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[发明专利]氧化钇材料在制备晶体管中的应用、晶体管及其制备方法-CN202210290818.6在审
发明人： 梁世博;谢雨农;杨英君;赵俊峰;唐文涛;罗时江 -专利权人：华为技术有限公司;北京元芯碳基集成电路研究院
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10K71/20 文献下载
摘要：本申请实施例提供了氧化钇材料在制备晶体管中的应用，其中，氧化钇材料可以用作制备晶体管过程中的硬掩膜。采用氧化钇材料作晶体管制造过程中的硬掩膜，可以解决光刻胶作为晶体管的微结构的刻蚀掩膜时存在的抗刻蚀能力不足、残余物难以去除的问题，以及解决常规的无机硬掩膜存在的热预算过高、可能破坏晶体管结构的问题。本申请实施例还提供了晶体管及其制造方法。
氧化钇材料制备晶体管中的应用及其方法

[发明专利]自修复聚氨酯丙烯酸酯光敏树脂及其制备方法-CN202210501266.9有效
发明人：马爱洁;张冰红;王萍;周宏伟;赵卫峰;张改;田敏;梁世博 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C08G18/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种自修复聚氨酯丙烯酸酯光敏树脂及其制备方法，所述制备方法具体包括以下步骤，先由聚四氢呋喃二醇、异佛尔酮二异氰酸酯反应生成预聚物，然后与脲基嘧啶酮反应生成‑NCO封端的预聚体，再引入甲基丙烯酸羟乙酯得到双键封端的聚氨酯丙烯酸酯聚合溶液，再加入光引发剂、热引发剂，通过光‑热双重固化制备出一种自修复聚氨酯丙烯酸酯光敏树脂。本发明引入可逆四重氢键，所合成的聚氨酯基树脂在室温下具有良好的粘弹性形状记忆效应，实现材料在受到损伤时对破损部位进行有效的自我感知，无需外部干预实现自我修复，同时具有更好的耐紫外老化和抗黄变能力。
修复聚氨酯丙烯酸酯光敏树脂及其制备方法

[发明专利]晶体管及其制造方法-CN201910711187.9有效
发明人： 梁世博;樊晨炜;邱晨光;孟令款 -专利权人：北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶体管及其制造方法，该晶体管的制造方法包括：在衬底上形成碳纳米管；在碳纳米管上形成栅叠层结构；以及在碳纳米管上形成电接触，其中，形成电接触的步骤包括：采用电镀工艺在碳纳米管的表面生长导电材料，在电镀过程中，栅叠层结构作为掩模。该制造方法通过将栅叠层结构作为掩模，并采用电镀工艺选择性的在碳纳米管表面的源漏区自下而上生长导电材料形成电接触，同时解决了现有技术中由于使用溅射、蒸镀等沉积手段沉积源漏金属时产生的孔洞问题与源漏金属的侧墙沉积问题。
晶体管及其制造方法

[发明专利]晶体管及其制造方法-CN201910457678.5有效
发明人： 梁世博 -专利权人：北京华碳元芯电子科技有限责任公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶体管及其制造方法，该晶体管的制造方法包括：在衬底上形成碳纳米管；形成覆盖碳纳米管的覆盖层；在碳纳米管上形成栅叠层；去除覆盖层的一部分以形成开口；以及经由开口形成与碳纳米管接触的电连接结构，其中，覆盖层为包括IIIB族元素的氧化物，或者是其它与IIIB族氧化物有类似物理化学性质的氧化物。去除覆盖层的方法包括将氧化物转变成氯化物，然后将氯化物溶解于溶剂中。该晶体管的制造方法通过形成覆盖碳纳米管的覆盖层，保护了碳纳米管不被污染，避免了碳纳米管在相关刻蚀工艺中受到物理或化学的损伤，并通过氯化和简单的溶解，在保证碳纳米管不被损伤的情况下去除覆盖层。
晶体管及其制造方法

[发明专利]一种半导体晶体管及其制备方法-CN202010398034.6在审
发明人：张志勇;梁世博;徐琳;林艳霞 -专利权人：北京元芯碳基集成电路研究院;北京大学;北京华碳元芯电子科技有限责任公司
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管及其制备方法，该晶体管在衬底上具有一半导体沟道层，在沟道层上具有一高k栅介质层，并在其上形成一栅极结构，该栅极结构包括两侧墙及位于其中的栅介质层，高k栅介质层的宽度大于栅极结构的宽度，在栅极结构两侧的半导体上和超出栅极结构的高k栅介质部分分别形成源极和漏极。本发明的晶体管实现优化半导体晶体管，尤其是窄带隙半导体晶体管能带分布的器件结构，通过调控源漏端的能带，从而能够抑制关态电流和静态能耗，并且能够与产业化半导体工艺相兼容，能够实现大规模集成化制备。
一种半导体晶体管及其制备方法

[发明专利]一种源漏接触金属的自对准图形化方法-CN201911164876.9在审
发明人：邱晨光;孟令款;梁世博;张志勇;彭练矛 -专利权人：北京华碳元芯电子科技有限责任公司;北京大学;北京元芯碳基集成电路研究院
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种无掺杂薄膜晶体管的源漏接触金属的自对准图形化方法。该方法通过在衬底上形成的常规栅结构上沉积源漏接触金属层，然后在其上沉积层间介质层，并以接触金属层为停止层对层间介质层平坦化。随后通过回刻技术对层间介质层减薄，在接触区域上方保留层间介质层，将接触区域外的栅侧墙外壁和栅顶部的主栅电极金属层裸露出来，开窗定义源漏区和栅的图形总尺寸，并刻蚀掉其余的层间介质层，并以此作为自对准掩膜，刻蚀掉裸露的金属层。本方法实现了在保护源漏区域的情况下刻蚀掉侧墙和栅顶部的多余的金属。
一种漏接金属对准图形方法

[发明专利]一种适用于AlGaN/GaN器件的欧姆接触制作方法-CN201810025969.2有效
发明人： 梁世博 -专利权人：北京华碳科技有限责任公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种适用于AlGaN/GaN器件的欧姆接触制作方法。该方法包括：对AlGaN/GaN材料进行表面处理；对所述AlGaN/GaN材料表面蒸发或溅射Ti金属；对所述Ti金属表面淀积SiO2保护层；对所述淀积SiO2保护层后的样品进行包封退火处理；去除所述包封退火处理后的SiO2保护层、Ti金属层及包封退火处理过程中形成的TiN；对样品进行表面处理；对样品表面依次蒸发或溅射Ti/Al/Ni/Au；对样品进行退火处理。该方法制作的欧姆接触电极因使用二次退火势垒层拥有更高密度的N空位，降低了欧姆接触电阻，同时二次退火、合金温度降低，使合金后的金属表面平整度良好，提升了器件性能。
一种适用于 algan gan 器件欧姆接触制作方法

[发明专利]一种GaN基HEMT器件的制作方法-CN201810025987.0有效
发明人： 梁世博 -专利权人：北京华碳科技有限责任公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提出一种GaN基HEMT器件的制作方法，步骤包括：准备一衬底；在衬底上生长的AlN缓冲层；在AlN缓冲层上生长GaN沟道层；在GaN沟道层上生长AlGaN势垒层；在AlGaN势垒层上生长P型GaN帽层；在P型帽层上沉积SiN钝化层，并制作假栅电极电极；采用离子注入工艺注入形成高阻扩散层区域；再采用离子注入工艺进行二次离子注入形成源漏欧姆接触区域；制作源漏欧姆接触电极；去掉假栅电极，并制作栅金属电极。
一种 gan hemt 器件制作方法

[发明专利]一种增强型氮化镓场效应器件的制备方法-CN201810025886.3有效
发明人： 梁世博 -专利权人：北京华碳科技有限责任公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种增强型氮化镓场效应器件结构的制备方法。通过在栅金属下方插入一层P型二维半导体材料，能够有效耗尽栅极下方沟道中的二维电子气，从而制备得到增强型氮化镓场效应器件。利用氧等离子体刻蚀除去栅极下方以外接触区的P型二维半导体材料，能够有效降低接触电阻，提高器件性能。同时，通过控制刻蚀时间和氧等离子体浓度，可以利用氧等离子体使势垒层形成氧化膜，减小器件栅极漏电。
一种增强氮化场效应器件制备方法

[发明专利]场效应晶体管、制造场效应晶体管的方法及电子器件-CN201711337894.3有效
发明人： 梁世博 -专利权人：北京华碳科技有限责任公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供了一种场效应晶体管、制造场效应晶体管的方法以及电子器件。其中该场效应晶体管包括：源极和漏极，所述源极由狄拉克材料形成；以及沟道，所述沟道设置在所述源极与所述漏极之间并与所述源极相反地掺杂；以及栅极，所述栅极设置在所述沟道之上，并与所述沟道电绝缘。
场效应晶体管制造方法电子器件

[发明专利]具有P型二维材料栅极增强型氮化镓场效应器件的制备方法-CN201810025887.8有效
发明人： 梁世博 -专利权人：北京华碳科技有限责任公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提出一种具有P型二维材料栅极氮化镓基场效应晶体管的制备方法，包括以下步骤：在单晶衬底上依次外延缓冲层、沟道层、势垒层、界面控制层得到外延衬底；在外延衬底上的源极和漏极区域沉积源漏金属，并形成欧姆接触；在外延衬底上方沉积二维材料层；定义栅极金属区域，沉积栅极金属；利用富氧气氛对栅源，栅漏之间二维材料进行氧化处理；在界面控制层表面沉积介质钝化层；形成源漏电极与栅极的接触孔。使用P型二维材料来替代传统P‑GaN层，利用P型二维材料来耗尽底下二维电子气，形成增强型场效应晶体管，用氧化的方法替代刻蚀，可以减小对势垒层表面的损伤，从而克服现有技术的困难。
具有二维材料栅极增强氮化场效应器件制备方法

[发明专利]一种晶圆级GaN器件衬底转移方法-CN201810025897.1有效
发明人： 梁世博 -专利权人：北京华碳科技有限责任公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开一种基于晶圆级GaN器件原始衬底的转移方法，属于半导体工艺技术领域。通过在原片表面覆盖一层可去除的较厚保护支撑层，去除原衬底后，两圆片直接键合。该方法包括如下步骤：(1)对晶圆级GaN器件完成正面工艺后的表面覆盖保护支撑层；(2)去除原始衬底；(3)对圆片背面和待转移的Si衬底表面进行清洗；(4)对圆片背面进行N2气等离子体处理；(5)对Si晶圆表面进行O2气等离子体处理；(6)将两者放入氨水溶液中预键合；(7)将贴合好的样品在N2环境下施加外力键合；(8)对键合后的晶圆进行低温退火处理。(9)将退火后的晶片曝光后放入显影液中溶解去除表面保护层。本发明能够实现GaN器件的衬底转移。
一种晶圆级 gan 器件衬底转移方法

[发明专利]分离柔性基板与刚性导电载体的方法-CN201810064186.5有效
发明人： 梁世博 -专利权人：北京华碳科技有限责任公司
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：提供了一种分离柔性基板与刚性导电载体的方法，其包括：使刚性导电载体的第一端与导电溶液相接触，其中刚性导电载体上形成有柔性基板；以及在刚性导电载体的第二端与导电溶液上施加电压，以分离刚性导电载体与柔性基板，其中导电溶液能够腐蚀刚性导电载体的朝向柔性基板的表面。
分离柔性刚性导电载体方法

[发明专利]具有源极控制电极的场效应晶体管、制造方法和电子器件-CN201711339629.9有效
发明人： 梁世博 -专利权人：北京华碳科技有限责任公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种场效应晶体管、制造场效应晶体管的方法以及电子器件。其中该场效应晶体管包括：源极和漏极，源极由狄拉克材料形成；沟道，沟道设置在源极与漏极之间；以及源极控制电极，设置在源极上，并用于控制狄拉克材料的掺杂，以使得狄拉克材料与沟道相反地掺杂；以及栅极，栅极设置在所述沟道之上，并与沟道电绝缘。
有源控制电极场效应晶体管制造方法电子器件

[发明专利]场效应晶体管、制造场效应晶体管的方法及电子器件-CN201711337902.4有效
发明人： 梁世博 -专利权人：北京华碳科技有限责任公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种场效应晶体管、制造场效应晶体管的方法以及电子器件。其中该场效应晶体管包括：源极和漏极，源极由第一石墨烯膜形成；沟道，沟道设置在源极与漏极之间，并包括第二石墨烯膜与具有半导体性质的材料层的层叠件，第二石墨烯膜由双层石墨烯形成；以及栅极，所述栅极设置在所述层叠件之上，并与所述层叠件电绝缘。
场效应晶体管制造方法电子器件

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