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[发明专利]一种调控基平面位错的SiC外延生长方法-CN202310309155.2在审
发明人：于乐;李哲洋;汪久龙;李永平;金锐;魏晓光 -专利权人：北京智慧能源研究院
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：一种调控基平面位错的SiC外延生长方法，是一种通过缓冲层工艺和原位刻蚀工艺实现兼具高基平面位错转化率以及基平面位错转化点下移的4H‑SiC外延生长方法。本发明在外延层生长前进行多个周期的缓冲层生长和原位刻蚀，一方面通过调控位错弹性能和材料内应力促使基平面位错转化率进一步提高，实现高基平面位错转化，另一方面通过调控表面形貌来调节镜像力的作用，使基平面位错的转化点发生下移，从而满足高压大电流电力电子器件的性能和可靠性需求。
一种调控平面 sic 外延生长方法

[发明专利]一种快速加热湿法腐蚀碳化硅半导体材料的方法-CN202310309126.6在审
发明人： 汪久龙;李哲洋;于乐;李永平;金锐;魏晓光 -专利权人：北京智慧能源研究院
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速加热湿法腐蚀碳化硅半导体材料的方法，该方法使用激光作为热源，加热熔融氢氧化钾在碳化硅材料表面形成局部湿法腐蚀，在碳化硅材料表面腐蚀形成凹槽。本发明可以对具有高化学稳定性、高硬度的碳化硅半导体材料表面进行高速、高深度的凹槽制备，且具有流程简单、工艺稳定和成本低廉的优点。
一种快速加热湿法腐蚀碳化硅半导体材料方法

[发明专利]一种用于制备超结结构的4H-SiC沟槽外延生长方法-CN202310392938.1在审
发明人：李哲洋;于乐;汪久龙;李永平;金锐;魏晓光 -专利权人：北京智慧能源研究院
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种用于制备超结结构的4H‑SiC沟槽外延生长方法，在衬底或外延层表面设置周期性沟槽结构，将进行沟槽外延的材料装入反应腔中；对反应腔通入氩气，设置反应腔压强，将反应腔内的温度升温；保持氩气通入的同时通入硅烷，维持温度及压强，进行原位退火处理；将混合气切换为氢气，设置反应腔内的温度和压强；维持设置的温度及压强，进行原位刻蚀处理一定时间；再次设置反应腔内的温度和压强；进行外延层生长。本发明在外延生长前通过原位退火工艺及原位刻蚀工艺调节沟槽形貌，调控沟槽结构的曲率半径；在外延生长过程中向反应腔内通入氯化氢，提高材料表面自由能；形成具备增强沟槽底部生长速率及抑制台面生长速率功能的沟槽外延生长模式。
一种用于制备结构 sic 沟槽外延生长方法

[发明专利]一种改善表面形貌的SiC衬底预处理方法-CN202310308771.6在审
发明人：李哲洋;于乐;汪久龙;李永平;金锐;魏晓光 -专利权人：北京智慧能源研究院
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善表面形貌的SiC衬底预处理方法，在原位刻蚀过程中通入碳源、硅源，避免碳富集或硅富集造成表面形貌的劣化，并通过碳源、硅源的辅助处理效果起到提升表面损伤修复效果、降低表面粗糙度、以及抑制原子台阶聚并等作用，从而提供有着规则原子台阶结构的衬底表面，提升外延生长的质量。
一种改善表面形貌 sic 衬底预处理方法

[发明专利]一种进气装置及化学气相沉积设备-CN202110478031.8在审
发明人： 汪久龙;赵思齐;申占伟;闫果果;赵万顺;王雷;刘兴昉;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本公开提供了一种进气装置，该进气装置包括：送气结构、缓冲气室、调节装置、出气板、气流挡板和外壳；送气结构与外壳相连接；出气板与外壳相连接，形成缓冲气室；气流挡板位于缓冲气室内，气流挡板的中心与送气结构的中心重合；气流挡板与调节装置相连接；调节装置控制气流挡板沿进气方向往复移动；出气板上包括若干出气孔。本公开通过在送气口设置气流挡板，与缓冲气室配合，可有效减轻气体流速不均匀性，同时，出气板的均匀开孔可以确保后续气流整体流速、流量均匀性较好。且单间缓冲气室与单层出气板可有效降低装置总体结构复杂度、降低送气结构内部压力、提高整体气密性。
一种装置化学沉积设备

[发明专利]一种在硅熔体表面通过CVD制备自支撑碳化硅晶圆的方法-CN202010050175.9在审
发明人：刘兴昉;闫果果;申占伟;汪久龙;赵万顺;王雷;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：一种在硅熔体表面通过CVD制备自支撑碳化硅晶圆的方法，包括在一图形衬底上制备硅膜；在生长炉中升高温度使硅膜熔化形成硅熔体；保持温度不变，向生长炉中通入碳氢化合物气体，一段时间后形成悬浮于硅熔体表层的碳化硅籽晶层；向生长炉中通入碳氢化合物气体和硅氢化合物气体，在碳化硅籽晶层上同质外延生长，形成碳化硅自支撑层；将含有碳化硅自支撑层的图形衬底降温后去除所述硅膜，得到剥离的碳化硅自支撑层，将之研磨抛光并整形后，即得到所述碳化硅晶圆。本方法避免了传统方法的劣势，具有简便易行，容易推广等优点；本发明可以使用价格低廉的蓝宝石衬底，衬底还可以重复使用，进一步降低成本。
一种体表通过 cvd 制备支撑碳化硅方法

[发明专利]用于碳化硅材料生长和后处理的高温装置及方法-CN202010044551.3在审
发明人：刘兴昉;闫果果;申占伟;汪久龙;王雷;赵万顺;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种用于碳化硅材料生长和后处理的高温装置及方法，用于碳化硅材料生长和后处理的高温装置包括射频感应加热炉和碳化硅桶；射频感应加热炉包括炉腔、由内到外依序位于炉腔内的感应发热体和保温毡；碳化硅桶位于感应发热体内，碳化硅桶的两端分别设置桶盖和相对应的导气管，形成整体件；整体件内部设置为供碳化硅材料生长和后处理区域，用于流通生长性气体或氧化性气体；其中，整体件、感应发热体、保温毡和炉腔内壁之间均存在间隙，形成气体流通通道，用于流通惰性气体以进行气体隔离。本发明既能延长感应发热体和保温毡的使用寿命，也能防止感应发热体和保温毡在高温下析出杂质影响碳化硅材料的制备。
用于碳化硅材料生长处理高温装置方法