管基底座,形成半导体集成电路芯片键合区、外表面管基金属层、对外引脚结构;再进行半导体集成电路芯片的装贴、引线键合和封帽;使封装内外电磁环境实现良好的隔离,以满足从低频到高频的电磁全频段的屏蔽要求。用本发明方法生产的器件广泛应用于航天、航空、船舶、电子、通讯、医疗设备、工业控制等领域,特别适用于装备系统小型化、高频、高可靠的领域。
  • 抗干扰半导体集成电路集成方法
  • [发明专利]抗干扰抗腐蚀厚膜混合集成电路的集成方法-CN201510882088.9在审
  • 杨成刚;赵晓辉;刘学林;杨晓琴;路兰艳;聂平健 - 贵州振华风光半导体有限公司
  • 2015-12-04 - 2016-04-13 - H01L21/48
  • 抗干扰抗腐蚀厚膜混合集成电路的集成方法,是将陶瓷与金属的复合材料用作管基和管帽材料,以满足从低频、中频到高频全频段的屏蔽和抗腐蚀要求,具体做法是:在预先烧结成型的陶瓷管基、陶瓷管帽的内表面,采用涂覆金属浆料烧结或化学电镀的方式生长所需金属层,再进行半导体集成电路芯片的装贴、引线键合和封帽,这样,管基和管帽将陶瓷材料和金属材料二者有机结合,实现从低频到高频的电磁屏蔽,使封装内外电磁环境达到良好的隔离,从而实现厚膜混合集成电路的抗干扰抗腐蚀能力。用本方法生产的器件广泛应用于航天、航空、船舶、电子、通讯、医疗设备、工业控制等领域,特别适用于装备系统小型化、高频、高可靠的领域。
  • 抗干扰腐蚀混合集成电路集成方法
  • [实用新型]一种抗干扰抗腐蚀半导体集成电路-CN201520993212.4有效
  • 杨成刚;赵晓辉;刘学林;王德成;聂平健;杨晓琴 - 贵州振华风光半导体有限公司
  • 2015-12-04 - 2016-04-13 - H01L23/552
  • 抗干扰抗腐蚀半导体集成电路,由管帽、管基、管脚、半导体集成电路芯片组成,管帽封装在管基之上;管帽有陶瓷外层和金属内层,管基有陶瓷基体和金属层,管基顶层镶有陶瓷;管脚采用金属引脚;半导体集成电路芯片用键合丝或用金属球焊接键合在管基金属层的键合区上。本实用新型的管基和管帽外层为陶瓷材料、内层为金属材料,二者有机结合,即实现从低频到高频的电磁屏蔽,使封装内外电磁环境达到良好的隔离,从而实现半导体集成电路的抗干扰能力;同时,由于封装外层为陶瓷,具有很强的抗腐蚀能力。本实用新型的器件广泛应用于航天、航空、船舶、电子、通讯、医疗设备、工业控制等领域,特别适用于装备系统小型化、高频、高可靠的领域。
  • 一种抗干扰腐蚀半导体集成电路

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