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[实用新型]一种晶圆检查装置-CN202320848235.0有效
发明人：杨顺峰;董务乐;赵晓明;董国庆;文国昇;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶圆检查装置，包括：检测组件、及设置在所述检测组件的下方且用于夹持晶圆的夹具，所述检测组件包括支撑架、安装于所述支撑架上的检测系统和线光源结构，所述线光源结构设置于所述检测系统的下方，所述检测系统包括摄像模块、及与所述摄像模块电性连接的控制模块，所述线光源结构包括安装框、安装于所述安装框上透光板、间隔排列设置于所述透光板上的多根导光带、以及设置在所述透光板一侧的光源，所述光源与所述控制模块电性连接，所述控制模块用于启动所述光源和所述摄像模块，所述光源用于照射光线至所述透光板上的所述导光带处，防止在分切前有破片的情况发生，从而提高良品率。
一种检查装置

[实用新型]一种LED晶粒测试机的高精度检测装置-CN202320847883.4有效
发明人：刘思;骆乾峰;赵龙;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型提供一种LED晶粒测试机的高精度检测装置，包括PCB板，PCB板上设有具有标准电阻值的贴片电阻和标准灯，贴片电阻两侧的电极分别与第一导电引线和第二导电引线连接，标准灯两侧的电极分别与第三导电引线和第二导电引线连接，PCB板上还设有多个第一金手指，多个第一金手指包括第一电阻群、第一标准灯群以及第一总线群，本实用新型中的LED晶粒测试机的高精度检测装置，提供了一个PCB板，在PCB板上设有标准贴片电阻、标准灯和多个第一金手指，通过与晶粒测试机连接，可测试贴片电阻和标准灯的基本参数，再与贴片电阻和标准灯的额定值进行比对，即可同时对晶粒测试机的测试准确度进行检测。
一种 led 晶粒测试高精度检测装置

[实用新型]一种上蜡机陶瓷盘自动清洁装置-CN202320999553.7有效
发明人：余韦;李晨晨;赵晓明;董国庆;文国昇;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B08B5/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种上蜡机陶瓷盘自动清洁装置，包括取盘机组，其特征在于：取盘手臂的端头可收纳于取盘机组内；取盘机组一端设有多个形成纵向阵列的吹气清洁头，卡塞与取盘机组之间依次设有第一光电传感器、第二光电传感器。当取盘手臂取下卡塞中的陶瓷盘时，陶瓷盘先后触发两个光电传感器，并借由控制电路驱动吹气清洁头进行吹扫作业，以此降低误报率并精准控制吹扫范围，从而减弱操作不当引起的环境扬尘，同时，随着取盘手臂装载陶瓷盘的持续移动，在离开吹扫范围后则会迅速收纳进入取盘机组内部，从而进一步消除外界扬尘的影响，保障陶瓷盘洁净度并以此顺利转移至抛光工位，以此确保粘附晶圆的抛光质量。
一种上蜡陶瓷自动清洁装置

[实用新型]一种用于制备全彩Micro LED的量子点色转换层-CN202321123399.3有效
发明人：茹浩;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于制备全彩Micro LED的量子点色转换层，包括衬底层，所述衬底层上设有依次相连的透明基板层和光反射层，所述光反射层上设有规律排布的第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽，所述第一凹槽内设有绿色量子点，所述第二凹槽内不设有量子点，所述第三凹槽内设有红色量子点。本实用新型提供的用于制备全彩Micro LED的量子点色转换层，其能够提高全彩Micro LED芯片的制备效率，以及提升全彩Micro LED芯片的发光亮度和对比度。
一种用于制备全彩 micro led 量子转换

[实用新型]一种LED芯片-CN202321202591.1有效
发明人：王雪峰;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种LED芯片，包括芯片主体设于所述芯片主体上的切割道，还包括设于所述芯片主体上的防护结构和钝化层，所述防护结构沿所述切割道的边缘延伸成型，所述钝化层覆盖于所述防护结构的表面，且所述防护结构与所述钝化层粘接。通过本申请，加强钝化层的黏附效果，能够改善LED芯片在切割时造成的钝化层破裂、翘起的现象，从而提高了的芯片的抗湿性能，提升了的LED芯片的可靠性以及提升LED芯片的使用寿命。
一种 led 芯片

[实用新型]一种倒装mini LED芯片-CN202321288638.0有效
发明人：李文涛;鲁洋;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种倒装mini LED芯片，包括衬底以及依次层叠于所述衬底上的外延层、导电电极层、布拉格反射层与焊盘层；所述布拉格反射层包括M个沿层叠方向周期性交替排布的SiO2层与TiO2层，所述布拉格反射层上设有第一沟槽，所述焊盘层靠近所述布拉格反射层的一侧设有Ti金属层，所述焊盘层的上方设有第二沟槽，本申请增强了焊盘层与PCB板的粘附力，使得该倒装mini LED芯片不易从PCB板上脱落。
一种倒装 mini led 芯片

[实用新型]一种晶圆装载治具-CN202320959528.6有效
发明人：曾宪瑞;罗刚;段良飞;董国庆;文国昇;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆装载治具，包括治具主体，治具主体上设有用于存放晶圆的容腔槽，容腔槽采用实心槽底板的方式，治具移动时晶圆不会产生偏移，避免碎片的产生，加热板升起与治具接触时，晶圆水平无倾斜角度，受热均匀，当夹爪把治具拉取到位置后，加热顶板向上移动通过通孔将晶圆吸附住，接触后开始传导热量，不与晶圆直接接触，由于容腔槽限制了晶圆移动，作业员在作业过程中只要把晶圆放入治具即可，缩短了上料时间提高了生产效率。
一种装载

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202311034813.8在审
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，该外延片包括外延片，包括衬底及层叠于衬底上的外延片，外延片包括沿外延方向依次层叠的电子阻挡层及P型层，电子阻挡层与P型层之间设有插入层；插入层包括沿外延方向依次层叠的第一空穴加速层、中间缓冲层及第二空穴加速层；第一空穴加速层为由第一MgN子层与AlInGaN子层周期性交替生长而成的超晶格结构，中间缓冲层为石墨烯层，第二空穴加速层为由第二MgN子层与InGaN子层周期性交替生长而成的超晶格结构。本发明可有效提升发光二极管的发光效率，增加外延片的表面平整度，提升抗静电能力。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]基于硅衬底的LED外延片及其制备方法、LED-CN202311063131.X在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-23 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅衬底的LED外延片及其制备方法、LED，涉及半导体光电器件领域。LED外延片包括硅衬底和依次设于所述硅衬底上的复合缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述复合缓冲层包括依次层叠于所述硅衬底上的SiON层、AlSiN层、AlGaN氧化层和P‑GaN成核层；所述AlGaN氧化层由AlGaN层在含氧气氛中氧化而得，其氧化温度≤700℃。实施本发明，可提升发光效率。
基于衬底 led 外延及其制备方法

[发明专利]一种正装高压LED芯片及其制备方法-CN202310783448.4在审
发明人：王雪峰;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种正装高压LED芯片及其制备方法，该方法包括：对外延片进行ISO光刻，在外延片上形成第一预设图形；在第一预设图形的表面进行Mesa光刻，按照第二预设图形对外延片进行ICP刻蚀；在外延片上制作电流阻挡层，按照第三预设图形对电流阻挡层进行光刻；在电流阻挡层上制作透明导电层，按照第四预设图形对透明导电层进行光刻，去除第四预设图形之外的透明导电层材料；按照第五预设图形对外延片上进行光刻，形成金属电极图形，根据金属电极图形分别蒸镀P金属电极与N金属电极；在外延片上生长绝缘层，通过光刻与刻蚀去除部分绝缘层，形成正装高压LED芯片。旨在解决现有技术中正装高压LED芯片制备过程复杂，降低了制备效率的技术问题。
一种高压 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种低成本LED芯片的制备方法及LED芯片-CN202310895165.9在审
发明人：刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本LED芯片的制备方法及LED芯片，涉及半导体制作技术领域，该制备方法包括：将经过前道工序制作得到的外延片键合至一预设厚度的基板之上，使所述外延片的外延层与所述基板键合连接；其中，所述基板为透明玻璃或由其它耐高温的透明材料制成；控制激光光斑对所述外延片进行照射，对所述外延层与外延衬底之间的缓冲层进行分解，以使所述外延衬底与所述外延层分离并脱落；在所述基板的所述外延层之上制作芯片结构，得到LED芯片。本发明在制作LED芯片的过程中，剥离下来的衬底可以重复循环使用，一方面去除了芯片后道减薄研磨工序，另一方面可以使衬底循环使用，降低了衬底原材料的损失，从而降低生产成本。
一种低成本 led 芯片制备方法

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310604438.X在审
发明人：刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，包括衬底，该发光二极管外延片还包括：依次层叠于所述衬底之上的缓冲层、过渡层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层以及P型半导体层；所述P型半导体层包括预设周期交替层叠的P型GaN层和P型AlxInyGa1‑x‑yN层，所述P型GaN层设于所述电子阻挡层上；所述P型GaN层为三维生长的P型掺杂GaN层，所述P型AlxInyGa1‑x‑yN层中x的取值范围为0.4‑0.6，y的取值范围为0.01‑0.2，本发明能够解决现有技术中AlGaN材料作为P型半导体层，空穴不足，导致电子空穴复合效率降低的技术问题。
一种发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202310728451.6在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有热失配调控层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层；所述热失配调控层包括依次层叠在所述衬底上的AlON层、Al1‑bCrbN层、AlN层、SiC层，其中，0.01b0.5。本发明提供的发光二极管外延片能降低蓝宝石衬底与GaN外延层的热失配，避免GaN外延层发生龟裂，提高GaN外延层晶体质量，提升发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]一种晶圆涂胶装置及控制方法-CN202310732223.6在审
发明人：文国昇;郭玉峰;段良飞;董国庆;胡瑶;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆涂胶装置及控制方法，包括固定台、分别设置在固定台上用于容置晶圆的涂胶组件、设置在涂胶组件一侧用于对晶圆表面滴胶的上胶组件以及设置在涂胶组件另一侧的洗边组件，洗边组件可活动至晶圆边缘处，在连通稀释剂后抽取并对晶圆边缘光刻胶进行冲洗，提高晶圆边缘处的洁净程度使其边缘无光刻胶残留，解决了目前晶圆在涂胶完成后，无洗边功能，直接进入到烘烤热盘进行烘烤，造成晶圆外圈无法处理，从而影响片源涂胶后的整体均匀性的问题。
一种涂胶装置控制方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310717883.7在审
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于衬底上的形核层、U‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P‑GaN层和欧姆接触层，所述欧姆接触层包括依次层叠的AlN纳米柱层、P‑InGaN层和P‑BeGaN层；所述P‑InGaN层中P型掺杂的浓度＞所述P‑BeGaN层中P型掺杂的浓度。实施本发明，可提升发光二极管的亮度，降低工作电压，降低表面粗糙度，提高抗静电能力。
发光二极管外延及其制备方法