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[发明专利]静态随机存储单元及其制作方法-CN201811212888.X有效
发明人：陈静;王硕;王本艳;葛浩;柴展 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：本发明提供一种静态随机存储单元及其制作方法，上拉晶体管和下拉晶体管的源极均嵌有隧穿二极管结构，可以在不增加器件面积的情况下(最终的有效单元面积可小于7.5μm2)有效抑制PDSOI器件中的浮体效应以及寄生三极管效应引发的漏功耗以及晶体管阈值电压漂移，提高单元的抗噪声能力。并且本发明的SOI六晶体管SRAM单元的制作方法还具有制造工艺简单、与现有逻辑工艺完全兼容等优点，单元内部采用中心对称结构以及单元之间的共享结构，使其方便形成存储阵列，有利于缩短设计SRAM芯片的周期。
静态随机存储单元及其制作方法

[发明专利]基于静态随机储存单元阵列的单粒子翻转检测电路及方法-CN201811243175.X有效
发明人： 王本艳;陈静;董业民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本发明提供一种基于静态随机储存单元阵列的单粒子翻转检测电路及方法，包括：提供一SRAM版图；对所述SRAM版图进行后道布线，将所述SRAM版图中存储单元的器件连接成单粒子翻转检测电路；基于所述单粒子翻转检测电路的输出信号监测单粒子效应敏感区域；其中，所述单粒子翻转检测电路包括由至少两个SRAM存储单元中的器件连接形成的环形振荡器。本发明完全保持SRAM版图布局，只需修改后道器件的连接关系；电路为自激振荡模式，无需增加复杂的检测电路，不需使用复杂的测试系统。也不需要额外开发测试程序；可以把输出直接连接到示波器，测试的过程中可以实时监控单粒子效应敏感区域，从而方便快捷的实现SRAM SEU检测。
基于静态随机储存单元阵列粒子翻转检测电路方法

[发明专利]静态随机存储单元及其制作方法-CN201810561734.5有效
发明人：陈静;王硕;王本艳;柴展 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明提供一种静态随机存储单元及其制作方法，上拉晶体管和下拉晶体管均采用L型栅；可以在牺牲较小单元面积的情况下(最终的有效单元面积可小于8μm2)有效抑制PD SOI器件中的浮体效应以及寄生三极管效应引发的漏功耗以及晶体管阈值电压漂移，提高单元的抗噪声能力；并且本发明的静态随机存储单元的制作方法不引入额外掩膜板、与现有逻辑工艺完全兼容，单元内部采用中心对称结构，不仅有利于MOS管的尺寸和阈值电压等匹配，还有利于形成阵列，方便全定制SRAM芯片。
静态随机存储单元及其制作方法

[发明专利]SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路、测试系统及方法-CN201811301868.X有效
发明人：陈静;王硕;王本艳;柴展;葛浩 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国科学院大学
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明提供一种SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路、测试系统及方法，包括：发射脉冲激光的脉冲激光辐射装置；设置于步进机台上的被测模块，与脉冲激光辐射装置的激光出射口相对；与被测模块连接的器件供电和信号传输采集模块，用于为被测模块提供电源，并检测被测模块的单粒子翻转效应。提供一具有SRAM存储单元的被测模块，将数据写入SRAM存储单元，待器件供电和信号传输采集模块的输出信号稳定后，将SRAM存储单元配置为保持状态；开启脉冲激光辐射装置，对被测模块进行逐点辐照；当器件供电和信号传输采集模块的输出信号改变时，检测到单粒子翻转。本发明结构简单、试验费用低，基于本发明的单粒子翻转效应的研究周期短。
sram 存储单元粒子翻转测试电路系统方法

[发明专利]一种逐次逼近寄存器型模数转换器-CN201611178625.2有效
发明人： 王本艳;易敬军;陈邦明 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H03M1/00 文献下载
摘要：本发明涉及模数转换技术，尤其涉及一种逐次逼近寄存器型模数转换器，包括取样比较器，数模转换器，控制器，寄存器，存储器，处理器和参考电路，比较器将输入模拟量与每个参考模拟量依次进行比较，并输出反映比较结果的一组组数字信号到存储器中，处理器读取并分析一时间段内的存储器中的数字信号，输出与该时间段对应的分析结果，实现处理器对分析结果的自学习更新过程；控制器从处理器接收分析结果，并根据分析结果改变参考模拟量或改变自身的控制信号，使得逐次逼近寄存器型模数转换器改变搜索策略，减少逼近次数，从而达到降低功耗，加快速度，增大分辨率的目的。
一种逐次逼近寄存器型模数转换器

[发明专利]一种开关系统及动态随机存储器-CN201711354297.1有效
发明人： 王本艳;黄添益;陈邦明;景蔚亮;寇煦丰 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G11C7/04 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种开关系统，应用于一极低温环境下；开关系统包括：全耗尽型的SOI器件，包括源极、栅极、漏极以及衬底；温度反馈电路，包括一温度采样端和一电压输出端；电压输出端连接衬底；温度反馈电路通过温度采样端采集外部环境的温度信号，并根据采集到的温度信号生成用于调节衬底中电压的一调节电压；温度反馈电路通过一电压输出端与SOI器件的衬底连接，用于输出调节电压至衬底中；SOI器件在调节电压的调节下进行工作；能够避免低温环境造成的器件中载流子冻结的情况产生，进而避免翘曲效应的产生，提高器件性能。
一种开关系统动态随机存储器

[发明专利]一种三维超导电极材料相变存储器的制备方法-CN201711183761.5有效
发明人： 王本艳;景蔚亮;陈邦明 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维超导电极材料相变存储器的制备方法，采用超导材料作为相变存储单元的电极材料，在临界温度下可以减小相变存储单元的操作电流，实现存储单元的多层叠加，提高相变存储器的集成密度和存储容量。
一种三维超导电极材料相变存储器制备方法

[发明专利]一种1D1R超导电极材料结构的相变存储器的制备方法-CN201711184979.2有效
发明人： 王本艳;景蔚亮;陈邦明 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种1D1R超导电极材料结构的相变存储器的制备方法，采用超导材料铌作为电极材料制备相变存储器。本发明的技术方案，使得电极材料层、加热电极层、第一电极以及第二电极均采用超导材料制备，使得相变存储器的电极材料在临界温度时电极材料可以实现无损耗地传输电能，减小相变存储器的工作电流，进而有效降低相变材料的低阻态阻值，加大高低阻态的的差异，使相变材料在非晶态和晶态的变化更为显著，提高了存储效率。
一种 d1r 超导电极材料结构相变存储器制备方法

[发明专利]基于神经网络芯片的存储结构及其存储方法-CN201610849768.5有效
发明人：易敬军;陈邦明;王本艳 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种基于神经网络芯片的存储结构及其存储方法。存储结构包括：衬底；N位模数转换电路，制备于衬底上；存储阵列，制备于N位模数转换电路上，包括至少一个存储单元，存储单元包括至少两个存储列；一存储列预存储有参考电压，另一存储列用于存储转换的M位进制信号的权重，N位模数转换电路利用参考电压得到M位进制信号的权重，通过读取M位进制信号的权重得到M位进制信号。存储方法包括：利用N位模数转换电路读取存储阵列中预存储的参考电压；N位模数转换电路通过比较参考电压和输入的模拟信号得到M位进制信号的权重；N位模数转换电路读取M位进制信号的权重得到M位进制信号。
基于神经网络芯片存储结构及其方法

[发明专利]一种三维存储器的存储单元结构-CN201810195274.9在审
发明人： 王本艳;陈邦明;景蔚亮;寇煦丰 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种三维存储器的存储单元结构，包括：第一金属连线层，制备有字线；二极管制备层，形成于第一金属连线层的上表面；二极管制备层中具有与字线连接的选通二极管；磁隧道结形成层，形成于二极管制备层的上表面；磁隧道结形成层中制备有分别连接字线和选通二极管的磁隧道结；第二金属连线层，形成于磁隧道结形成层的上表面；第二金属连线层中制备有位线，位线与磁隧道结连接；其中，选通二极管的导通方向朝向字线；能够形成单位面积大的选通二极管，保证了选通二极管的驱动电流，保证了存储单元的存储功能的优良。
二极管制备磁隧道结选通金属连线层上表面字线存储单元结构三维存储器位线半导体技术领域存储单元存储功能连接字线驱动电流导通保证

[发明专利]一种神经网络芯片的制备方法-CN201610200193.4有效
发明人：易敬军;陈邦明;王本艳 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本发明涉及一种芯片的制备方法，尤其涉及神经网络芯片的制备方法。提供一衬底；在衬底上依次铺设体硅和第一3D非易失性存储阵列，构成第一层存储模块；在第一层存储模块上铺设N‑1层存储模块，N为大于1的整数；其中，第M层存储模块由第M‑1外延层和铺设在第M‑1外延层上的第M 3D非易失性存储阵列组成，M为小于或等于N且大于或等于2的整数。采用堆叠多层存储模块的方式，将对处理速度要求高的神经网络电路，设置于第一层存储模块的体硅中；而对处理速度要求不高的神经网络电路，放在由薄膜晶体管组成的外延层中。这种制备方法制成的神经网络芯片具有更高密度、更大规模和更高集成度。
一种神经网络芯片制备方法

[发明专利]一种3D金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法-CN201810187224.6在审
发明人：陈邦明;王本艳;景蔚亮;黄添益 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种3D金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，其属于晶体管领域的技术，包括：硼磷硅玻璃层，所述硼磷硅玻璃层设置于所述外延层上方；所述阱区内依次设有漏极、栅极、源极和衬底极；所述栅极包括：第一导片，所述第一导片设置于所述硼磷硅玻璃层上表面；第一导柱，所述第一导柱穿设于所述硼磷硅玻璃层中；多晶硅体，所述多晶硅体横截面为V字形，所述多晶硅体的尖端嵌设于所述外延层中；所述第一导柱两端分别与所述第一导片和所述多晶硅体相连。该技术方案的有益效果是：本发明加长了导电沟道，增强了栅极的控制的效果，降低了漏电流与功耗，降低了生产成本。
硼磷硅玻璃层多晶硅体第一导柱导片场效应晶体管氧化物半导体外延层导电沟道漏电流上表面晶体管衬底穿设功耗加长漏极嵌设源极生产成本制造

[发明专利]一种导光隔离结构的制备方法及像素晶圆-CN201711071287.7在审
发明人：景蔚亮;王本艳;陈邦明 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种导光隔离结构的制备方法及像素晶圆，包括步骤S1，提供一衬底，并采用一第一刻蚀工艺对衬底的上表面进行刻蚀；步骤S2，采用一氧化工艺对刻蚀后的衬底的表面进行氧化，以于衬底的表面形成一氧化层；步骤S3，采用一第二刻蚀工艺于衬底的上表面形成多个沟槽并去除氧化层；步骤S4，于沟槽中填充隔离材料形成多个深槽隔离结构；步骤S5，于深槽隔离结构以及衬底的上表面沉积一保护层；其中，第二刻蚀工艺为光刻工艺；以及一种像素晶圆；制备工艺简单，导光效果好，可靠性高。
一种隔离结构制备方法像素

[发明专利]板级电路定点加热装置及方法-CN201711057075.3在审
发明人：陈邦明;王本艳;黄添益 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种板级电路定点加热装置及方法，其属于电路保护领域的技术，装置包括隔热板和若干加热孔，其中加热孔分布于隔热板，加热孔中嵌有加热体，加热体之间通过设置于隔热板表面的金属线相连，方法包括步骤S1，在所述隔热板的表面铺设倒S形设置的所述金属线；步骤S2，在所述隔热板的表面涂覆所述绝缘漆；步骤S3，在所述隔热板的表面的预设位置开设所述加热孔；步骤S4，在所述加热孔中嵌设所述加热体。该技术方案的有益效果是本装置体积小，加热效率高，能够大大减少功耗。
电路定点加热装置方法

[发明专利]一种深沟槽隔离结构-CN201711071285.8在审
发明人：景蔚亮;王本艳;陈邦明 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种深沟槽隔离结构，形成于一衬底之上的有源区结构之间的一沟槽内，沟槽及深沟槽隔离结构向下延伸至衬底中；包括覆盖沟槽内壁及底部的绝缘层，以及填充覆盖绝缘层后的沟槽的一填充层；还包括接触结构，连接填充层的上表面；金属层，形成于接触结构的上方并与接触结构连接，用于接收外部电场以改变填充层中的电位；能够通过改变深沟槽隔离结构中填充层的电位，进而阻止电荷隧穿进入填充层，以及避免深沟槽隔离结构底部的等离子损伤而残留的电荷形成的导电通道，从而改善了隔离的有源区结构之间出现的漏电流的情况。
一种深沟隔离结构

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