专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]功率器件及其制备方法-CN201611042864.5有效
  • 王培林 - 王培林
  • 2016-11-21 - 2019-09-13 - H01L29/739
  • 本公开提供功率器件及其制备方法。功率器件包括:第一器件,具有多个第一源区并具有多个第一沟槽,多个第一沟槽把多个第一源区彼此电学隔离;至少一个第二器件,具有多个第二源区并具有多个第二沟槽,多个第二沟槽把多个第二源区彼此电学隔离,其中,第二器件内嵌在第一器件中并且第二器件的第二沟槽与第一器件的相应的第一沟槽相连通,并且第二器件的第二源区与第一器件的第一源区之间有金属间距区,该金属间距区内有另外的P+扩散区以作为第二器件和第一器件之间的电阻性隔离。
  • 功率器件及其制备方法
  • [发明专利]半导体器件及相关制造方法-CN201180067317.1有效
  • 王培林;陈菁菁;D·D·艾多特 - 恩智浦美国有限公司
  • 2011-02-12 - 2019-09-13 - H01L29/78
  • 本发明提供了半导体器件结构及相关的制造方法。示例性的半导体器件结构(100)包括沟槽栅极结构(114)、横向栅极结构(118)、具有第一导电类型的主体区(124)、漏极区(125)以及具有第二导电类型的第一源极区及第二源极区(128、130)。第一源极区及第二源极区(128、130)形成于主体区(124)内。漏极区(125)与主体区(124)相邻,并且第一源极区(128)与沟槽栅极结构(114)相邻,其中被布置于第一源极区(128)与漏极区(125)之间的主体区(124)的第一部分与沟槽栅极结构(114)相邻。主体区(124)的第二部分被布置于第二源极区(130)与漏极区(125)之间,并且横向栅极结构(118)被布置为覆盖于主体区(124)的第二部分之上。
  • 半导体器件相关制造方法
  • [发明专利]绝缘栅双极晶体管及其制备方法-CN201611095687.7有效
  • 王培林 - 王培林
  • 2016-12-01 - 2019-07-05 - H01L29/739
  • 本公开涉及绝缘栅双极晶体管及其制备方法。绝缘栅双极晶体管包括:第一器件,第一器件具有第一栅区、第一集电区和第一发射区;至少一个第二器件,第二器件具有第二栅区、第二集电区和第二发射区,并且第二器件内嵌在第一器件中,其中,第二集电区与第一集电区相连通,并且第一栅区与第二栅区相连通,其中,第一发射区和第二发射区由金属间距区隔离以分别作为第一电流收集区和第二电流收集区;以及至少一个PN结,所述PN结位于第一器件和第二器件之间,并且第一电流收集区的金属接PN结的N+区,第二电流收集区的金属接PN结的P+区。
  • 绝缘双极晶体管及其制备方法

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