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[发明专利]氮化镓基激光器限制层的制备方法及所得限制层和激光器-CN202210210936.1有效
发明人：黄思溢;池田昌夫;张名龙;刘建平;张书明;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基激光器限制层的制备方法、由该方法制得的氮化镓基激光器限制层以及具有该限制层的氮化镓基激光器。该氮化镓基激光器限制层的制备方法包括，外延生长掺杂Mg的短周期AlGaN/GaN超晶格结构，其中，仅在生长所述AlGaN/GaN超晶格结构中的GaN层时，进行Mg的掺杂，且所述GaN层中Mg的掺杂浓度小于等于1E19cm‑3。由该方法得到的限制层，能够维持限制层内AlGaN/GaN结构的极化效应，提升p型限制层的空穴浓度，降低了电阻率；在其应用于垂直型氮化镓基激光器时，可以提升氮化镓基激光器的性能。
氮化激光器限制制备方法所得

[发明专利]夹具盒-CN201780012449.1有效
发明人： 池田昌夫;林拓也;山边悦朗;松波秀明;大塚涉;阿部哲郎 -专利权人：住友电木株式会社
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： A61B17/122 文献下载
摘要：本发明提供一种能够容易且可靠地将夹具安装于处置器具主体的夹具盒，所述夹具为能够容易地进行一系列的操作的结构。本发明的夹具盒(200)具备：内壳(30)，具有收容夹具(110)的第一收容区域(32)；外壳(40)，具有供处置器具主体(90)插通的长条状的插通孔(43)和以能够移动的方式收容内壳(30)的第二收容区域(42)。处置器具主体(90)插入插通孔(43)而向前方压入操作线，由此，前端连结部与套筒的扩径部从护套突出而进入第二收容区域(42)，而且扩径部扩径，通过进一步压入操作线被而前端连结部与夹具(110)呈连结状态，通过牵引操作线而内壳(30)相对于外壳(40)后退并向后方按压套筒，由此扩径部一边缩径一边被拉入护套内。
夹具

[发明专利]生物体组织粘合剂涂敷用具-CN201710001316.6有效
发明人：铃木善悦;池田昌夫;内田隆德;市来修;冈史郎 -专利权人：住友电木株式会社
申请日： 2011-11-07 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： B05B7/04 文献下载
摘要：本发明提供生物体组织粘合剂涂敷用具。生物体组织粘合剂涂敷用具(100)具有：喷嘴主体(1)、气体注入口(2)、药液注入口(3a·3b)、药液流出口(4a·4b)、药液流通管(5a·5b)、气体喷出口(6)、连通口(8a·8b)以及逆止阀(7b)。气体喷出口(6)设置于药液流出口(4a·4b)的附近，通过喷射从气体注入口(2)填充于喷嘴主体(1)的内部的气体，而使药液雾化并将其相互混合。连通口(8a·8b)将喷嘴主体(1)的内部与药液流通管(5a·5b)的内部连通。逆止阀(7b)设置于连通口(8a·8b)与药液注入口(3a·3b)之间。逆止阀(7b)单方面地允许药液从药液注入口(3a·3b)流入药液流通管(5a·5b)的内部。
生物体组织粘合剂敷用

[发明专利]高频处置器具、高频处置器具用刀及高频处置器具用前端处置器具-CN201880057631.3在审
发明人：伊丹康人;池田昌夫;石井靖久 -专利权人：住友电木株式会社
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： A61B18/14 文献下载
摘要：一种高频处置器具(200)，其是在前端部具备具有一对剪刀部(10)并用于切开活体组织的高频处置器具用刀(100)的医疗用高频处置器具(200)，其中一对剪刀部(10)构成为，能够通过沿互相靠近的方向转动来剪切活体组织，一对剪刀部(10)各自具有刃面(13)，一对剪刀部(10)的各自的表面包括非导电性层(绝缘性被膜(12))的形成区域和在刃面(13)的表面中未形成非导电性层的电极区域(19)，关于一对剪刀部(10)中的至少一个，该剪刀部(10)的板厚方向上的电极区域(19)的宽度尺寸根据该剪刀部(10)的长度方向上的位置而不同。
高频处置器具前端

[发明专利]InAlGaN系列合金材料的制备方法-CN201510990660.3有效
发明人：张峰;池田昌夫;刘建平;张书明;李德尧;张立群;孙钱;杨辉 -专利权人：杭州增益光电科技有限公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种InAlGaN系列合金材料的制备方法，包括如下步骤：在H
载气生长掺杂层退火非掺杂层氮氢混合气体叠层结构反向漏电合金材料逐步升温衬底减小镓源制备平整恢复

[发明专利]具有AlGaN插入层的GaN基半导体发光器件及其制作方法-CN201910620133.1在审
发明人：张峰;池田昌夫;刘建平;张书明;李德尧;张立群;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有铝镓氮插入层的氮化镓基半导体发光器件及其制作方法，该半导体发光器件包括量子阱结构，其中，所述量子阱结构包括至少一组氮化镓量子垒和铟镓氮量子阱，每组氮化镓量子垒和铟镓氮量子阱之间包括至少一层铝镓氮插入层。本发明通过采用铝镓氮插入层设置在量子阱结构的氮化镓量子垒与铟镓氮量子阱之间，不仅有助于获得氮化镓量子垒上的原子级平整的表面，提高界面陡峭度、消除V形缺陷，并可减小器件漏电、提高发光均匀性，还有助于平衡铟镓氮量子阱生长过程中积累的应力，减少因应变能积累导致的量子阱材料的位错，因此有利于提升材料成型的质量。
氮化镓量子垒铟镓氮铝镓氮插入层量子阱结构量子阱发光器件半导体发光器件氮化镓基半导体发光均匀性量子阱材料量子阱生长漏电材料成型插入层陡峭度应变能原子级减小位错积累制作平整平衡

[发明专利]InGaN量子点的外延生长方法及其应用-CN201810299704.1有效
发明人：江灵荣;田爱琴;刘建平;张书明;池田昌夫;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院大学
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种InGaN量子点的外延生长方法，其包括步骤：A、在外延生长装置中，在衬底上依次叠层生长n型GaN层、第一GaN垒层和InGaN阱层；B、在InGaN阱层上制作GaN量子点；C、以GaN量子点为掩膜，刻蚀InGaN阱层，在GaN垒层上获得InGaN量子点；D、生长GaN盖层；E、在GaN盖层上生长第二GaN垒层，获得InGaN量子点外延结构。本发明通过制作GaN量子点，并以该GaN量子点作为掩膜来制作InGaN量子点的方法，可在衬底上制备获得尺寸均匀且可控的InGaN量子点；由此，以基于上述获得的InGaN量子点的InGaN量子点外延结构作为发光层而形成的发光器件，可具有更小的发光半宽。本发明还公开了一种具有上述外延生长方法获得的InGaN量子点外延结构的发光器件。
量子点外延结构外延生长垒层发光器件衬底盖层掩膜生长制作外延生长装置发光层可控的叠层刻蚀制备发光应用

[发明专利]内窥镜用夹具装置及夹具-CN201580078334.3有效
发明人：林拓也;池田昌夫;宇津木洋志;山边悦朗;松波秀明 -专利权人：住友电木株式会社
申请日： 2015-08-21 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： A61B1/00 文献下载
摘要：根据本发明，提供一种容易进行夹具与操作线的连结操作，并且能够通过减少处理器具主体的更换频率而迅速进行操作的内窥镜用夹具装置及夹具。本发明的内窥镜用夹具装置(100)具备：夹具(110)，其具有用于把持生物体组织的多个臂部(120)及卡止部(130)；及处理器具主体，其具有长形护套(10)及在远位端设置有块状前端连结部(50)的操作线(20)。通过在容纳部(134)容纳有前端连结部(50)的状态下向进退方向的近位侧牵引操作线(20)而臂部(120)闭合并把持生物体组织。通过在臂部(120)闭合的状态下进一步向近位侧牵引操作线(20)而前端连结部(50)使突起部(140)向外变形来打开容纳部(134)，从而能够从容纳部(134)拔出前端连结部(50)。
内窥镜夹具装置

[发明专利]GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法-CN201510783197.5有效
发明人：孙钱;冯美鑫;周宇;杨辉;池田昌夫;刘建平;张书明;李德尧;张立群 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-11-16 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法。所述激光器和超辐射发光二极管的脊型结构通过外延生长直接形成，其包括表面分布有条形台阶结构的衬底，设置在所述衬底上并包覆所述条形台阶结构的、具有脊型结构的外延层，所述外延层包括依次于衬底上形成的下接触层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层和上接触层。本发明通过在衬底上形成窗口区或预先刻蚀形成台阶结构的方法，直接在衬底上生长激光器和超辐射发光二极管脊型，脊型结构的两侧生长有光学限制层，不仅可有效提升器件的横向限制，降低器件的阈值电流，同时还可省去刻蚀操作，从而避免刻蚀损伤，进一步降低器件阈值电流，提高器件可靠性。
gan 激光器辐射发光二极管及其制备方法

[发明专利]探针、探针操作部以及探针的制造方法-CN201480017440.6有效
发明人：兼政贤一;原田新悦;阿部喜宏;田中速雄;池田昌夫;鎌田圭司 -专利权人：住友电木株式会社
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： A61M25/092 文献下载
摘要：本发明提供探针、探针操作部以及探针的制造方法。本发明的探针具备：长条且挠性的管状主体；操作线，其是多根，被插通至该管状主体且前端部与管状主体的远位部连接；操作部主体，其被设置于管状主体的基端部；以及弯曲操作部。弯曲操作部具有与操作线的基端部卡合的卡合部，通过牵引操作对多根操作线独立地施加牵引力使管状主体的远位部弯曲。弯曲操作部以能够移动的方式被设置于操作部主体。通过使弯曲操作部和操作部主体相对移动，从多根操作线的前端部到卡合部的路径长度都增大或者都减少。
探针操作以及制造方法

[发明专利]具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法-CN201510067685.6有效
发明人：张峰;池田昌夫;周坤;刘建平;张书明;李德尧;张立群;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法。该器件包含多量子阱结构，所述多量子阱结构包含交替生长的复数铟镓氮层，并且在所述多量子阱结构中不同量子垒层中的平均铟含量由P型侧向N型侧逐渐降低，而至少一量子垒层中的铟含量由P型侧向N型侧逐渐升高。本发明器件因采用复合渐变量子垒结构，可以降低量子阱区的极化电场，增加电子和空穴的复合效率，以及改善空穴输运，减小阱间空穴分布不均匀性，并且减小电子泄露，进而可明显提高发光二极管等器件的发光效率，并显著抑制其效率下降等问题，同时，其制备工艺简单可控，易于规模化实施。
具有复合渐变量子结构氮化半导体器件及其制法

[发明专利]活体组织粘接剂涂敷用具以及喷嘴头-CN201280047797.X有效
发明人： 池田昌夫;木村寿;嵯峨秀树;羽室强;冈史郎;安部美奈子 -专利权人：住友电木株式会社
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： A61B17/11 文献下载
摘要：本发明提供活体组织粘接剂涂敷用具以及喷嘴头。活体组织粘接剂涂敷用具(100)由喷嘴主体(10)、气体注入口(15)、药液注入口(16a、16b)、长条状的喷嘴管(20)以及喷嘴头(30)构成。喷嘴头(30)具有从药液排出口(34a、34b)将药液朝外部排出的药液喷出路(33a、33b)、和从气体喷出口(35a、35b)朝外部喷射气体的气体喷出路(22)。药液喷出路(33a、33b)以及气体喷出路(22)相对于喷嘴头(30)的中心轴倾斜。在从喷嘴主体(10)的远位端(DE)侧目视观察的状态下，药液排出口(34a、34b)和气体喷出口(35a、35b)位于相比喷嘴头(30)的外周缘靠内侧的位置。
喷嘴头粘接剂涂敷活体组织气体喷出口喷嘴主体排出口气体注入口药液注入口喷射气体长条状喷嘴管外周缘中心轴外部排出观察

[发明专利]具有倾斜量子垒结构的氮化镓半导体发光二极管及其制法-CN201410408878.9有效
发明人：周坤;池田昌夫;刘建平;张书明;李德尧;张立群;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2014-08-20 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有倾斜量子垒结构的氮化镓半导体发光二极管及其制法。该发光二极管包括依次层叠的N型氮化镓层、多量子阱结构层和P型氮化镓层，所述多量子阱结构层包含交替层叠的复数铟镓氮阱层和复数铟镓氮垒层，并且各铟镓氮垒层中铟的摩尔含量沿着由P型氮化镓层指向N型氮化镓层的方向逐渐递减。该发光二极管可通过MOCVD等外延工艺生长形成。藉由本发明的技术方案，不但能降低量子阱内极化效应产生的极化电场，能增加电子空穴在量子阱中的复合效率，降低空穴迁移的势垒，使电子和空穴更均匀地分布在多个量子阱中，还能有效减少电子的泄露，从而提高发光二极管在大电流密度下的发光效率，解决发光二极管中效率下降的问题。
具有倾斜量子结构氮化半导体发光二极管及其制法

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN201610453646.4在审
发明人：胡威威;张书明;周坤;池田昌夫;刘建平;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，包括氮化镓衬底，所述氮化镓衬底的顶部形成有外延结构，所述外延结构连接有第一电极和第二电极，所述氮化镓衬底的底部形成有凸出的微结构层。本发明提供的发光二极管及其制作方法，对氮化镓衬底的底部进行腐蚀形成微结构层，然后在具有微结构层的氮化镓衬底的底部沉积反射膜，使得光线在发光二极管内部的传输路径发生改变，避免光线在发光二极管内部来回循环反射，从而减小光线在发光二极管内部的损耗，增大了光线从发光二极管内部折射出来的概率、提升了发光二极管的外量子效率；同时，采用氮化镓作为衬底，降低了氮化镓基发光二极管的晶格失配度以及位错密度。
发光二极管及其制作方法

[发明专利]用于p型AlGaN霍尔测试的欧姆接触层及其制备方法-CN201610864320.0在审
发明人：田爱琴;刘建平;池田昌夫;张书明;李德尧;张立群;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于p型AlGaN霍尔测试的欧姆接触层，其包括衬底；在所述衬底上的缓冲层；在所述缓冲层上的不掺杂的u型GaN层；在所述u型GaN层上的p型AlGaN厚层；在所述p型AlGaN厚层上的Al组分渐变的p型AlGaN层；在所述Al组分渐变的p型AlGaN层上的重掺杂的p型GaN层。本发明还公开一种用于p型AlGaN霍尔测试的欧姆接触层的制备方法。本发明采用Al组分渐变的p型AlGaN层和重掺杂的p型GaN层作为欧姆接触层的I‑V曲线具有良好的线性关系，在获得良好的欧姆接触性能的同时，消除了p型AlGaN厚层与重掺杂的p型GaN层之间的极化电荷，从而在进行霍尔测试时，获得准确的测试结果。
用于 algan 霍尔测试欧姆接触及其制备方法

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