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[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN202310048285.5在审
发明人：穗积康彰;百瀬文彦;武石夏祈;内山谅人 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置和半导体装置的制造方法。半导体装置抑制将绝缘电路板与半导体芯片接合的焊料材料的润湿扩展，并且能够进行高密度安装。该半导体装置的制造方法包括：准备设有电路层(2a)的绝缘电路板(10)的工序，该电路层(2a)具有主表面(21)和相对于主表面(21)的法线方向倾斜的侧面(22)；通过向电路层(2a)的侧面(22)照射激光束，从而使电路层(2a)的侧面(22)的至少局部粗糙化，并且在电路层(2a)的被粗糙化的侧面(22)形成氧化膜(6)的工序；以及在电路层(2a)的主表面(21)经由焊料层接合半导体芯片的工序。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体模块及其制造方法-CN201980006691.7有效
发明人：西田祐平;百瀬文彦;出野尭;北村征宽 -专利权人：富士电机株式会社;同和金属技术有限公司
申请日： 2019-02-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：提供绝缘性基板与密封树脂之间的接合性进一步提高的半导体模块及其制造方法。该半导体模块(50)包括：绝缘性基板(23)；电路图案(24)，其形成于该绝缘性基板上；半导体元件(25、26)，其接合于该电路图案上；以及密封树脂(28)，其密封所述绝缘性基板、所述电路图案以及所述半导体元件。而且，该半导体模块(50)的特征在于，对于所述绝缘性基板的表面(23a)的、位于所述绝缘性基板与所述密封树脂密合的部分处的部分，在所述绝缘性基板的剖面中，在宽度300μm的范围内求得的平均粗糙度为0.15μm以上，在宽度3μm的范围内求得的平均粗糙度为0.02μm以上。
半导体模块及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202280007073.6在审
发明人： 百瀬文彦;大山浩永;穗积康彰 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：提供一种组装容易、具有高可靠性和耐腐蚀性的半导体装置。具备：安装构件(1)，其具有以铜为主成分的布线层(1b)；第1覆盖层(2)，其含有镍，且以布线层(1b)上表面的一部分在开口部(8)露出的方式覆盖布线层(1b)；接合层(3)，其在开口部(8)与布线层(1b)金属性接合；第2覆盖层(6)，其含有镍，且在接合层(3)的上表面与接合层(3)金属性接合；以及半导体芯片(7)，其下表面被第2覆盖层(6)覆盖。接合层(3)具有与布线层(1b)接触的下层(5a)、与第2覆盖层(6)接触的上层(5b)、以及在下层(5a)与上层(5b)之间的中间层(4)，下层(5a)和上层(5b)包含含有锡、铜以及镍的金属间化合物作为主成分，中间层(4)是以锡为主成分且不含铅的合金。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201780002986.8有效
发明人： 百瀬文彦;齐藤隆 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：本发明能够减少在散热板产生的损伤。在半导体装置(100)中，在散热板(140)的背面的第一接合区(142)形成多个小的凹坑，多个凹坑以部分重合的方式构成。通过对在背面产生了条纹状等的损伤的散热板(140)形成如上所述的多个小的凹坑，并且多个凹坑以部分重合的方式构成，从而能够除去背面的损伤，能够减少损伤。另外，如果在散热板(140)的背面的第一接合区(142)形成如上所述的多个小的凹坑，则该背面的第一接合区(142)的硬度变高。因此，防止对背面的第一接合区(142)由多个凹坑部分重合而构成的散热板(140)的背面产生损伤。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201910529230.X在审
发明人：齐藤隆;百瀬文彦;木户和优;西村芳孝 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，本发明的半导体装置为通过键合线(7)将半导体芯片(1)和电路图案(4)电连接的模块结构的半导体装置，在半导体芯片(1)的正面电极的表面形成有正面金属膜，在该正面金属膜通过引线键合而接合有键合线(7)。就半导体芯片(1)而言，在Si基板或SiC基板的正面具有正面电极，在背面具有背面电极。正面金属膜为厚度在例如3μm以上且7μm以下的Ni膜或Ni合金膜。键合线(7)为通过将引线键合前的结晶粒度控制在例如1μm以上且20μm以下的范围内，从而提高了再结晶温度且使强度得到了提高的Al线。由此，能够提供实现了大电流导通和高温动作的高可靠性的半导体装置。
半导体装置半导体芯片键合线金属膜引线键合正面电极背面电极表面形成电路图案高可靠性高温动作结晶粒度模块结构接合大电流电连接再结晶导通制造背面

[发明专利]功率半导体器件的制造方法-CN201210441513.7有效
发明人： 百瀬文彦;西村芳孝 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2012-11-07 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供能够实现高温环境下绝缘耐压和可靠性的提高的功率半导体器件的制造方法。通过组合氧等离子体表面处理工序（工序5）和硅胶注入前的预备加热工序（工序6），能够提高硅胶（9）（保护材料）与带导电图案的绝缘基板（1）及半导体芯片（2）的密合性，实现高温环境下功率半导体器件的绝缘耐压和可靠性的提高。
功率半导体器件制造方法