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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]自适应光学系统、曝光系统、波像差调节方法及设备-CN202311111061.0在审
发明人：何军;盛乃援;马卫民 -专利权人：光科芯图（北京）科技有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及光刻技术领域，公开了一种自适应光学系统、曝光系统、波像差调节方法及设备。本发明在变形镜对第一光束的相位进行调整得到第二光束之后，首先由波前检测模块检测第二光束的波前图形，然后由图像处理模块基于第二光束的波前图形与预标定的波前图形得到波像差。当波像差不满足预设曝光条件时，不断调整变形镜，直至波像差满足预设曝光条件时，利用第二光束完成曝光。本发明仅通过波前检测模块即可完成波像差的检测工作，结构简单且独立。而且，在波像差补偿的过程中，本方案直接通过图像处理模块调整波前检测模块即可实现对波像差的补偿，其补偿方式简便，且补偿时长短，从而使成像质量和效率提高。
自适应光学系统曝光系统波像差调节方法设备

[发明专利]调平调焦装置-CN202210335170.X在审
发明人： 盛乃援;张乾;林佳 -专利权人：北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种调平调焦装置，涉及半导体设备领域。调平调焦装置包括多组一一对应的照明单元和调焦件，调焦件包括预定数量的第一狭缝，多组一一对应的照明单元和调焦件中的每一组中的照明单元射出的检测光线经第一狭缝形成检测光斑，多组一一对应的照明单元和调焦件所分别的检测光斑构成检测光束，调平调焦装置被设置为使得检测光束射向所述硅片，以检测硅片的表面高度。该调平调焦装置通过多组一一对应的照明单元和调焦件形成的检测光束，在硅片表面形成了较大的曝光视场，解决了现有的调平调焦系统在应对具有工艺缺陷的硅片时测量视场较小，导致测量精度较差的问题，提供一种能够对具有工艺缺陷的硅片的表面高度进行精准测量的调平调焦装置。
平调装置

[发明专利]一种采用变换L1范数约束的光刻光源图形优化方法-CN201910093012.6有效
发明人：李艳秋;孙义钰;李铁;盛乃援 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种采用变换L1范数约束的光刻光源图形优化方法，较之传统的CS‑SO方法、L1范数CS‑SO方法以及Lp范数CS‑SO方法，本发明将光源优化的目标函数用变换L1范数加以约束，从而在优化过程中既保证优化过程对光刻胶中成像时设定的成像矩阵A的鲁棒性，且仅采用很少观测点即可实现光源优化，由此可见，本发明的光源优化方法具备高时效性的同时，还具备高光刻图形保真度；本发明不仅局限于光刻系统中光源的优化，还可以应用到光源‑掩模优化、光源‑掩模‑偏振态优化等更多参数的计算光刻优化中。
一种采用变换 l1 范数约束光刻光源图形优化方法

[发明专利]提升全视场光刻成像均匀性的多目标光源和掩模优化方法-CN201810649199.9有效
发明人：李艳秋;李铁;孙义钰;盛乃援 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种提升全视场光刻成像均匀性的多目标光源和掩模优化方法，将目标函数构造为各视场点图形误差的平均值，从而在优化过程中综合考虑了光刻物镜的全视场偏振像差信息。因此，本发明优化得到的光源和掩模，不只适用于特定视场点的光刻成像，而且适用于全视场光刻成像。对于含有偏振像差的大视场光刻物镜，以上效果有助于提高全视场光刻成像均匀性，保证光刻工艺的良率。
提升视场光刻成像均匀多目标光源优化方法

[发明专利]一种光刻系统多参数协同优化方法-CN201910424931.7在审
发明人：李艳秋;盛乃援;孙义钰 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻系统多参数协同优化方法，能够优化掩模、工艺以及光刻设备参数，同时考虑光刻系统随机误差对成像保真度的影响，使优化后的光刻系统得到良好性能的同时降低系统误差的影响。本发明通过构造包含光刻系统随机误差的综合评价函数，有效降低了光刻成像性能对系统误差的敏感度，提高了光刻工艺稳定性。同时，本发明通过归一化随机梯度法确定参数优化的搜索方向，计算存在随机误差的评价函数时极大地降低了计算量，提高了收敛效率和计算速度。
光刻系统随机误差多参数优化协同随机梯度法参数优化光刻成像光刻工艺光刻设备降低系统评价函数搜索方向系统误差优化掩模综合评价保真度归一化计算量敏感度成像收敛

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