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[发明专利]一种使用电导法确定MOS器件中半导体掺杂杂质分布的方法-CN202210032100.7在审
发明人： 翟东媛;蔡轶薇;卢继武;沈义松;李琦 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用电导法确定MOS器件中半导体掺杂杂质分布的方法。通过在低温下，在栅极施加不同电压对MOS电容进行电导法测试，选择离平带电压最接近的电导曲线图象作为第一条曲线，得到它的角频率、表面势和耗尽区宽度；通过捕获速率与释放速率的比例关系以及掺杂杂质能级与费米能级差为定值关系，计算解得初始电导曲线的表面势，从而能够算出初始的耗尽区宽度和掺杂杂质浓度，两者耗尽区宽度的差为此浓度距离界面的位置。随着栅极电压继续向深度耗尽区移动，基于第一条电导曲线的运算逻辑可以计算出其位置的掺杂浓度与分布，获得掺杂浓度随深度变化的曲线。本发明利用低温电导法不仅能够精确表征掺杂杂质的分布，还能够节省成本和时间。
一种使用电导确定 mos 器件半导体掺杂杂质分布方法

[发明专利]一种基于FPGA的对抗攻击防御系统及方法-CN202111576971.7有效
发明人：卢继武;鲁玉峰;肖靖;吴迪;刘敏;高兵;翟东媛;何敏 -专利权人：湖南大学
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H04L9/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FPGA的对抗攻击防御系统及方法，基于FPGA的对抗攻击防御平台，构建基于FPGA的异构流架构，将PC端算法在不影响其防御效果的情况下移植到FPGA上，用于快速正确识别原始样本以及对抗攻击产生的对抗样本，且功耗很低，满足实际应用场景需求，提高实际应用场景安全性。
一种基于 fpga 对抗攻击防御系统方法

[发明专利]一种车载CAN总线数据异常检测识别方法-CN202111626681.9有效
发明人：卢继武;许鹤;吴迪;刘敏;高兵;翟东媛;何敏 -专利权人：湖南大学
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H04L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种车载CAN总线数据异常检测识别方法，采用改造后的自注意力机制融合多层GRU网络的模型架构，利用自注意力机制的特点，增强数据的时序特征，通过多层GRU网络用于进一步提取多维时序数据特征，提高CAN总线数据的识别准确率。
一种车载 can 总线数据异常检测识别方法

[发明专利]一种双栅极增强型氧化镓MESFET器件及其制作方法-CN202110706987.9在审
发明人：卢继武;沈义松;翟东媛;张齐毫;蔡轶薇;刘敏;罗建平;李卉 -专利权人：湖南大学
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种双栅极增强型氧化镓MESFET器件，包括衬底，衬底底部固定有漏极电极，衬底顶部两侧凹陷形成凹槽，凹槽底部固定有双栅极电极；两个凹槽之间为鳍型结构，鳍型结构顶部固定有源极电极。本发明使用Ga2O3作为晶圆衬底材料制作氧化镓垂直型MESFET，并结合鳍型结构形成鳍型Ga2O3MESFET，通过优化器件结构获得高击穿电压的长关型器件，实现高击穿电压的增强型Ga2O3MESFET。
一种栅极增强氧化 mesfet 器件及其制作方法

[发明专利]一种能量收集器及终端设备-CN201910630970.2在审
发明人：卢继武;张齐毫;何敏;肖靖;翟东媛 -专利权人：湖南大学
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本申请提供了一种能量收集器及终端设备，其中，能量收集器包括：第一钝化层、互补金属氧化物半导体CMOS芯片和铜铟镓硒薄膜太阳能电池CIGS层；第一钝化层位于CMOS芯片上；CIGS层位于第一钝化层远离CMOS芯片的一侧；其中，第一钝化层将CMOS芯片和CIGS层进行隔离。本申请将CIGS层集成在CMOS芯片上，并利用第一钝化层将CMOS芯片和CIGS层进行隔离，防止CMOS芯片被CIGS层中的钠离子污染，且阻止了CIGS层作等离子处理时可能的发生的等离子体充电损伤，实现了利用太阳能电池CIGS对CMOS芯片的不间断供电，且确保CMOS芯片正常运行。
钝化层能量收集器终端设备铜铟镓硒薄膜太阳能电池互补金属氧化物半导体等离子体不间断供电等离子处理隔离太阳能电池钠离子申请充电损伤污染

[发明专利]一种IO口间无相互干扰的低电容多通道瞬态电压抑制器-CN201410673950.0有效
发明人：蔡银飞;翟东媛;蒋金鸿;朱俊;赵毅 -专利权人：绍兴米来电子科技有限公司
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：低电容多通道瞬态电压抑制器，包括P+半导体衬底，P‑外延层位于P+半导体衬底上；外延层上从左到右分别有包含第一环形P+有源注入区的左端，第一N阱，第一环形P+有源注入区的右端，第二N阱，第一P阱，第三N阱，第二环形P+有源注入区的左端，第四N阱，第二环形P+有源注入区的右端。所述的第一N阱和第四N阱上分别设有第一N+有源注入区和第五N+有源注入区；所述的第二N阱上设有第二N+有源注入区和第二P+有源注入区；所述的第一P阱上设有第三N+有源注入区；所述的第三N阱上设有第四N+有源注入区和第三P+有源注入区。
一种 io 口间无相互干扰电容通道瞬态电压抑制器

[发明专利]一种阶梯式沟槽MOS肖特基二极管器件-CN201410148707.7有效
发明人：蔡银飞;翟东媛;赵毅;施毅 -专利权人：绍兴米来电子科技有限公司;南京大学
申请日： 2014-04-14 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种阶梯式沟槽MOS肖特基二极管器件，包括N+半导体衬底；N‑外延层，位于N+半导体衬底上；N‑外延层上加工阶梯状的沟槽结构；梯形沟槽内壁生长氧化层；N‑外延层上及沟槽内生长肖特基接触的阳极金属；N+衬底下面生长欧姆接触的阴极金属。所述的沟槽结构是由两个直角沟槽形成阶梯状沟槽；即N‑外延层的截面为周期性排列的凸出状。将传统TMBS里面的直角沟槽的上部沟槽宽度变宽，这样能有效的调节沟槽中不同部位的电场耦合作用，从而调节沟槽中间有源区不同深度处电场强度。使用该结构可以保持在击穿电压不减小、正向导通电压只是略有增加的情况下，实现漏电的大幅降低。
一种阶梯沟槽 mos 肖特基二极管器件

[发明专利]一种使用电化学沉积在半导体衬底表面选择性生长金属的方法-CN201610079679.7在审
发明人：赵毅;翟东媛;张睿 -专利权人：浙江大学
申请日： 2016-02-04 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明公开了使用电化学沉积在半导体衬底表面选择性生长金属的方法，用电化学沉积技术在传统的场效应晶体管中制备金属电极和半导体之间的金属缓冲层；使用电化学沉积技术在肖特基源漏的场效应晶体管中制备源漏肖特基接触金属；在缓冲层或接触金属上再制备金属电极，所述的场效应晶体管包括PN结场效应晶体管和肖特基源漏的场效应晶体管，场效应晶体管的半导体衬底包括Si、Ge等各种半导体衬底材料；所沉积的金属层的厚度范围大，0.001‑1μm。能改善场效应晶体管源漏接触特性和简化源漏金属制备工艺，不需要通过传统光刻方法来实现选择性金属沉积，自身可通过材料表面导电性的差异来实现选择性的沉积，工艺复杂度大大降低。
一种使用电化学沉积半导体衬底表面选择性生长金属方法

[发明专利]一种高介电常数栅介质材料沟槽MOS肖特基二极管器件-CN201410307573.9在审
发明人：蔡银飞;翟东媛;赵毅;施毅;郑有炓 -专利权人：杭州启沛科技有限公司
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种高介电常数栅介质材料沟槽MOS肖特基二极管器件，包括N+半导体衬底、N+半导体衬底上的N-外延层、N-外延层上加工的沟槽结构、N-外延层上及沟槽内生长肖特基接触的阳极金属、N+衬底下面生长欧姆接触的阴极金属；所述沟槽侧壁氧化层包括上下两部分，上部采用高介电常数栅介质材料，下部使用二氧化硅；且所述的沟槽内壁生长高介电常数栅介质材料的高度占沟槽总高度的四分之三以内。本发明设计的一种高介电常数栅介质材料沟槽MOS肖特基二极管器件，在沟槽中的氧化层的上部采用高介电常数栅介质材料，下部仍然使用二氧化硅，与传统的SiO₂TMBS器件相比，漏电流密度可以减小19.8％，同时，不减弱器件的击穿电压和正向导通电压特性。
一种介电常数介质材料沟槽 mos 肖特基二极管器件

[发明专利]低电容单向瞬态电压抑制器-CN201310299076.4有效
发明人：赵杰;翟东媛;赵毅 -专利权人：常州子睦半导体有限公司;南京大学
申请日： 2013-07-15 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种单向低电容瞬态电压抑制器及其制作工艺，其中该抑制器包括P+半导体衬底，位于P+衬底上的P-外延层，所述的P-外延层上从左到右依次设有第一N阱，第一P+有源注入区，第二N阱，第一P阱；所述的第一N阱和第二N阱上分别设有第一N+有源注入区和第二N+有源注入区；所述的第一P阱上设有第一N-有源注入区和第二P+有源注入区；所述的第一N-有源注入区上设有第三P+有源注入区；所述的第二N+和第三P+有源注入区、第一N+第一P+及第二P+有源注入区分别通过金属连接并引出。本发明的技术方案可在被保护器件的正常工作电压下，不会影响数据的高速传送，保证了大电流的泄放能力，而且具有更好地电流泄放能力。
电容单向瞬态电压抑制器

[发明专利]导电聚合物及其合成方法、表面覆盖有所述导电聚合物的电活性电极-CN201110079884.0有效
发明人：潘力佳;翟东媛;施毅;邱浩 -专利权人：南京大学
申请日： 2011-03-31 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： C08G73/06 文献下载
摘要：本发明涉及导电聚合物、其合成方法及表面覆盖有所述导电聚合物的电活性电极。所述导电聚合物的合成方法为，以多元酸作为掺杂剂和交联剂，使单体聚合得到导电聚合物水凝胶，所述单体为吡咯或其衍生物、噻吩或其衍生物、苯胺或其衍生物中的至少一种，所述多元酸的酸基团包含磷酸基、或者多元酸为每分子含2个以上选自磺酸基、硝酸基或羧酸基中至少一种的酸基团的分子量≤800的多元酸。所述多元酸所包含的酸基团的摩尔数与导电聚合物单体的摩尔比优选为1∶12～12∶1。电活性电极表面覆盖上述合成方法所得的导电聚合物。本发明所述导电聚合物制备方法简单，且无需引入其他杂质。所制备的导电聚合物水凝胶具有高离子电导率，具备超亲水性和良好的生物兼容性。
导电聚合物及其合成方法表面覆盖有所活性电极

[发明专利]导电高分子/碳纳米管复合介孔纳米管的制备方法-CN200910024705.6无效
发明人：潘力佳;李文博;翟东媛;施毅;濮林 -专利权人：南京大学
申请日： 2009-02-11 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： C08L79/02 文献下载
摘要：导电高分子/碳纳米管复合介孔纳米管的制备方法，(1)先在碳纳米管上生长一层MnO₂层，将碳纳米管和0.01M～1M高锰酸钾水溶液混合，在50～100℃温度条件下反应1～20小时，通过过滤法分离，得到包覆有二氧化锰的碳纳米管复合纳米结构MnO₂@CNTs；(2)将所述MnO₂@CNTs原料分散在溶剂中，将导电高分子单体溶解在质子酸的溶剂中，反应10分钟～72小时；pH值范围在0～6.5之间，反应温度在0℃～100℃范围内，有机酸为十二烷基苯磺酸或全氟辛磺酸，无机酸为硫酸或盐酸；导电高分子为聚苯胺、聚吡咯或聚噻吩类；(3)MnO₂模板本身参与反应，并可在反应完成后自发的除去。
导电高分子纳米复合制备方法

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