“神川刚”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果76个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体基板和其制造方法以及制造装置、模板基板-CN202280016192.8在审
发明人：正木克明;神川刚;小林敏洋;林雄一郎;青木优太 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：具备：支承基板(1)；掩模图案(6)，其位于比支承基板更上层，具有掩模部(5)；籽晶部(4)，其在比支承基板更上层配置成俯视观察下局部设置；和半导体部(8)，其在比掩模图案(6)更上层配置成与籽晶部(4)以及掩模部(5)相接，包含GaN系半导体。
半导体制造方法以及装置模板

[发明专利]模板基板及其制造方法、制造装置、半导体基板及其制造方法、制造装置-CN202280016191.3在审
发明人： 神川刚 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：模板基板(7)具备：具有边缘(E)、包括边缘的周缘部(1S)及位于比周缘部靠内侧的位置的非周缘部(1P)的主基板；以及位于比主基板靠上方的位置的掩模图案，掩模图案具有：掩模部(5)；多个第一开口部(KF)，将第一方向作为宽度方向，将第二方向作为长度方向，在俯视时与非周缘部(1P)重叠；以及一个以上的第二开口部(KB)，在俯视时被配置成沿着所述边缘。
模板及其制造方法装置半导体

[发明专利]半导体器件的制造方法、半导体器件以及半导体装置-CN202280016720.X在审
发明人：川口佳伸;神川刚;村川贤太郎 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本公开的半导体器件的制造方法具备：准备具有多个半导体层(11、12、13)的层叠体(10)和具有凹部(21)的第一支承体(20)的工序，其中，所述凹部(21)包括上表面(20a)、侧面(20b)、和与上表面(20a)及侧面(20b)相邻的开口；将层叠体(10)接合于第一支承体(20的上表面(20a)并进行配置的工序；在层叠体(10)上形成第一端面(10a)的工序；和在第一端面(10a)形成第一电介质层(17)的工序。
半导体器件制造方法以及半导体装置

[发明专利]半导体基板及其制造方法、制造装置、电子部件以及电子设备-CN202180087388.1在审
发明人： 神川刚;正木克明;林雄一郎;小林敏洋 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：半导体基板具备基底基板、具有开口部及掩模部的掩模层、以及包括GaN系半导体的GaN系半导体层。GaN系半导体层具有：第一部分，其位于掩模部上；第二部分，位于开口部上，并且沿厚度方向切断GaN系半导体层的剖面中的非穿透位错的位错密度小于第一部分。
半导体及其制造方法装置电子部件以及电子设备

[发明专利]半导体基板、半导体器件、电子设备-CN202180087640.9在审
发明人： 神川刚;正木克明;小林敏洋;林雄一郎 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：具备：异种基板(1)；具有开口部(KS)以及掩模部(5)的掩模层(6)；与开口部重叠的晶种部(3S)；和配置于晶种部上以及掩模部上的包含GaN系半导体的半导体层(8)，在半导体层的有效部(YS)的上表面包含在沿着开口部的宽度方向的第1方向上具有10μm的尺寸、在与第1方向正交的第2方向上具有10μm的尺寸的至少1个低缺陷区域(AL)，在低缺陷区域(AL)中，通过CL法没有测到线状缺陷。
半导体半导体器件电子设备

[发明专利]通过再生长制造的小尺寸发光二极管-CN202180077745.6在审
发明人： S·甘德罗图拉;神川刚 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：一种使用外延横向覆盖生长(ELO)和隔离方法制造和转移高质量且可制造的发光器件(例如小尺寸发光二极管(mLED))的方法。使用生长限制掩模在主衬底上生长III族氮化物ELO层，并且在III族氮化物ELO层的翼部上生长III族氮化物器件层。在利用包括外延桥或非外延桥的联接链保持附着的同时将所得到的器件与主衬底隔离。在器件层的选定台面上进行再生长，以在桥的帮助下实现改进的器件。将桥断开，然后将器件从主衬底上取下并置于显示面板上。
通过再生制造尺寸发光二极管

[发明专利]将图案转移到发光器件的外延层的方法-CN202180073369.3在审
发明人： S·甘德罗修拉;神川刚 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/36 文献下载
摘要：具有集成在其外延层中的光提取或导向结构的发光器件，其中使用横向外延生长技术制造光提取和导向结构，该技术将图案从生长限制掩模和/或主衬底转移到外延层。
图案转移发光器件外延方法

[发明专利]移除衬底的方法-CN201880029662.8有效
发明人： 神川刚;S·甘德瑞蒂拉;李鸿渐;D·A·科昂 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种移除衬底的方法，其包括：在基于GaN的衬底上直接或间接地形成具有多个条带状开口区域的生长限制掩模；以及使用所述生长限制掩模在所述基于GaN的衬底上生长多个半导体层，使得所述生长在平行于所述生长限制掩模的所述条带状开口区域的方向上延伸，且在所述半导体层聚结之前停止生长，由此得到岛状半导体层。针对所述岛状半导体层中的每一者处理装置。执行蚀刻，直到暴露所述生长限制掩模的至少一部分。接着将所述装置结合到支撑衬底。通过至少部分地溶解所述生长限制掩模的湿式蚀刻技术从所述装置移除所述基于GaN的衬底。接着可回收所移除的所述GaN衬底。
衬底方法

[发明专利]实现半导体器件的转移过程-CN202180057247.5在审
发明人： S·甘德罗图拉;神川刚 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种使用外延后期过生长(ELO)和隔离方法制造和转移高质量且可制造的发光器件的方法，例如微型发光二极管(μLED)、边缘发射激光器和竖直腔面发射激光器(VCSEL)。使用生长限制掩模在主衬底上生长III族氮化物半导体层，然后将ELO翼上的III族氮化物半导体层制成发光器件。将器件与主衬底隔离至等于生长限制掩模的厚度，然后从主衬底转移或提升。然后对器件进行后端处理，例如附着分布式布拉格反射器(DBR)镜、形成包层和/或添加散热器。
实现半导体器件转移过程

[发明专利]使用外延横向过生长技术移除器件的方法-CN202180029154.1在审
发明人： 神川刚;荒木正弘;S.甘德罗图拉 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：III族氮化物层的外延横向过生长(ELO)用于覆盖沉积在衬底上的生长限制掩模，其中III族氮化物ELO层以小于500的低V/III比率生长，导致与低速垂直生长相比其具有高速横向生长。III族氮化物ELO层包含超过1×1018cm‑3的大量杂质，这导致III族氮化物ELO层包含着色层。由于大量的杂质，着色层吸收来自有源区域的光。当从衬底上移除器件层的条时，至少一部分着色层从该条上移除。着色层的消除减少了吸收损失，这使得器件特性得到改善。
使用外延横向生长技术器件方法

[发明专利]在外延横向过度生长区域的翼上制造用于垂直腔表面发射激光器的谐振腔和分布式布拉格反射器反射镜的方法-CN202080087526.1在审
发明人： S.甘德罗图拉;神川刚;荒木正弘 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种使用外延横向过度生长(ELO)为诸如垂直腔表面发射激光器(VCSEL)的发光元件制造高质量且可制造的孔的方法。使用生长限制掩模在衬底上生长包括岛状III族氮化物半导体层的条，以及将岛状III族氮化物半导体层制造成横跨条的最小长度的发光谐振腔。谐振腔的孔也沿着外延横向过度生长的翼区域上的条的最小长度制造。分布式布拉格反射器(DBR)被制造为外延横向过度生长的翼区域的底部和顶部上的谐振腔的反射镜。
外延横向过度生长区域制造用于垂直表面发射激光器谐振腔分布式布拉格反射

[发明专利]使用空隙部分移除器件的基板-CN202080033631.7在审
发明人： 神川刚;M.阿拉基;S.甘德罗图拉 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：外延横向过生长(ELO)III族氮化物层在沉积在基板上的生长限制掩模的开口区域上或上方生长，其中ELO III族氮化物层和/或随后再生长层的生长形成一个或多个空隙。III族氮化物器件层生长在ELO III族氮化物层和/或再生长层上或上方。将应力施加到基板处的断裂点，其中空隙有助于施加应力，使得从基板移除由III族氮化物器件层、ELO III族氮化物层和再生长层构成的器件的条。空隙从生长限制掩模释放应力，这有助于防止裂缝。避免生长限制掩模的分解以防止p型层的补偿。
使用空隙部分器件

[发明专利]使用支撑板移除一条的一个或多个装置的方法-CN202080033069.8在审
发明人： 神川刚;S.甘德罗图拉;M.阿拉基 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种使用支撑板从衬底移除装置的方法。由半导体层构成的一个或多个条形成在衬底上，并且一个或多个装置结构形成在条上。至少一个支撑板接合到条，并且将应力施加到支撑板以将条从衬底移除。支撑板用于在条被从衬底移除之后将条划分为一个或多个装置单元，其中装置单元被封装并布置为一个或多个模块。支撑板还可以用于在将条从衬底移除之后制造装置结构中的一个或多个的劈裂分面。
使用支撑一条一个装置方法

[发明专利]平坦化外延横向生长层上的表面的方法-CN202080024824.6在审
发明人： 神川刚;S.甘德罗图拉 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种平坦化外延横向过度生长(ELO)层上的表面的方法，导致获得具有岛状III族氮化物半导体层的平滑表面。岛状III族氮化物半导体层是通过在ELO层彼此聚结之前停止它们的生长而形成的。然后，在生长至少一些III族氮化物器件层之前移除生长限制掩模。移除掩模减少了对岛状III族氮化物半导体层的侧分面的过量气体供应，这有助于在岛状III族氮化物半导体层上获得平滑的表面。该方法还避免了由来自掩模的分解的n型掺杂剂(诸如硅和氧原子)对p型层的补偿。
平坦化外横向生长表面方法

[发明专利]使用沟槽移除器件的方法-CN202080014791.7在审
发明人： 神川刚;S.甘德罗图拉;M.阿拉基 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在基板的开口区域上生长外延横向过生长(ELO)层，其中ELO层高于基板中的沟槽的表面。沟槽易于形成ELO层的对称形状，这使得其适用于倒装芯片接合。ELO层的形状在由ELO层形成的条的背面具有凹陷的表面区域。劈裂点位于比ELO层的底部更高的位置，使得可以有效地向劈裂点施加力以移除条。
使用沟槽器件方法

1
2
3
4
5
6
下一页»
尾页
共 76 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top