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[发明专利]一种薄膜半导体与金刚石复合衬底及其制造方法-CN202310960195.3有效
发明人： 王鑫华;刘新宇;高润华;邢湘杰;黄森;魏珂 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜半导体与金刚石复合衬底及其制造方法，属于半导体材料与器件技术领域，避免了现有基于键合技术制造金刚石复合衬底面临的金刚石翘曲度、TTV、表面粗糙度的加工难题，解决了复合衬底孔隙率偏高和结合强度不足等问题导致的高温应力耐受性偏低的问题。该方法包括：提供衬底；在所述衬底表面生长过渡层；对过渡层表面进行表面处理；过渡层表面生长金刚石，得到高导热的复合衬底；剥离，得到目标复合衬底；对目标复合衬底进行退火，之后进行表面光滑化处理；在目标复合衬底上生长氮化镓外延层。本发明解决了生长稳定性和剥离可行性问题，为复合衬底的实现提供了兼容性解决方案。
一种薄膜半导体金刚石复合衬底及其制造方法

[发明专利]用于毫米波雷达的电流复用振荡器和低噪放一体化电路-CN202310784242.3在审
发明人：杨格亮;李企帆;王旭东;王鑫华;廖春连;陈超 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十四研究所
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H03B5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于毫米波雷达的电流复用振荡器和低噪放一体化电路，属于射频接收电路技术领域。该电路包括压控振荡器、电流复用电路以及低噪声跨导放大器，其基于振荡器和低噪声放大器的原理和基础电路，采用电流复用思想，将振荡器和低噪声放大器电路进行纵向堆叠，从而实现其静态偏置电流的重复利用。本发明通过在振荡器和低噪声放大器电路的节点处并联一个电容来实现交流地的特性，使得振荡器和低噪放两个电路能够共用偏置电路，同时可以保持自身电路相对独立的正常工作。本发明能够提高偏置电流的利用率，将整体电路的工作电流降低，使得整个系统的整体功耗大幅下降，具有良好的应用价值。
用于毫米波雷达电流振荡器低噪放一体化电路

[发明专利]一种基于临时载体的SiC/金刚石复合衬底制造方法-CN202310960260.2有效
发明人： 王鑫华;邢湘杰;高润华;刘新宇;黄森;魏珂 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于临时载体的SiC/金刚石复合衬底制造方法，属于半导体材料与器件技术领域，解决了现有碳化硅晶圆与金刚石直接键合后高温退火剥离薄膜时存在高应力的问题和键合界面漏电问题。该制造方法包括：向体SiC的表面垂直注入H离子；对体SiC离子注入面表面进行光滑化、原子原位沉积与活化，对Si衬底的表面进行表面活化；将体SiC离子注入面与Si衬底的活化面键合，形成体SiC/Si复合衬底；对体SiC/Si复合衬底进行高温退火，SiC薄膜从体SiC上剥离，与Si衬底构成SiC/Si复合载体；对Si衬底上SiC薄膜表面进行光滑化；将Si衬底上SiC表面与金刚石衬底键合；去除Si衬底。本发明有效解决了金刚石与SiC键合后的高温剥离退火工艺带来的高应力。
一种基于临时载体 sic 金刚石复合衬底制造方法

[发明专利]一种巴氏合金复合材料的挤压制备装置及制备方法-CN202310696568.0在审
发明人： 王鑫华;张雷;吕贤明;程战;李宁波;周吉发;吴博悦;王蒙;励乾民;王梦凡 -专利权人：中国机械总院集团宁波智能机床研究院有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C22F1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种巴氏合金复合材料的挤压制备装置及制备方法。挤压制备装置包括：容纳装置，容纳装置包括加热装置，并具有容纳内腔，容纳内腔用于容纳巴氏合金和增强纤维，加热装置用于向容纳内腔提供热量，以加热巴氏合金；冲压装置，冲压装置包括第一冲头和第二冲头，第一冲头和第二冲头用于在容纳内腔中交替地往复移动，以冲压混合巴氏合金和增强纤维。本发明能够解决工艺复杂、制备周期长、工艺成本高的问题。
一种合金复合材料挤压制备装置方法

[发明专利]晶圆异质融合方法-CN202210228762.1在审
发明人： 王鑫华;刘新宇;母凤文;魏珂;黄森;项金娟;殷海波;高润华 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆异质融合方法，涉及半导体材料与器件制备技术领域。该方法包括以下步骤：将两片晶圆装入载片腔，对载片腔进行抽真空；通过真空传输腔，将晶圆传送至表面光滑化腔，对晶圆依次进行表面离子束清洗和表面光滑化处理；通过真空传输腔，将晶圆传送至键合腔，对晶圆进行离子束表面活化，同步采用复合元素补偿表面键态，在两片晶圆的表面相对位置各自形成过渡层；将两片晶圆各自的过渡层对准，在预设条件下对两片晶圆进行键合；通过真空传输腔，将键合后的晶圆传送至载片腔。本发明将表面离子束清洗、表面光滑化、无氧真空环境样品传输、附加元素离子结合的氩离子束表面活化及晶圆键合技术集成，实现常温晶圆高质量异质融合。
晶圆异质融合方法

[发明专利]一种基于噪声抵消的抗干扰无源混频器-CN202310638127.5在审
发明人：李企帆;王旭东;王鑫华;廖春连 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十四研究所
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H03D7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于噪声抵消的抗干扰无源混频器，属于集成电路技术领域；其为一种利用恒GM补偿电路优化的基于噪声抵消的抗干扰无源混频器，输入射频电压信号一方面通过主支路采用恒GM补偿的跨导单元转成电流信号，再通过电容耦合到无源混频器进行下变频，生成I、Q两路差分中频信号，另一方面通过辅助支路的无源混频器直接下变频生成I、Q两路差分中频信号。由于主支路的跨导单元的反相结构使信号经过一次反相，实现噪声抵消和抗干扰。本发明利用恒GM补偿电路优化的基于噪声抵消的抗干扰无源混频器，在实现噪声抵消和抗干扰要求的同时，在宽温差(‑45℃‑125℃)环境内优化了混频器的增益和抗干扰性能。
一种基于噪声抵消抗干扰无源混频器

[实用新型]一种丝状钎料制造设备-CN202320346687.9有效
发明人：王梦凡;王鑫华;孙华为;张雷;王博;李群;李宁波;吕贤明 -专利权人：中国机械总院集团宁波智能机床研究院有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B23K35/40 文献下载
摘要：本实用新型提供一种丝状钎料制造设备，包括：密封舱，挤压装置，挤压装置内设于密封舱对应挤压模具的位置，且挤压装置对内设于挤压模具的原料挤压处理；储料部，储料部用于储存原料，并且将原料运输至挤压模具内收料部，收料部设置于挤压模具的下方位置，且收料部与挤压模具之间设有过料孔。本实用新型解决的是如何在丝状钎料的制备过程中，简化工艺是亟待解决的问题的技术问题。
一种丝状制造设备

[发明专利]一种锡基巴氏合金及其制备方法和应用-CN202310771381.2在审
发明人：王蒙;程战;吴博悦;龙伟民;朱挺;张雷;钟素娟;李宁波;周吉发;王鑫华 -专利权人：中国机械总院集团宁波智能机床研究院有限公司;郑州机械研究所有限公司;浙江申科滑动轴承科技有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C22C13/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种锡基巴氏合金及其制备方法和应用，涉及巴氏合金技术领域，具体而言：所述锡基巴氏合金包括按重量百分比计的如下元素成分：Sb 5％～15％、Cu 2％～10％、Ni 0.05％～2％、Co0.05％～3％、Fe 0.01％～0.3％、La 0.01％～0.5％、Ce 0.01％～0.6％、Yb0.01％～0.5％，以及余量的Sn。本发明通过改进锡基巴氏合金的组分，降低生产过程中的断丝率，提高了加工效率，避免因合金丝拉拔困难、断丝频繁等问题而导致的增材制造工艺受限；同时本发明还提供了所述锡基巴氏合金的制备方法及其用途，具备广阔的应用前景。
一种锡基巴氏合金及其制备方法应用

[发明专利]一种噪声抵消无源混频器-CN202310689720.2在审
发明人：杨格亮;李企帆;王旭东;王鑫华;廖春连;陈超 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十四研究所
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H03D7/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种噪声抵消无源混频器，属于混频器技术领域。该混频器包括射频跨导级电路、混频器开关级电路以及跨阻放大级电路，其中，射频跨导级电路采用CMOS互补推挽结构电路，混频器开关级电路采用单平衡无源结构的双下混频并联支路的噪声抵消电路，跨阻放大级电路通过并联的反馈电阻与电容抑制自混频导致的直流失调电压。该混频器采用无源结构，具有更好的线性度和更低的功耗。同时，该混频器采用双下混频并联支路的噪声抵消电路，在高性能模式下，两条支路并行导通，对于输入射频信号，使用噪声抵消网络优化了噪声系数同时提高了转换增益。
一种噪声抵消无源混频器

[发明专利]一种巴氏合金与增强纤维复合材料的制备装置及制备方法-CN202310875475.4在审
发明人：张雷;王蒙;李宁波;程红伟;程战;王鑫华;朱挺;吴博悦;周吉发;李晓迪 -专利权人：中国机械总院集团宁波智能机床研究院有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C22C47/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种巴氏合金与增强纤维复合材料的制备装置及制备方法。制备装置包括：混合装置，混合装置用于将巴氏合金与增强纤维混合，混合装置包括出料口和第一进料口，出料口用于将巴氏合金与增强纤维挤压成型；循环装置，循环装置设有循环始端和循环末端；其中，循环始端和出料口对应设置，循环末端和第一进料口对应设置，以使得循环装置将来自出料口的物料送回第一进料口。本发明能够解决现有的制备巴氏合金与增强纤维复合材料的工艺复杂、制备周期长、工艺成本高的问题。
一种合金增强纤维复合材料制备装置方法

[发明专利]晶体管制备方法及晶体管-CN202210097219.2在审
发明人：蒋其梦;王宇豪;黄森;王鑫华;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管制备方法，包括：提供一个叠层结构，所述叠层结构包括从下向上依次设置的基板、氮化镓沟道层、第一氮化铝膜层、氮化镓铝势垒层、第二氮化铝膜层、P型氮化镓膜层以及重掺杂P型氮化镓膜层；对所述叠层结构的第一区域刻蚀至氮化镓沟道层，并在所述氮化镓沟道层形成背栅电极；在所述叠层结构的第二区域形成间隔设置的源漏电极；对所述源漏电极之间的第三区域刻蚀至P型氮化镓膜层之内，并在所述刻蚀区域形成栅电极。本发明提供的晶体管制备方法及晶体管，能够通过背栅调制来实现栅下空穴的耗尽，从而完成对阈值电压的调制，避免对栅槽的深度刻蚀，提高栅下空穴的迁移率。
晶体管制备方法

[发明专利]氮化镓基CMOS制备方法及氮化镓基CMOS结构-CN202210097292.X在审
发明人：黄森;金昊;蒋其梦;王鑫华;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/8252 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓基CMOS制备方法，包括：提供一叠层结构，所述叠层结构包括由下向上依次设置的衬底、氮化镓缓冲及沟道层、氮化铝插入层、氮化镓铝超薄势垒层、氮化铝截止层、P型氮化镓层以及重掺杂P型氮化镓层；对所述叠层结构的部分区域刻蚀至氮化铝截止层；在刻蚀区域制备源/漏电极以及栅电极形成NMOS，在未刻蚀的区域制备源/漏电极以及栅电极形成PMOS；并对所述NMOS和所述PMOS进行隔离；将所述NMOS和所述PMOS的栅电极通过导电金属进行电连接，将所述NMOS和所述PMOS的漏电极导电金属进行电连接。本发明提供的氮化镓基CMOS制备方法，能够在单个衬底上实现NMOS和PMOS场效应管的集成，避免了器件之间的串扰，提高了CMOS的整体可靠性。
氮化 cmos 制备方法结构

[发明专利]基于氮化镓基增强型器件的探测器及其制作方法-CN201910732534.6有效
发明人：黄森;施雯;王鑫华;魏珂;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：一种基于氮化镓基增强型器件的探测器及其制作方法，该探测器为气体探测器或溶液探测器，当所述探测器用于电解质溶液的检测时，电解质溶液位于栅极开口区域直接与薄势垒层接触，形成一接触界面，电解质溶液影响该接触界面的界面电荷，从而导致二维电子气浓度变化，进一步导致源极和漏极之间的电流变化。当所述探测器用于含氢危险气体的检测时，含氢危险气体中的H浓度影响栅极与薄势垒层接触界面的界面电荷，从而导致二维电子气浓度变化，进一步导致源极和漏极之间的电流变化。与比传统半导体探测器相比，本公开提出的基于GaN基增强型器件的溶液探测器和气体探测器具有更高的探测灵敏度和更低的功耗，器件一次成型制备并且可反复使用。
基于氮化增强器件探测器及其制作方法

[发明专利]一种挤压装置、系统、丝状钎料及其制备方法-CN202310123321.X在审
发明人：王梦凡;龙伟民;张雷;王水庆;路全彬;王鑫华;蒋俊毅;王博 -专利权人：中国机械总院集团宁波智能机床研究院有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： B21C25/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种挤压装置、系统、丝状钎料及其制备方法。其中，挤压装置包括：挤压模具、压头和挤压嘴；挤压模具的一端为挤压部，另一端为挤出部；压头设于挤压部，挤压嘴设于挤出部；挤压模具、压头和挤压嘴共同形成一个用于容纳物料的空腔；挤压装置还包括导流结构，导流结构设于挤出部；其中，导流结构包括上下设置的导流端和固定端；导流端的横截面积的最大值大于固定端横截面积的最大值。本发明解决了钎料、钎剂粉末定比复合混合后挤压成形的工艺复杂，工序繁琐，无法实现连续生产的问题。
一种挤压装置系统丝状料及制备方法

[发明专利]折叠沟道氮化镓基场效应晶体管及其制备方法-CN202310431333.9在审
发明人：黄森;蒋其梦;戴心玥;王鑫华;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种折叠沟道氮化镓基场效应晶体管及其制备方法，该折叠沟道氮化镓基场效应晶体管包括：基础层；多异质结层，包括在氮化镓半绝缘层上自下而上交替堆叠形成的沟道层和势垒层；氮化镓调控层，在多异质结层上从沟道区的一侧延伸到至少一部分沟槽；电流坍塌抑制结构，在多异质结层上形成于沟道区的另一侧，并与氮化镓调控层通过另一部分沟槽隔开；源极和漏极，在氮化镓半绝缘层上分别与多异质结层的两侧接触，漏极与电流坍塌抑制结构的侧面与部分上表面接触；栅极，形成于源极与氮化镓调控层之间的异质结上；连接结构，穿过栅极的上方电连接源极与氮化镓调控层。
折叠沟道氮化场效应晶体管及其制备方法

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