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[发明专利]成像装置-CN201780039812.9在审
发明人： 秋田典孝 -专利权人：株式会社岛津制作所
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： A61B10/00 文献下载
摘要：激发用辅助光源部(50)为单手可持的尺寸的便携型激发用辅助光源部。该激发用辅助光源(50)在壳体(57)内具有由高功率的LED构成的激发用辅助光源(51)。激发用辅助光源(51)照射其波长为760nm的近红外光，该近红外光作为用于激发吲哚青绿的激发光。在该激发用辅助光源(51)的前方，配设有低通滤波器(53)，该低通滤波器(53)用于屏蔽与从吲哚青绿产生的荧光的波长相对应的波长的光。
辅助光源激发波长低通滤波器近红外光吲哚成像装置高功率激发光便携单手壳体屏蔽荧光照射

[发明专利]包括半导体薄膜的半导体器件、该薄膜的结晶方法及装置-CN200810188142.X有效
发明人：小川裕之;秋田典孝;谷口幸夫;平松雅人;十文字正之;松村正清 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2005-08-09 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明有助于将形成在非晶或者多晶膜(12)中的再结晶区域(21)的精确对准。在再结晶区域内形成对准标记(15)，该对准标记(15)在形成电子器件例如薄膜晶体管(98)的步骤中有用。此外，在从半导体膜获得大晶粒尺寸晶体相位半导体的步骤中，在相同的曝光步骤中，在该半导体膜上形成在随后的步骤中可用作对准标记的标记结构。因此，本发明包括光强调制结构(SP)和标记形成结构(MK)，该光强调制结构(SP)调制光并且形成用于结晶的光强分布，该标记形成结构(MK)调制光并且形成包括预定形状图案的光强分布，并且还形成表示结晶区上预定位置的标记。
包括半导体薄膜半导体器件结晶方法装置

[发明专利]包括半导体薄膜的半导体器件、该薄膜的结晶方法及装置-CN200810188143.4有效
发明人：小川裕之;秋田典孝;谷口幸夫;平松雅人;十文字正之;松村正清 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2005-08-09 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明有助于将形成在非晶或者多晶膜(12)中的再结晶区域(21)的精确对准。在再结晶区域内形成对准标记(15)，该对准标记(15)在形成电子器件例如薄膜晶体管(98)的步骤中有用。此外，在从半导体膜获得大晶粒尺寸晶体相位半导体的步骤中，在相同的曝光步骤中，在该半导体膜上形成在随后的步骤中可用作对准标记的标记结构。因此，本发明包括光强调制结构(SP)和标记形成结构(MK)，该光强调制结构(SP)调制光并且形成用于结晶的光强分布，该标记形成结构(MK)调制光并且形成包括预定形状图案的光强分布，并且还形成表示结晶区上预定位置的标记。
包括半导体薄膜半导体器件结晶方法装置

[发明专利]结晶装置以及结晶方法-CN200710163150.4无效
发明人： 秋田典孝;高见芳夫 -专利权人：株式会社岛津制作所
申请日： 2007-10-10 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种结晶装置，在此结晶装置中，提供可以获得高能量密度的输出的可见光源。可见光照射系统是由二维阵列排列的多个可见光激光束源形成的。可见光照射系统包括：光强度分布形成装置，使从各可见光激光束源发出的多道可见光激光束的光强度分布图案化；以及成像光学系统，使经所述光强度分布形成装置图案化的光强度分布的光，成像在被处理基板上的照射区域中。将多个固体激光器或半导体激光器发出的各可见激光束，重叠到符合被处理基板与光轴上的成像位置关系的光强度分布形成装置。当重叠准分子激光束与可见光激光束时，重叠从多个可见光的激光束源发出的多道可见光激光束，借由重叠所述可见光激光束所形成的可见光激光束的光强度分布来形成晶体成长。
结晶装置以及方法

[发明专利]结晶装置以及结晶方法-CN200710163149.1无效
发明人： 秋田典孝;高见芳夫 -专利权人：株式会社岛津制作所
申请日： 2007-10-10 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种结晶装置，在此结晶装置中，可以使转印到被处理基板上的由光调制元件或金属光圈所形成的光强度分布可视。此结晶装置具有紫外光照射系统以及可见光照射系统，此紫外光照射系统将紫外光区的激光束脉冲照射到被处理基板上，此可见光照射系统对被处理基板上的与紫外光区的激光束的照射区域相同的照射区域，连续照射可见光激光束。在因均匀地照射紫外光区的激光束而熔化的区域中，利用可见光激光束的光强度分布来形成晶体成长。结晶装置通过脉冲照射紫外光区的激光束来使被处理基板熔化，并通过连续地照射可见光激光束来使被处理基板结晶化，由此二种方式的组合，使进行结晶处理的激光束可视化。
结晶装置以及方法

[发明专利]拾取激光的截面图像的方法-CN200510096528.4无效
发明人：十文字正之;松村正清;谷口幸夫;平松雅人;小川裕之;秋田典孝 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2005-08-26 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： G01J1/02 文献下载
摘要：将刃状物(30)设置在要拾取截面图像(光强度分布)的截面的高度处，以拦截激光(20)的部分截面。用激光(20)照射刃状物(30)，且激光的截面图像用图像形成光学系统(40)放大，并由CCD(50)拾取。当以这种方式拾取截面图像时，以在被刃状物(30)遮蔽的边界部分中的光强度的梯度具有不小于预置目标值的陡度的这种方式进行图像形成光学系统(40)的聚焦。接下来，从激光的光路缩回刃状物(30)，允许激光经由图像形成光学系统(40)进入CCD(50)，并拾取激光的截面图像。
拾取激光截面图像方法

[发明专利]包括半导体薄膜的半导体器件、该薄膜的结晶方法及装置-CN200510091162.1有效
发明人：小川裕之;秋田典孝;谷口幸夫;平松雅人;十文字正之;松村正清 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2005-08-09 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明有助于将形成在非晶或者多晶膜(12)中的再结晶区域(21)的精确对准。在再结晶区域内形成对准标记(15)，该对准标记(15)在形成电子器件例如薄膜晶体管(98)的步骤中有用。此外，在从半导体膜获得大晶粒尺寸晶体相位半导体的步骤中，在相同的曝光步骤中，在该半导体膜上形成在随后的步骤中可用作对准标记的标记结构。因此，本发明包括光强调制结构(SP)和标记形成结构(MK)，该光强调制结构(SP)调制光并且形成用于结晶的光强分布，该标记形成结构(MK)调制光并且形成包括预定形状图案的光强分布，并且还形成表示结晶区上预定位置的标记。
包括半导体薄膜半导体器件结晶方法装置

[发明专利]结晶设备和方法、电子器件的制造方法、电子器件以及光学调制元件-CN200410103671.7无效
发明人： 秋田典孝;高见芳夫 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2004-12-24 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种电子器件的制造方法，包括相对于结晶设备的衬底台(5)对经过处理的衬底(4)进行定位和用预先设置在经过处理的衬底上的用作参考物的至少一个定位标记(4a、4b)支撑它，向由衬底台支撑的经过处理的衬底的预定区域施加被调制光束并使该区域结晶，以及在用作为参考物的定位标记定位的经过处理的衬底的结晶区中形成至少一个电路元件。
结晶设备方法电子器件制造以及光学调制元件

[发明专利]结晶装置、结晶方法、器件和相位调制元件-CN200410083465.4无效
发明人：谷口幸夫;松村正清;秋田典孝 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2004-09-30 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：本发明包括：具有第一元件(1)和第二元件(2)的光调制光学系统，所述第一元件对入射光束形成所希望的光强梯度分布，所述第二元件对其形成所希望的具有反向峰值形状的光强最小分布；以及一个图像形成光学系统(4)，该图像形成光学系统设置在光调制光学系统和衬底(5)之间，所述衬底具有多晶半导体膜或非晶半导体膜，其中形成光强梯度分布和光强最小分布的入射光束通过图像形成光学系统施加在多晶半导体膜或非晶半导体膜上，由此使未结晶的半导体膜结晶。所述第一元件的图形与第二元件的图形相反。
结晶装置方法器件相位调制元件

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