专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种PFC电源-CN202010727581.4有效
  • 张文雁;廖光朝 - 深圳合作照明有限公司;深圳云潼科技有限公司
  • 2020-07-21 - 2023-03-17 - H02M1/42
  • 本发明实施例公开了一种PFC电源,包括:电源输入模块、第一控制模块、第二控制模块和检测模块;所述电源输入模块与所述第一控制模块连接,以将交流市电输入到所述第一控制模块;所述检测模块与所述第一控制模块和所述第二控制模块连接,用于对所述第一控制模块的输出信号进行检测以形成反馈信号,并将所述反馈信号传输到所述第二控制模块;所述第二控制模块根据所述反馈信号输出控制信号;所述第一控制模块与所述第二控制模块连接,用于根据所述控制信号将所述交流市电转换为恒压恒流电信号输出。本发明实施例实现了对PFC电源输出信号的反馈检测,提高了PFC电源输出电压的稳定性和精度,降低了PFC电源的电磁兼容性问题。
  • 一种pfc电源
  • [发明专利]一种载流子存储沟槽栅IGBT-CN202210518221.2在审
  • 张伟;田甜;张小兵;廖光朝 - 深圳云潼科技有限公司
  • 2022-05-12 - 2022-08-09 - H01L29/739
  • 本发明实施例公开了一种载流子存储沟槽栅IGBT,包括集电极;设置于集电极一侧的第一导电类型集电区、第二导电类型缓冲区、第二导电类型漂移区以及第一导电类型体区;至少两个栅沟槽;第一栅沟槽包围的第一导电类型体区的表面设置有第二导电类型源区,载流子存储层;第一导电类型漂移区设置有屏蔽掺杂区,屏蔽掺杂区位于第二栅沟槽和第一栅沟槽之间,屏蔽掺杂区的深度大于第一栅沟槽以及第二栅沟槽在第一导电类型漂移区的深度,且包围第二栅沟槽和第一栅沟槽的底部;绝缘层;发射极。本发明可极大提高载流子存储层浓度,增强电导调制效应,降低器件导通压降的同时保证器件的耐压,提高器件可靠性。
  • 一种载流子存储沟槽igbt
  • [发明专利]沟槽内阶梯式场氧的制造方法、SGT器件制造方法及场氧-CN202210566129.3在审
  • 田甜;张伟;张小兵;廖光朝 - 深圳云潼科技有限公司
  • 2022-05-24 - 2022-07-29 - H01L21/336
  • 本发明公开了一种沟槽内阶梯式场氧的制造方法、SGT器件制造方法及场氧,该沟槽内阶梯式场氧的制造方法包括步骤一:提供一衬底,在衬底上生长外延,然后在外延中刻蚀第一沟槽;步骤二:在所述第一沟槽内淀积掩蔽物,该掩蔽物具有抗氧化能力;步骤三:运用掩膜覆盖一定厚度的侧壁掩蔽层后进行蚀刻形成第二沟槽;步骤四:将所述第二沟槽蚀刻至第二指定深度;步骤五:对所述第二沟槽进行氧化形成初场氧;步骤六:腐蚀侧壁掩蔽层,形成第三沟槽;步骤七:对所述第三沟槽进行氧化后场氧。本技术方案利用掩蔽层实现对沟槽部分区域进行掩蔽后进行氧化,待初场氧形成后对掩蔽层腐蚀,消除了掩蔽层的阻碍作用后通过氧化最终得到用于改变SGT器件电场凹陷区域的阶梯式场氧。
  • 沟槽阶梯式场氧制造方法sgt器件
  • [发明专利]一种屏蔽栅沟槽MOSFET及其制作方法-CN202210505353.1在审
  • 张伟;田甜;张小兵;廖光朝 - 深圳云潼科技有限公司
  • 2022-05-10 - 2022-07-22 - H01L29/78
  • 本发明实施例公开了一种屏蔽栅沟槽MOSFET及其制作方法。该屏蔽栅沟槽MOSFET,包括:N+衬底;设置于N+衬底一侧的N‑外延层;N‑外延层内设置有屏蔽沟槽和P型掺杂层,屏蔽沟槽内设置有第一氧化层以及屏蔽多晶硅;其中,P型掺杂层为位于屏蔽沟槽的底部和侧壁的N‑外延层掺杂后形成的膜层,第一氧化层设置于屏蔽沟槽和屏蔽多晶硅之间。进一步优化器件性能。本实施例的技术方案通过在屏蔽沟槽的底部和侧壁形成P型掺杂层,可以实现N‑外延层内部的电荷平衡,提高器件源漏的击穿电压,进而提升器件的性能。
  • 一种屏蔽沟槽mosfet及其制作方法
  • [实用新型]一种直流单相电机驱动功率器件的封装结构-CN202220371189.5有效
  • 张小兵;廖光朝 - 深圳云潼科技有限公司
  • 2022-02-23 - 2022-06-28 - H01L25/07
  • 本实用新型公开了一种直流单相电机驱动功率器件的封装结构。该结构包括引线框架,引线框架包括第一基岛和第二基岛,第一基岛和第二基岛沿第一方向依次排列;第一晶体管组,第一晶体管组位于第一基岛的正面,第一晶体管组包括第一P型晶体管和第一N型晶体管;第二晶体管组,第二晶体管组位于第二基岛的正面,第二晶体管组包括第二P型晶体管和第二N型晶体管;第一P型晶体管和第二P型晶体管的漏极串联电连接;第一P型晶体管和第二P型晶体管的源极分别与第一N型晶体管和第二N型晶体管的漏极一一对应电连接;第一N型晶体管和第二N型晶体管的漏极作为信号输出端。本实用新型减小PCB板占用面积和排线设计难度,提高散热效果和器件一致性。
  • 一种直流单相电机驱动功率器件封装结构
  • [实用新型]一种全桥功率器件的封装结构-CN202220375463.6有效
  • 廖光朝;张小兵 - 深圳云潼科技有限公司
  • 2022-02-23 - 2022-06-28 - H01L25/07
  • 本实用新型实施例公开了一种全桥功率器件的封装结构。该结构包括引线框架,引线框架包括m个基岛,m个基岛沿第一方向依次排列;m个晶体管,每一晶体管与一基岛对应,且每一晶体管设置于其对应的基岛表面;晶体管包括第一晶体管组和第二晶体管组,第一晶体管组包括m/2个晶体管;第二晶体管组包括m/2个晶体管;第一晶体管组中的m/2个晶体管的漏极串联电连接;第一晶体管组中的m/2个晶体管的源极分别与第二晶体管组中的m/2个晶体管的漏极一一对应电连接;第二晶体管组中的m/2个晶体管的漏极作为信号输出端;m为大于或等于2的偶数。本实用新型实施例减小应用全桥功率器件的印刷电路板占用面积,提高散热效果和产品一致性。
  • 一种功率器件封装结构
  • [实用新型]一种全桥功率器件-CN202122752460.8有效
  • 张小兵;廖光朝;陈润 - 深圳云潼科技有限公司
  • 2021-11-11 - 2022-05-13 - H01L23/495
  • 本实用新型实施例公开了一种全桥功率器件。该全桥功率器件包括引线框架,引线框架包括上桥晶粒、下桥晶粒、栅极引脚、源极引脚和漏极引脚;上桥晶粒和下桥晶粒设置于引线框架的背面;栅极引脚、源极引脚和漏极引脚设置于引线框架的正面;引线框架为多边形,且各边至少设置一个缺口。由此,通过在引线框架的各边设置至少一个缺口,可以实现当全桥功率器件在半导体封装制程时,例如封装模封注塑结束分模过程和半导体器件SMT焊接过程中,通过缺口可以使得器件制程封装过程模封固化工序的机械应力得到释放,以及器件在SMT焊接时热应力和机械应力得到释放,从而减少器件的膨胀,进而降低器件膨胀对焊线的影响。
  • 一种功率器件
  • [发明专利]一种电源电路-CN202210131937.7在审
  • 徐磊;张小兵;廖光朝 - 深圳云潼科技有限公司
  • 2022-02-14 - 2022-05-06 - H02M7/04
  • 本发明公开了一种电源电路。该电源电路包括:整流模块、稳压模块、MOS管模块、滤波模块和主控芯片。整流模块将输入的交流电进行整流,输出直流电;稳压模块的输入端与整流模块的输出端电连接,用于将直流电进行分压和稳压,得到降压信号并由其输出端输出;MOS管模块的控制端与稳压模块的输出端电连接,MOS管模块的输入端接入直流电,MOS管模块的输出端输出可控低电压;滤波模块的输入端与MOS管模块的输出端电连接;主控芯片的电源端与滤波模块的输出端电连接。本发明实施例的技术方案通过采用MOS管降低电压,得到可调且稳定的低压直流电,为主控芯片供电,且减小了主板上电源电路占用的体积,可适用于功率较小的应用领域。
  • 一种电源电路
  • [实用新型]一种全桥模块及控制板-CN202122552830.3有效
  • 张小兵 - 深圳云潼科技有限公司
  • 2021-10-22 - 2022-03-18 - H02M7/5387
  • 本实用新型公开了一种全桥模块及控制板,全桥模块包括若干半导体元件、若干引脚端子以及若干焊盘;半导体元件用于构成全桥,全桥、引脚端子封装于模压化合物中,引脚端子的至少一个表面暴露在模压化合物外,焊盘裸露于模压化合物外;模压化合物内部,全桥的电源端、输出端通过引线与对应的焊盘相连接,全桥的控制端、采样端、参考电源端通过引线与对应的引脚端子相连接。
  • 一种模块控制板
  • [实用新型]一种芯片模块-CN202122559425.4有效
  • 廖光朝 - 深圳云潼科技有限公司
  • 2021-10-22 - 2022-03-18 - H01L23/495
  • 本实用新型公开了一种芯片模块,包括第一封装部、第二封装部,第一封装部内部封装有芯片,第二封装部内部封装有引脚端子;在第一封装部以及第二封装部内部,芯片的信号端口与引脚端子相连接;其中,第二封装部用于将芯片模块的尺寸扩展至指定尺寸。本实用新型提出的芯片模块配置有第一封装部和第二封装部,通过第二封装部,可以使芯片模块的尺寸与其功能相同但采用不同封装工艺的控制模块的尺寸相同,当采用指定封装工艺的控制模块需要被替换时,无需对PCB等基的板结构、尺寸及布局进行重新设计和验证,可以采用配置第二封装部的芯片模块直接替换上述控制模块,进而减小人力、时间成本。
  • 一种芯片模块
  • [发明专利]一种功率模块和电机控制器-CN202111346303.5在审
  • 陈润;廖光朝;张小兵 - 深圳云潼科技有限公司
  • 2021-11-15 - 2022-02-25 - H02M7/5387
  • 本发明实施例提供一种功率模块和电机控制器,功率模块包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和串联连接的至少两个温度检测单元;第一晶体管的控制极接入第一控制信号,第一晶体管的第一极与第二晶体管的第一极和第三晶体管的第一级电连接,第一晶体管的第二极与第四晶体管的第一极电连接;至少一个所述温度检测单元被所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管包围,至少一个所述温度检测单元被所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管包围。本实施例提供的功率模块和电机控制器,可以更精确的检测功率模块内部的温度。
  • 一种功率模块电机控制器
  • [发明专利]三相全桥封装芯片-CN202111007962.6在审
  • 张小兵;廖光朝 - 深圳云潼科技有限公司
  • 2021-08-30 - 2021-12-07 - H01L23/495
  • 本发明实施例公开了一种三相全桥封装芯片。其包括基底、三个第一功率晶粒和三个第二功率晶粒;三个第一功率晶粒构成三相全桥的上桥臂,三个第二功率晶粒构成三相全桥的下桥臂;基底包括第一基岛区、第二基岛区和拉筋区;拉筋区围绕第一基岛区、以及围绕第二基岛区;三个第一功率晶粒均设置于第一基岛区,每一第二功率晶粒设置于每一第二基岛区;三个第一功率晶粒分别对应与一个第二功率晶粒连接。本方案设计的三相全桥封装芯片可以减小全桥的功率模块的设计体积,利用基底设计固定承载第一功率晶粒和第二功率晶粒的线路框架替代部分全桥的功率模块的连接线路,简化了全桥的功率模块的线路连接,实现高度集成的三相全桥封装芯片的封装设计。
  • 三相封装芯片
  • [发明专利]芯片框架和功率模块芯片-CN202111002205.X在审
  • 张小兵;廖光朝 - 深圳云潼科技有限公司
  • 2021-08-30 - 2021-12-03 - H01L23/495
  • 本发明实施例公开了一种芯片框架和功率模块芯片。该芯片框架包括:基底,基底包括第一基岛区、第二基岛区、拉筋区和过渡区;拉筋区围绕第一基岛区、以及围绕第二基岛区;过渡区位于拉筋区之间、拉筋区和第一基岛区之间以及拉筋区和第二基岛区之间;基底对应过渡区的厚度小于基底对应第一基岛区的厚度,以及基底对应过渡区的厚度小于基底对应第二基岛区的厚度;其中,第一基岛区用于对应设置三个功率芯片的晶粒,第二基岛用于对应设置一个功率芯片的晶粒。利用本方案设计的芯片框架可以减小全桥的功率模块的设计体积,利用芯片框架替代部分全桥的功率模块的连接线路,便于后续实现全桥的功率模块的无外延引脚的封装设计。
  • 芯片框架功率模块
  • [发明专利]三相全桥功率模块和PCB板-CN202110992802.5在审
  • 廖光朝;张小兵 - 深圳云潼科技有限公司
  • 2021-08-27 - 2021-12-03 - H01L25/07
  • 本发明公开了一种三相全桥功率模块和PCB板。三相全桥功率模块包括引线框架、绝缘封装层和6个功率开关器件;引线框架包括基岛和6个栅极端子,在引线框架的第一表面,基岛用于放置功率开关器件;每一栅极端子与一功率开关器件的栅极对应连接;绝缘封装层包覆功率开关器件和引线框架,并暴露引线框架的第二表面;其中,第二表面为引线框架中与第一表面相对的表面。通过在引线框架上放置功率开关器件,同时通过绝缘封装层封装功率开关器件,从而可以实现采用全桥封装的形式形成三相全桥功率模块,有利于减小三相全桥功率模块的体积。在后续采用三相全桥功率模块形成控制板等结构时,有利于减小控制板等结构的体积。
  • 三相功率模块pcb

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