“泰科天润半导体科技（北京）有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果114个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种MOSFET栅源电压干扰传导路径模型的建模方法-CN202011101993.3有效
发明人：邵天骢;郑琼林;李志君;李虹;黄波;邱志东;张志朋;王作兴;王佳信 -专利权人：北京交通大学;泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种MOSFET栅源电压干扰传导路径模型的建模方法，包括描述脉冲电压和脉冲电流干扰传导过程的双回路传递函数、描述干扰传导路径的标准二阶系统的特征方程。该模型用于揭示高频大功率变换器，MOSFET高速开通和关断时出现的栅源电压干扰机理，所述干扰传导路径模型，可以综合考虑脉冲电压和脉冲电流对MOSFET栅源电压干扰的影响，用于直观、迅速地判断功率变流系统中MOSFET驱动参数、MOSFET封装结构，以及PCB布局设计的合理性。
一种 mosfet 电压干扰传导路径模型建模方法

[实用新型]一种三栅SiC横向MOSFET功率器件-CN202120074536.3有效
发明人：施广彦;李昀佶 -专利权人： 泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种三栅SiC横向MOSFET功率器件，包括SiC衬底，设有一衬底凹槽；SiC外延层，设有一外延凹槽；所述SiC外延层设于所述衬底凹槽内；P型阱区，设有介质槽，所述介质槽内设有沟道区；所述P型阱区设于所述外延凹槽内；栅极，所述栅极包括两个第一侧栅以及一顶栅，所述顶栅两端部分别连接至所述栅极的一端部的侧面，形成倒U型结构，所述顶栅和第一侧栅除顶部以及连接处外均被高k介质包围，所述倒U型结构设于所述介质槽内，且突出于所述介质槽；漏极以及源极，所述源极以及源极设于所述介质槽内，且设于所述U型结构两侧；解决SiC功率MOSFET阈值电压高、饱和工作时驱动电平高，驱动功耗大的问题。
一种 sic 横向 mosfet 功率器件

[发明专利]一种MOSFET栅源电压响应高频脉冲干扰的方法-CN202011102502.7有效
发明人：邵天骢;郑琼林;李志君;李虹;黄波;邱志东;张志朋;王作兴;王佳信 -专利权人：北京交通大学;泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种MOSFET栅源电压响应高频脉冲干扰的方法，将受到干扰的栅源电压划分为干扰动态分量以及稳态分量；根据干扰动态分量以及稳态分量建立栅源电压的动态响应模型，用于预测高频大功率变换器中，MOSFET栅源电压的干扰尖峰和振荡，具备简洁的数学表征和直观的物理意义。
一种 mosfet 电压响应高频脉冲干扰方法

[实用新型]一种三栅SiC JFET横向器件-CN202120317459.X有效
发明人：施广彦;李昀佶 -专利权人： 泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种三栅SiC JFET横向器件，包括纵向自下而上的体电极、外延层、沟道区、源极、漏极、两个第一侧栅和顶栅；每个所述第一侧栅顶部与顶栅相连，两个第一侧栅和顶栅形成倒U型栅金属结构，每个所述第一侧栅底部与外延层连接，并在顶栅处形成栅电极；所述顶栅和第一侧栅均与沟道区直接接触形成pn结；所述源极以及漏极均连接至所述外延层，且均与所述沟道区连接；在较低栅压情况下有足够低的比接触电阻，在低工作频率应用情况下，可以大幅降低驱动功耗。
一种 sic jfet 横向器件

[实用新型]一种低阈值电压SiC圆形栅VDMOSFET功率器件-CN202120317492.2有效
发明人：施广彦;李昀佶 -专利权人： 泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种低阈值电压SiC圆形栅VDMOSFET功率器件，包括纵向自下而上的漏极、N型重掺衬底层、N型轻掺外延层、P型阱区、源极和栅极；所述栅极为圆形；整个栅极呈圆柱形，其除顶部外均被高k介质包围；所述P型阱区上设有介质槽，所述介质槽纵向深度小于P型阱区深度；所述源极以及漏极均设于所述介质槽内；栅极与源极接触部分呈现自然过渡，不存在有尖锐角度的情况，不容易发生电荷积累而造成的击穿问题，提高了VDMOSFET的可靠性。
一种阈值电压 sic 圆形 vdmosfet 功率器件

[实用新型]一种集成SBD的碳化硅UMOSFET器件-CN202120357500.6有效
发明人：施广彦;李昀佶 -专利权人： 泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种集成SBD的碳化硅UMOSFET器件，所述器件包括自下而上的第三金属，N+衬底和N‑外延层；N‑外延层具有第一P‑阱区、第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第一沟槽和第二沟槽；还包括：第一金属，第一金属覆盖部分第一N+注入区上表面、第一P‑阱区侧表面和第二P+注入区上表面以形成欧姆接触；第二金属，第二金属覆盖第一间隔上表面以形成肖特基接触；所述集成SBD的碳化硅UMOSFET器件集成了额外的肖特基二极管，提升器件续流能力；同时利用深P+屏蔽区和部分包围槽角的P+注入区有效屏蔽或缓解栅极氧化层左右两个槽角处的电场集中现象，从而提升器件的反向耐压能力和使用可靠性。
一种集成 sbd 碳化硅 umosfet 器件

[实用新型]一种带屏蔽区的非对称碳化硅UMOSFET器件-CN202120364635.5有效
发明人：施广彦;李昀佶 -专利权人： 泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种带屏蔽区的非对称碳化硅UMOSFET器件；所述器件包括自下而上的第二金属，N+衬底和N‑外延层；N‑外延层具有第一P‑阱区、第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第一沟槽和第二沟槽；还包括：第一金属，第一金属覆盖部分第一N+注入区上表面、第一P‑阱区侧表面和第二P+注入区上表面以形成欧姆接触；利用深P+屏蔽区和部分包围槽角的P+注入区有效屏蔽或缓解栅极氧化层两个槽角处的电场集中现象，从而提升器件的反向耐压能力和使用可靠性。
一种屏蔽对称碳化硅 umosfet 器件

[发明专利]一种具有埋层结构的深层肖特基功率器件及其制备方法-CN202110613801.5在审
发明人：张瑜洁;施广彦;刘刚;李志君;黄波 -专利权人： 泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有埋层结构的深层肖特基功率器件及其制备方法，所述器件包括：衬底层；缓冲层设于所述衬底层上侧面；至少一块埋层，所述埋层设于所述缓冲层上侧面，所述埋层宽度小于所述缓冲层宽度；漂移层设于所述缓冲层上侧面，所述埋层设于所述缓冲层以及漂移层之间，所述漂移层上设有至少一个漂移凹槽；至少一块绝缘型多晶硅层，所述绝缘型多晶硅层设于所述漂移凹槽内，所述绝缘型多晶硅层设有一多晶硅凹槽；至少一块肖特基接触电极，所述肖特基接触电极设于所述多晶硅凹槽内；阳极设于所述漂移层上，且与所述绝缘型多晶硅层以及肖特基接触电极连接；阴极连接至所述衬底层下侧面；解决器件元胞面积过大的问题。
一种具有结构深层肖特基功率器件及其制备方法

[实用新型]一种MOSFET栅极负反馈有源驱动电路-CN202022294764.X有效
发明人：邵天骢;李志君;郑琼林;黄波;王俊兴 -专利权人：北京交通大学;泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种MOSFET栅极负反馈有源驱动电路，用于SiC、GaN等宽禁带半导体器件在桥臂电路中的高速驱动。基于负反馈控制原理，在不牺牲开关速度的前提下，自动抑制栅源电压干扰，实现高速开关下的栅压稳定。所述电路包括：驱动推挽电路、驱动电阻、辅助电容和辅助MOSFET。其中驱动推挽电路为普通的MOSFET驱动芯片，驱动电阻为电阻R，辅助电容为电容C，辅助MOSFET为P沟道MOSFET Qp。该MOSFET栅极负反馈有源驱动电路结构简单，易于实现，可在不牺牲SiC、GaN等宽禁带半导体器件开关速度的前提下，自动抑制栅源电压干扰，实现高速开关下的栅压稳定。
一种 mosfet 栅极负反馈有源驱动电路

[发明专利]一种三栅SiC JFET横向器件-CN202110171334.5在审
发明人：施广彦;秋琪;李昀佶 -专利权人： 泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本发明提供了一种三栅SiC JFET横向器件，包括纵向自下而上的体电极、外延层、沟道区、源极、漏极、两个第一侧栅和顶栅；每个所述第一侧栅顶部与顶栅相连，两个第一侧栅和顶栅形成倒U型栅金属结构，每个所述第一侧栅底部与外延层连接，并在顶栅处形成栅电极；所述顶栅和第一侧栅均与沟道区直接接触形成pn结；所述源极以及漏极均连接至所述外延层，且均与所述沟道区连接；在较低栅压情况下有足够低的比接触电阻，在低工作频率应用情况下，可以大幅降低驱动功耗。
一种 sic jfet 横向器件

[实用新型]一种基于跨导增益负反馈机理的栅源电压扰动抑制电路-CN202022294798.9有效
发明人：邵天骢;李志君;郑琼林;黄波;王俊兴 -专利权人：北京交通大学;泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于跨导增益负反馈机理的栅源电压扰动抑制电路，用于驱动被驱动功率MOSFET(Q1)，被驱动功率MOSFET(Q1)通过驱动芯片作开关动作，包括一驱动管(Q2)；通过驱动管(Q2)的跨导增益，经过被驱动功率MOSFET(Q1)内部寄生电阻，产生位移电流，对被驱动功率MOSFET(Q1)的寄生输入电容充放电，基于跨导增益构建负反馈调节机制，在外界干扰下，控制栅源电压保持稳定，同时抑制栅源电压正向和负向电压发散振荡。
一种基于增益负反馈机理电压扰动抑制电路

[实用新型]一种用于串扰抑制的非线性阻抗驱动电路-CN202022302133.8有效
发明人：邵天骢;李志君;郑琼林;黄波;王俊兴 -专利权人：北京交通大学;泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于串扰抑制的非线性阻抗驱动电路，用于功率半导体器件Q的关断，连接于驱动芯片以及功率半导体器件Q之间，包括基于功率半导体器件Qa的非线性阻抗驱动网络，功率半导体器件Qa用于负责跟随功率半导体器件Q开关状态，改变非线性阻抗驱动网络的输出阻抗，稳定功率半导体器件Q的栅源电压；所述功率半导体器件Q和功率半导体器件Qa具有对偶的沟道特性，利用功率半导体器件Qa与功率半导体器件Q的沟道互补特性，采用一路驱动信号，就可以实现功率半导体器件Qa和功率半导体器件Q的互补开通。
一种用于抑制非线性阻抗驱动电路

[发明专利]一种低阈值电压SiC圆形栅VDMOSFET功率器件-CN202110153649.7在审
发明人：施广彦;秋琪;李昀佶 -专利权人： 泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种低阈值电压SiC圆形栅VDMOSFET功率器件，包括纵向自下而上的漏极、N型重掺衬底层、N型轻掺外延层、P型阱区、源极和栅极；所述栅极为圆形；整个栅极呈圆柱形，其除顶部外均被高k介质包围；所述P型阱区上设有介质槽，所述介质槽纵向深度小于P型阱区深度；所述源极以及漏极均设于所述介质槽内；栅极与源极接触部分呈现自然过渡，不存在有尖锐角度的情况，不容易发生电荷积累而造成的击穿问题，提高了VDMOSFET的可靠性。
一种阈值电压 sic 圆形 vdmosfet 功率器件

[发明专利]带屏蔽区的非对称碳化硅UMOSFET器件及制备方法-CN202110174578.9在审
发明人：施广彦;秋琪;李昀佶 -专利权人： 泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种带屏蔽区的非对称碳化硅UMOSFET器件及制备方法；所述器件包括自下而上的第二金属，N+衬底和N‑外延层；N‑外延层具有第一P‑阱区、第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第一沟槽和第二沟槽；还包括：第一金属，第一金属覆盖部分第一N+注入区上表面、第一P‑阱区侧表面和第二P+注入区上表面以形成欧姆接触；利用深P+屏蔽区和部分包围槽角的P+注入区有效屏蔽或缓解栅极氧化层两个槽角处的电场集中现象，从而提升器件的反向耐压能力和使用可靠性。
屏蔽对称碳化硅 umosfet 器件制备方法

[外观设计]直流电源系统-CN202030438703.9有效
发明人：黄波;李志雨;刘静;李志君;王俊兴 -专利权人： 泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： 13-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：直流电源系统。2.本外观设计产品的用途：在船舶直流供电、船舶水处理系统、工业冶炼、电解、电镀电源系统等船用类、工业类应用场景作为直流电源使用。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
直流电源系统