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[发明专利]基于激光3D打印的高端陶瓷材料复杂构件及其制造方法-CN202310942743.X在审
发明人：刘凯;叶家豪;章嵩;涂溶;孙策 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B28B1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于激光3D打印的高端陶瓷材料复杂构件的制造方法，该制造方法先利用高能激光将气相前驱体分解为陶瓷单体，再控制平场聚焦透镜与基板间的距离以及激光扫描速度，利用扫描振镜系统控制激光定向逐层扫描，获得所需形状的陶瓷片；通过将每层陶瓷片依次堆叠在基板上，最终得到复杂结构的高端陶瓷构件。该方法可以实现陶瓷材料的原位制备和快速定向生长，通过基板的轴向位移固定激光聚焦距离又可以实现陶瓷材料的逐层叠加。与常规的制造方法相比，本发明提供的制造方法，不仅能够大幅缩短陶瓷零件的制造周期，而且有助于实现更高纯度、更高性能的复杂结构高端陶瓷构件的制造，具备广阔的推广及应用前景。
基于激光打印高端陶瓷材料复杂构件及其制造方法

[发明专利]一种基于边缘计算的纯电动汽车集成式热管理系统及汽车-CN202311130497.4在审
发明人：李其仲;邢作兴;吉柏锋;章嵩;涂溶 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B60H1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于边缘计算的纯电动汽车集成式热管理系统及汽车，该系统包括：数据采集模块，用于实时采集电池、空调压缩机以及电机的数据；边缘计算模块，用于接收电池、空调压缩机以及电机的数据，并对数据进行数据清洗、转换和分析，以判断电池、空调压缩机以及电机的健康状态，同时预测电池、空调压缩机以及电机的未来状态，并使用深度强化学习优化电池、空调压缩机以及电机的控制策略；控制器，用于接收边缘计算模块优化后的电池、空调压缩机以及电机的控制策略，并依据控制策略控制电池、空调压缩机以及电机。本发明能够实时应对新能源汽车在运行时电池、车内乘员舱和电动机所产生的热量问题，提高车辆的能源利用效率和运行稳定性。
一种基于边缘计算电动汽车集成管理系统汽车

[发明专利]一种多面体空心Ni/NiO纳米粉体及其制备方法-CN202310909616.X在审
发明人：涂溶;冷坤秋;张翅腾飞;章嵩;罗国强;韩宇哲 -专利权人：化学与精细化工广东省实验室潮州分中心
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C25C5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种多面体空心Ni/NiO纳米粉体的制备方法，包括如下步骤：配置反应液、设置反应环境、设置电极、反应及粉体收集，最终获得多面体空心Ni/NiO纳米粉体。同时还公开了利用上述制备方法制备的一种多面体空心Ni/NiO纳米粉体。本发明的一种多面体空心Ni/NiO纳米粉体及其制备方法以镍棒为前驱体，乙腈为络合剂，通过控制电源电压、频率、脉宽、溶液导电率和反应时间得到具有空心结构的多面体Ni/NiO纳米粉体，形成的多面体空心结构有较大比表面积、轻质、低密度；本方法较其他方法，操作简单，仅需一步就可实现多面体空心Ni/NiO纳米粉体的制备。
一种多面体空心 ni nio 纳米及其制备方法

[发明专利]一种模拟高速切削过程的循环冲击试验方法与装置-CN202310928581.4在审
发明人：章嵩;林亮亮;涂溶;王传彬;沈强;张联盟 -专利权人：武汉理工大学;厦门钨业股份有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G01N3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种模拟高速切削过程的循环冲击试验方法与装置，对高速切削过程进行仿真，对切削过程中刀屑接触面的中心温度进行计算，将得到的计算结果作为循环冲击试验设定温度；对涂层样品进行冲击试验，得到预压力和疲劳冲击力；通过扫描电镜对冲击损伤后的涂层表面进行拍摄，并计算得到冲击试验在涂层样品上的实际接触面积，根据预压力和疲劳冲击力计算得到预应力和疲劳冲击应力；通过材料测试方法，对预应力和疲劳冲击应力进行分析，得到模拟高速切削过程中涂层样品的动力学响应行为。本发明配备高温加热功能，循环冲击频率快；利用本方法的循环冲击试验能得到接近实际切削的准确数据，能有效模拟并描述高速切削的动态过程。
一种模拟高速切削过程循环冲击试验方法装置

[发明专利]一种基于CVD生长的二维铋基钙钛矿材料的结构调控方法-CN202310520672.4在审
发明人：张翅腾飞;章嵩;涂溶;张联盟 -专利权人：湖北隆中实验室
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于CVD生长的二维铋基钙钛矿材料的结构调控方法，通过精确调控前驱体的传质过程，最终获得了厚度≤10nm，横向尺寸≥500μm的单晶铋基钙钛矿材料，解决了现有方法制得的二维铋基钙钛矿材料单晶尺寸较小且厚度不可控的问题。所述方法包括以下步骤：将两种前驱体物质分别放置于双温区管式炉的两个温区，采用云母基体作为衬底，向管式炉内通入氩气和氢气，分别将管式炉的两个温区升温至预定温度，反应，即可得到大尺寸二维铋基钙钛矿材料。本发明涉及的制备工艺简单、操作方便、可重复性好，通过改变管式炉两个温区的温度和载气流量，即可控制二维铋基钙钛矿材料的厚度和形貌结构。
一种基于 cvd 生长二维铋基钙钛矿材料结构调控方法

[发明专利]一种具有OER电催化活性NiO中空微球及其制备方法-CN202310832705.9在审
发明人：涂溶;刘江伟;张翅腾飞;章嵩;罗国强;韩宇哲 -专利权人：化学与精细化工广东省实验室潮州分中心
申请日： 2023-07-08 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C01G53/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有OER电催化活性的NiO中空微球采用Mist‑CVD法制备且平均直径小于1.5µm。本发明还公开了一种具有OER电催化活性的NiO中空微球的制备方法，通过将镍盐、乙醇胺络合剂（ETA）溶于去离子水中配制成混合前驱体溶液，并使用Mist‑CVD法进行制备，获得具有OER电催化活性的NiO中空微球。本发明的一种具有OER电催化活性的NiO中空微球及其制备方法以镍盐和乙醇胺络合剂（ETA）为混合前驱体，采用Mist‑CVD法制备出高OER活性的NiO中空微球，该方法具有工艺简便、原料成本低、可大批量生产以及对环境相对友好等优势。
一种具有 oer 电催化活性 nio 中空及其制备方法

[发明专利]一种酸刻蚀三维褶皱型空心MOF催化剂及其制备方法和应用-CN202011094007.6有效
发明人：常刚刚;姚瑶;章嵩;黄坷芯;阳晓宇 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B01J31/22 文献下载
摘要：本发明涉及了一种酸刻蚀三维褶皱型空心MOF催化剂及其制备方法和应用，所述催化剂以具有三维褶皱的金属有机骨架材料UiO‑66为载体，以酸诱导，制备三维褶皱型空心金属有机框架催化剂。本发明还提供了所述三维褶皱型金属有机框架催化剂的制备方法，在水体系下，采用恒温油浴法一步合成，以及提供了空心结构的制备方法，采用酸刻蚀法，在保留结构完整性的同时将MOF的内部挖空以形成笼状结构，制备过程简单易实施，条件温和，制备得到的催化剂可以同时具备表面褶皱和空心结构，表现出了较为优异的催化加氢性能。
一种刻蚀三维褶皱空心 mof 催化剂及其制备方法应用

[实用新型]一种制备纳米厚度薄膜的滚压设备-CN202320194655.1有效
发明人：李宝文;章嵩;卢鹏荐;涂溶;张联盟 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： B30B12/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种制备纳米厚度薄膜的滚压设备，所述滚压设备包括机箱(4)、固定在机箱上表面的加热台(3)及滚轴(2)，滚轴(2)中心轴平行于加热台(3)平面设置，滚轴(2)两端分别与一根支架(1)连接，并可通过调整连接位置改变滚轴(2)与加热台(3)之间的间距；所述滚压设备还包括滚动控制装置，所述滚动控制装置包括两条平行的供支架(1)水平移动的轨道及带动支架(1)沿轨道水平移动的发动机(5)，所述轨道固定安装于机箱(4)表面。本实用新型提供的滚压设备成本低、操作简便，制备出的纳米厚度薄膜品质高、尺寸大，能够用于微小型电子元器件的规模化生产。
一种制备纳米厚度薄膜设备

[发明专利]一种抑制CVD单层石墨烯中多层形核的方法-CN202310500867.2在审
发明人：张翅腾飞;章嵩;涂溶;张联盟 -专利权人：湖北隆中实验室
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制CVD单层石墨烯中多层形核的方法，属于纳米材料制备领域。本发明通过在铜箔背面沉积阻挡层，阻止铜箔背部的碳原子扩散至铜箔正面，从而抑制多层形核的生成。包括以下步骤：在铜箔背面沉积2～10μm厚的阻挡层薄膜，以该复合铜箔作为石墨烯生长的基底；随后使用CVD法在铜箔上制备单层石墨烯。C原子在基底正面逐渐沉积生长为单层石墨烯，而基底背面的C原子则被阻挡层阻挡，无法扩散至基底正面，从而抑制基底正面多层形核区域的产生。本发明的方法能够获得高均匀性单层石墨烯，且有整体方法简单，控制方便，重复性好等优点。
一种抑制 cvd 单层石墨多层方法

[发明专利]一种010择优取向的β-Ga2-CN202211280072.7在审
发明人：章嵩;涂溶;李宝文;徐青芳;张联盟;李志荣 -专利权人：武汉理工大学;广东汇成真空科技股份有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种010择优取向的β‑Ga2O3薄膜的制备方法，具体步骤如下：1)将玻璃基板预处理后放入沉积腔体内，并将沉积腔体抽真空至10Pa以下；2)向沉积腔体内通入稀释气体使沉积腔体内达到沉积压强，关闭稀释气体，然后将原料罐内前驱体加热至升华温度，打开激光照射玻璃基板表面，使玻璃基板达到沉积温度，同时向沉积腔体内通入载气和反应气进行沉积，在玻璃基板上沉积得到β‑Ga2O3薄膜。本发明采用激光化学气相沉积法，通过调整实验参数控制薄膜的取向，在低成本的石英玻璃基板表面成功制备出010择优取向的β‑Ga2O3多晶薄膜，对于拓宽β‑Ga2O3多晶薄膜的应用范围具有十分重要的意义。
一种 010 择优取向 ga base sub

[发明专利]一种纳米复合梯度多层切削刀具涂层及其制备方法-CN202310400533.8在审
发明人：涂溶;章嵩;张联盟 -专利权人：化学与精细化工广东省实验室潮州分中心
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米复合梯度多层切削刀具涂层，以硬质合金或高速钢为基底的材料，所述基底上沉积打底连接层后呈梯度沉积厚度均匀过渡的梯度沉积层，其中，所述打底连接层为Ti层，所述梯度沉积层由TiN层和TiSiN层交替沉积而成。本发明还公开了一种纳米复合梯度多层切削刀具涂层的制备方法。本发明的一种纳米复合梯度多层切削刀具涂层及其制备方法通过设计TiN层和TiSiN层交替沉积、调制周期梯度变化的多层结构，并采用多弧离子镀沉积技术进行制备，涂层中的层间界面的增加可以阻碍位错的生长和蔓延，梯度结构设计可以缓解涂层中的应力，减少脆性断裂。
一种纳米复合梯度多层切削刀具涂层及其制备方法

[发明专利]一种粒径可控的纳米Zr2-CN202211729720.2在审
发明人：涂溶;陈祥宇;张翅腾飞;章嵩;罗国强 -专利权人：化学与精细化工广东省实验室潮州分中心
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C01G25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种粒径可控的纳米Zr2O粉体的制备方法，采用超声雾化结合化学气相沉积的方法，将配制好的前驱体溶液放入超声雾化装置中进行雾化形成雾滴，对管式炉进行升温，待反应区的温度提升到反应温度后，通入载气使超声雾化装置中的雾滴能够随着载气进入管式炉中，使雾滴能在管式炉反应区的高温下发生分解并沉积，从而生成粒径可控的纳米Zr2O粉体。本发明的一种粒径可控的纳米Zr2O粉体的制备方法预设计算雾滴的直径以及调配对应密度及表面张力的前驱体溶液，制备出分散性良好，粒径均一可控的纳米(Zr2O粉体，采用方法简单，控制方便，重复性好。
一种粒径可控纳米 zr base sub

[发明专利]一种高温稳定TiAlN梯度硬质涂层材料及其制备方法-CN202211672173.9在审
发明人：章嵩;涂溶;张联盟;王传彬;沈强;戴湘平 -专利权人：武汉理工大学;化学与精细化工广东省实验室潮州分中心;广东翔鹭钨业股份有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种高温稳定TiAlN梯度硬质涂层材料及其制备方法，所述TiAlN梯度硬质涂层材料从底部到表面Al含量均匀连续梯度增加，Ti含量均匀连续梯度减少。本发明提供的TiAlN梯度硬质涂层材料具有优异的高温稳定性能，结合力强，硬度高，能够延长刀具使用寿命，满足现代机械加工高效率、高精度、高可靠性的要求。
一种高温稳定 tialn 梯度硬质涂层材料及其制备方法

[发明专利]一种晶圆尺寸氧化镓膜的制备方法-CN202310104543.7在审
发明人：李宝文;章嵩;卢鹏荐;涂溶;张联盟 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C23C26/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆尺寸氧化镓膜的制备方法，具体步骤如下：1)将金属镓液滴进行清洗，除去表面氧化膜，得到纯净的镓液滴；2)将步骤1)所得纯净的镓液滴置于加热的基板表面，使用表面包覆有黏弹性或橡胶态高分子材料的挤压棒对镓液滴进行滚压，一次或多次滚压形成厚度均匀的晶圆尺寸的薄膜；3)根据需要将步骤2)所得薄膜进行退火处理得到氧化镓膜。本发明制备的氧化镓膜的横向尺寸可以达到晶圆级别，膜质量稳定且连续性好，突破了氧化镓膜的尺寸瓶颈，并且根据需求可得到非晶、多晶或单晶薄膜。
一种尺寸氧化制备方法

[发明专利]一种SiC纳米粉体的制备方法-CN202310099168.1在审
发明人：章嵩;涂溶;卢鹏荐;张联盟;杨梅君;沈强 -专利权人：武汉理工大学;武汉拓材科技有限公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C01B32/963 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiC纳米粉体的制备方法，步骤如下：1)对石墨基底进行清洗；2)将石墨基底放至样品台上，在沉积腔内的进气喷头和抽气出口处各固定覆盖一个洁净的铜网，并在沉积腔内设有2台激光器；3)将沉积腔内抽真空至100Pa以下，开启辅热系统将石墨基底预热至100～1000℃，将进气喷头加热至200～300℃，将稀释气体、碳源和预热的卤化物硅源通入沉积腔内，开启连续红外激光器对石墨基底加热，开启皮秒紫外脉冲激光器对从进气喷头进入沉积腔的气体进行照射，反应结束后在铜网上收集得到SiC纳米粉体。本发明方法降低了反应所需的能量，从而能有效地降低沉积温度，使得在气相中能够反应生成更多的SiC。
一种 sic 纳米制备方法

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