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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]移除衬底的方法-CN201880029662.8有效
发明人：神川刚;S·甘德瑞蒂拉;李鸿渐;D·A·科昂 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种移除衬底的方法，其包括：在基于GaN的衬底上直接或间接地形成具有多个条带状开口区域的生长限制掩模；以及使用所述生长限制掩模在所述基于GaN的衬底上生长多个半导体层，使得所述生长在平行于所述生长限制掩模的所述条带状开口区域的方向上延伸，且在所述半导体层聚结之前停止生长，由此得到岛状半导体层。针对所述岛状半导体层中的每一者处理装置。执行蚀刻，直到暴露所述生长限制掩模的至少一部分。接着将所述装置结合到支撑衬底。通过至少部分地溶解所述生长限制掩模的湿式蚀刻技术从所述装置移除所述基于GaN的衬底。接着可回收所移除的所述GaN衬底。
衬底方法

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