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[发明专利]一种介质层、制备方法、芯片三维封装方法及应用-CN202310916277.8在审
发明人：曾玮;尹文智;许涛;周艳红;王思亮;陈志亮;桂鹏彬;黄志祥 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C08F289/00 文献下载
摘要：一种介质层、制备方法、芯片三维封装方法及应用，本发明公开了一种铋烯‑PEDOT:PSS‑蚕丝蛋白复合水凝胶及其作为介质层在超级电容型压力传感器封装的应用。复合水凝胶的制备方法包括以下步骤：1)铋烯溶液的制备；2)再生蚕丝蛋白溶液的制备；3)铋烯‑PEDOT:PSS‑蚕丝蛋白复合水凝胶的制备。本发明还提供了一种可穿戴柔性压力传感器，该压力传感器在0～30kPa范围内最高具有2.31kPa‑1高灵敏度，最小检测力低至0.45Pa，具有100/50ms的快速响应/恢复时间以及3100秒的循环稳定性和‑15～70℃的宽温度适应性。同时，本发明还提出了一种压力传感器的集成型3D芯片封装结构，减小了芯片整体体积。本发明为能够进行热/冷感知的可穿戴智能监测提供了新的机会，并展示了在智能机器人中的应用前景。
一种介质制备方法芯片三维封装应用

[发明专利]一种超结MOSFET器件及其加工方法-CN202311007239.7有效
发明人：李睿;王思亮;马克强;胡敏 -专利权人：成都森未科技有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种超结MOSFET器件及其加工方法，超结MOSFET器件至少包括衬底结构、耐压区和槽型栅极结构，耐压区设置在衬底结构上，耐压区至少包括属于第一导电类型的至少一个第一耐压区和属于第二导电类型的至少一个第二耐压区，槽型栅极结构设置在耐压区中的第一耐压区的顶部，第二耐压区内设置有至少一个第三耐压区；第一耐压区顶部设置有第一基区和第二基区，第二耐压区顶部未设置第一基区和第二基区，使得第二耐压区顶部区域形成凹槽结构；第二耐压区顶部区域设置有至少一层截止层使得第二耐压区的顶部空间区域形成凹面结构。针对超结MOSFET器件的反向恢复变硬、软度因子过小的缺陷，本发明降低了体二极管体内的非平衡载流子的数量；还增大了软度因子。
一种 mosfet 器件及其加工方法

[发明专利]一种自对准微沟槽结构及其制备方法-CN202311076189.8在审
发明人：马克强;王思亮;杨柯;李睿;刘粮恺;胡敏;向奕 -专利权人：成都森未科技有限公司
申请日： 2023-08-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种自对准微沟槽结构及其制备方法，微沟槽结构包括：具有相对的第一表面和第二表面的衬底，布置于衬底的第一表面的第一半导体；若干开设于第一半导体和衬底的栅极沟槽；覆盖栅极沟槽内表面的第一绝缘介质层以及布置在栅极沟槽内的第一导电层，与第一导电层绝缘隔离的第二导电层，其中，布置在若干栅极沟槽内的第一导电层以并行方式排列布置，第二导电层和第一半导体通过设置在栅极沟槽之间并与第一半导体对齐布置的金属电极接触孔来实现连接。本申请的微沟槽结构及其制备方法用于解决微沟槽结构的自对准及对准调整问题，适用于微沟槽栅IGBT，可通过自对准工艺和硬质掩膜工艺来制备自对准的微沟槽结构并提升器件的可制造性。
一种对准沟槽结构及其制备方法

[发明专利]钙钛矿埋底界面材料、制备方法及应用-CN202210782601.7有效
发明人：陈志亮;刘端王得;杨良盼;曾玮;王思亮;桂鹏彬;黄志祥 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C09K11/67 文献下载
摘要：本发明公开了钙钛矿埋底界面材料、制备方法及应用，所述钙钛矿埋底界面材料MXene/SnO2QDs具有纳米级的量子点结构；MXene/SnO2QDs包括Ti3C2TXMXene QDs和SnO2QDs，Ti3C2TX MXene QDs的Ti元素分散在SnO2QDs的基底表面，Sn、O、Ti和C元素的含量分别为20‑25％、70‑75％、1‑2％和0‑1％。本发明有效地提高了器件的导电性、稳定性以及各项性能，显著降低了钙钛矿层的缺陷与空位。为钙钛矿器件的发展提供了新思路，在未来的通信、航天、农业等领域的探测等方面有着广泛的应用前景。
钙钛矿埋底界面材料制备方法应用

[发明专利]一种自对准沟槽栅结构IGBT-CN202310353311.5在审
发明人：胡强;唐茂森;马克强;王思亮;蒋兴莉 -专利权人：成都森未科技有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种自对准沟槽栅结构IGBT，至少包括衬底(100)，所述衬底正面上方设置有第二导电类型层a(101)，所述衬底上部设置有至少一根沟槽，所述沟槽同时贯穿对应位置处的第二导电类型层a(101)，所述沟槽内设置有第一绝缘介质层(302)，所述第一绝缘介质层(302)内设置有第一导电层(201)，所述第一绝缘介质层(302)顶部设置有宽度大于第一绝缘介质层(302)的第二绝缘介质层(303)，所述第二绝缘介质层(303)被刻蚀形成侧墙，所述第二绝缘介质层(303)在工艺过程成中起到掩膜的作用。本发明通过第一绝缘介质层、第二绝缘介质层和第三绝缘介质层的材料属性和功能属性不同的特点，无需光刻制备出高密度的元胞结构，突破光刻限制。
一种对准沟槽结构 igbt

[发明专利]一种SOIMOSFET结构-CN202310702671.1在审
发明人：任信钢;琚胡平;智薇;黄志祥;王刚;牛凯坤;王思亮;李迎松;吴先良;曹孙根 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供的一种SOI MOSFET结构，包括衬底层、埋氧层、活性区、源电极、漏电极、栅介质层、栅电极及导热柱，埋氧层设置于衬底层的上表面，埋氧层的材质为SiO2，活性区设置于埋氧层的上表面，源电极和漏电极设置于活性区的上表面，栅介质层设置于源电极与漏电极之间；栅电极设置于栅介质层内，导热柱贯穿埋氧层，导热柱的顶壁与活性区接触。本发明设置了导热柱，从而活性区的热量可以经活性区下方的导热柱将热量散出，从而不会出现活性区晶格温度极度升高的情况，避免了漏电极电流的减小。
一种 soimosfet 结构

[发明专利](PEA)2-CN202310628501.3在审
发明人：桂鹏彬;朱翠杰;李言辉;黄志祥;王思亮;曾玮;任信钢;陈志亮 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10K71/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种(PEA)2PbBr4钙钛矿纳米线阵列的制备方法，其是先制备(PEA)2PbBr4前驱体溶液，取前驱体溶液滴在玻璃基板上，再将PDMS模板印压钙钛矿前驱体溶液上，控制温度0‑30℃使溶液蒸发，钙钛矿分子组装成纳米线结构单晶。本发明提供了一种(PEA)2PbBr4钙钛矿纳米线阵列及制备与其在紫外光电探测器中的应用。在相同的条件下，将纳米线光电探测器与平面光电探测器对比光电流，纳米线光电探测器的光电流提高了2.8倍。对光电探测器测试不同角度的线偏振光下的光电流，发现(PEA)2PbBr4纳米线探测器具有较高的偏振比，Imax:Imin＝1.2。该探测器在紫外波段具有良好的探测能力，并对偏振光也有良好的响应。
pea base sub

[发明专利]MXene/金字塔结构硅衬底光电探测器及其制备方法-CN202310633527.7在审
发明人：桂鹏彬;赵远方;李言辉;孙言明;王思亮;曾玮;陈志亮;黄志祥 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种MXene/金字塔结构硅衬底光电探测器，其包括具有金字塔结构的硅基底和覆盖在硅基底上表面的MXene薄膜，MXene薄膜的覆盖面积为硅基底上表面的5％‑75％，在未覆盖有MXene薄膜的硅基底上表面设置InGa电极，InGa电极与MXene薄膜不接触；所述金字塔结构尺寸不同交错排列，MXene与金字塔结构的硅形成肖特基结。本发明提供一种简单且可重复的碱性溶液水浴加热的方式得到金字塔结构硅基底的方法和使用低成本滴涂的方式将MXene转移到金字塔结构硅基底上制作MXene/金字塔结构硅衬底的光电探测器。这种具有自供电且性能优越的光电探测器，为基于MXene/Si肖特基结结构在光电探测器中的应用开拓了前景。
mxene 金字塔结构衬底光电探测器及其制备方法

[发明专利]WO3-CN202310628577.6在审
发明人： 王思亮;严文龙;夏昌岳;孙创;黄志祥;任信钢;曾玮;桂鹏彬;陈志亮 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种WO3/Al2O3/graphite复合材料及制备与应用，复合材料中WO3纳米颗粒和Al2O3纳米颗粒紧密地附着在石墨片上，该气敏材料具有较大的比表面积以及更多地气体相互作用中心。Al2O3纳米颗粒占WO3纳米颗粒和Al2O3纳米颗粒总质量的2‑12％。通过简单的掺杂与搅拌，即可直接用作气敏材料。其应用于检测2‑CEES气体时，该气体传感器的最佳工作温度为340℃。在工作温度为340℃时，该气体传感器对浓度为5.70ppm的2‑CEES气体的响应时间为5s，恢复时间为42s，灵敏度为69％。
wo base sub

[发明专利]一种硼烯-铋烯衍生的微纳拓扑结构柔性电极、制备方法及其应用-CN202211061442.8有效
发明人：曾玮;余耀辉;王新健;周艳红;卫宁;王思亮;陈志亮;桂鹏彬 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C01B35/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼烯‑铋烯衍生的微纳拓扑结构柔性电极与制备方法及其在超级电容型压力传感器的应用。硼烯‑铋烯衍生的微纳拓扑结构柔性电极主要由内部层的铋烯骨架、中间层的BiOCl、Bi2O3和外部层的二维硼烯复合而成，其制备方法包括：1)内部层的铋烯骨架的制备；2)中间层的BiOCl和Bi2O3的形成；3)外部层的二维硼烯的覆盖。还提供了一种可穿戴柔性压力传感器的制备方法，包括以下步骤：1)再生蚕丝蛋白的制备；2)聚合水凝胶前驱体的制备；3)单电极的组装；4)双电极的组装。该压力传感器在50～150Pa范围内具有1.6kPa‑1超高灵敏度，最小检测力低至0.59Pa，超过10000个周期的耐久度。
一种衍生拓扑结构柔性电极制备方法及其应用

[发明专利]一种V2-CN202310632878.6在审
发明人： 王思亮;张长林;任信钢;曾玮;张绍军 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明属于水系锌离子电池技术领域，具体涉及一种V2CTx‑V2Ox材料及其制备方法和应用。本发明提供的V2CTx‑V2Ox材料，包括多层V2CTx纳米片和生长在所述多层V2CTx纳米片的片层结构表面的V2Ox。本发明提供的V2CTx‑V2Ox材料在多层V2CTx纳米片的片层结构表面生长V2Ox，在具有较大的层间距的基础上V2Ox与多层V2CTx纳米片协同，从而具有优异的电化学性能。同时，本发明通过简单的水热法将多层V2CTx纳米片碱化后再氧化处理，即可直接在V2CTx纳米片表面生长出V2Ox。本发明提供的制备方法简单、可重复性强，具有安全性高、稳定性好、无污染，环境友好的特点，利于商业化应用。
一种 base sub

[发明专利]一种MEMS高g值三轴加速度计-CN202111531486.8有效
发明人：郭小辉;邵爽;金程超;柳天琪;王思亮;曾玮;杨利霞;许耀华;黄志祥 -专利权人：安徽大学
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01P15/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS高g值三轴加速度计，其包括：外部矩形框架，设在外部矩形框架中心的质量块，设在外部矩形框架和质量块之间的回形梁；回形梁与质量块之间通过中间支撑梁连接；外部矩形框架、回形梁及质量块在四角位置通过对角支撑梁连接；在外部矩形框架和回形梁之间连接有敏感微梁，在敏感微梁上设置有压敏电阻。本发明的三轴加速度计结构中心对称，轴间耦合度低，在不牺牲固有频率的同时实现了较高的灵敏度，且其制作工艺简单。
一种 mems 值三轴加速度计

[发明专利]深沟球轴承全自动组装码垛装置-CN202310570051.7在审
发明人：吴静毅;胡文超;王思亮 -专利权人：临清市毅轩轴承有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B65G47/74 文献下载
摘要：本发明属于轴承生产加工技术领域，尤其涉及一种深沟球轴承全自动组装码垛装置，包括机架，所述机架的前方下侧设置工作台，所述机架内设置有分别实现内圈和外圈单独下料的下料导出机构，所述下料机构的前方设置有便于分别控制内圈和外圈导出方向的导引机构，位于所述导出机构上方的机架上设置有可移动调节且便于滚动体自由下落的下料装置，所述丝杆移动组件的上设置有用于承载内圈和外圈的承载机构，与所述承载机构相对应的工作台后方设置有用于顶向外圈且具有转动功能的抵紧机构，所述承载机构的外周还设置有限位机构。本发明充分优化深沟球轴承自动组装的工作进程，调动设备配合的紧密性，提高设备使用回报率，保障效益，适合大规模推广使用。
深沟球轴承全自动组装码垛装置

[发明专利]一种阶梯状树脂整体超薄切割砂轮及其制备工艺-CN202310629100.X在审
发明人：杜晓旭;孙如芳;吴磊涛;李大水;王思亮;荆怀帅;赵赋 -专利权人：郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B24D3/28 文献下载
摘要：本发明属于超硬材料加工及制品技术领域，具体涉及一种阶梯状树脂整体超薄切割砂轮及其制备工艺。所述阶梯状树脂整体超薄切割砂轮，所述砂轮包括支撑环和切割环，其中支撑环轴向厚度大于切割环轴向厚度；支撑环的外径小于切割环的外径。本发明所述阶梯状树脂整体超薄切割砂轮用于切割半导体封装材料、光学玻璃、石英玻璃、陶瓷材料等精密元器件，能够以克服现有树脂整体超薄切割砂轮在切割过程中易产生崩边、翘边、分层、切缝宽等质量缺陷，满足精密切割加工要求，提高切割效率。本发明所述切割砂轮的制备工艺在保证超薄砂轮切割寿命的同时，大幅提高了超薄切割砂轮的成品率和砂轮切割工件的切割质量。
一种阶梯树脂整体超薄切割砂轮及其制备工艺

[发明专利]酞菁铜/倒金字塔形钙钛矿异质结光电探测器及制备方法-CN202310278087.8在审
发明人：陈志亮;刘端王得;陈瑞敬;黄祚昕;叶飞鸿;桂鹏彬;王思亮;曾玮;黄志祥 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明公开一种酞菁铜/倒金字塔形钙钛矿异质结光电探测器及制备方法，包括步骤：1)刻蚀出具有金字塔形表面微结构的硅片，作为生长钙钛矿单晶的基底；2)制备钙钛矿溶液，利用硅片和玻璃片作为限制生长区域的框架，利用种子生长法、空间限域法和逆温结晶法相结合的生长方法制备表面金字塔形的钙钛矿单晶；3)利用热蒸发在钙钛矿单晶表面蒸镀酞菁铜薄膜形成异质结，然后利用导电碳浆作为上下电极制备光电探测器。本发明制备的光电探测器在常温常压下稳定，同时在高湿度的环境下相对于对照组器件具有较好的光电响应，同时器件具有良好的长时间湿度稳定性，对未来海上，舰船，海岛等高湿度环境下的高性能光电探测领域具有指导意义。
酞菁铜金字塔形钙钛矿异质结光电探测器制备方法

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