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- [发明专利]加工方法-CN202211403221.4在审
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伊贺勇人
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株式会社迪思科
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2022-11-10
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2023-05-12
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B23K26/00
- 本发明提供加工方法，减少分割起点形成后的晶片的磨削量。加工方法对单晶硅晶片进行加工，该单晶硅晶片具有以晶面{100}所包含的特定的晶面分别露出的方式形成的第1面和第2面，在由呈格子状设定于第1面的多条分割预定线划分出的各区域中形成有器件，该加工方法具有如下的步骤：分割起点形成步骤，沿着各分割预定线形成分割起点；分离层形成步骤，使聚光点和单晶硅晶片沿着与第2面的晶面平行且与晶体取向＜100＞之间形成的锐角的角度为5°以下的第1方向相对地移动而沿着第2面的晶面形成分离层；以及分离步骤，将单晶硅晶片分离为包含形成于第1面侧的多个器件的第1面侧晶片和位于第2面侧且不包含器件的第2面侧晶片。
- 加工方法
- [发明专利]SiC基板的制造方法-CN202211402502.8在审
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小岛胜义
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株式会社迪思科
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2022-11-10
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2023-05-12
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H01L21/02
- 本发明提供SiC基板的制造方法，能够缩短SiC基板的制造准备时间并且能够降低制造成本。在对Si面露出的正面侧进行磨削并且以使C面露出的背面的算术平均高度Sa为1nm以下的方式对背面侧进行磨削之后，不对背面侧进行研磨而仅对正面侧进行研磨。这样，在背面侧被磨削的情况下，即使不进一步对SiC基板的背面侧进行研磨，也能够抑制SiC基板的翘曲。因此，能够缩短用于功率器件的制造等的SiC基板的制造准备时间，并且能够降低制造成本。
- sic制造方法
- [发明专利]凸缘机构-CN201711090646.3有效
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新田秀次;胁田信彦
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株式会社迪思科
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2017-11-08
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2023-05-12
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H01L21/687
- 提供凸缘机构，抑制切削屑的吸引以及所谓的咬接现象的产生。该凸缘机构用于将切削刀具安装于作为旋转轴的主轴，该切削刀具具有：在中央具有安装孔的圆盘状的基台；和设置在基台的外周缘的切削刃，该凸缘机构具有：轮毂部，其呈沿前后方向延伸的圆柱状的形状，在其前方侧的外周面上具有供O形环安装的O形环安装槽；凸缘部，其从轮毂部的后方侧朝径向外侧突出，具有朝向前方侧的支承面，该支承面对切削刀具的基台进行支承；以及主轴安装孔，其设置在该凸缘部的内侧，供主轴的前端部插入，将在O形环安装槽中安装了外径比基台的安装孔的直径大的O形环的轮毂部插入至基台的安装孔，并使O形环与基台的内周面接触，从而对该切削刀具进行支承。
- 凸缘机构
- [发明专利]晶片的加工方法-CN202010091970.2有效
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古田健次
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株式会社迪思科
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2020-02-14
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2023-05-12
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H01L21/78
- 提供晶片的加工方法，能够抑制由激光束的照射而引起的器件的损伤。一种晶片的加工方法，该晶片在由多条第1分割预定线和多条第2分割预定线划分的多个区域的正面侧形成有器件，该晶片的加工方法具有如下的步骤：第1改质层形成步骤，在使激光束的聚光点的高度与晶片的内部中的位于晶片的正面侧的第1区域的高度一致的状态下照射激光束，从而在第1区域中形成第1改质层；以及第2改质层形成步骤，在使激光束的聚光点的高度与晶片的内部中的位于晶片的背面侧的第2区域的高度一致的情况下照射激光束，从而在第2区域中形成第2改质层，并且形成从晶片的正面至背面的龟裂，沿着多条第1分割预定线和多条第2分割预定线对晶片进行分割。
- 晶片加工方法
- [发明专利]半导体器件芯片的制造方法-CN201710520110.4有效
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立石俊幸
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株式会社迪思科
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2017-06-30
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2023-05-12
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H01L21/78
- 提供半导体器件芯片的制造方法，具有：器件形成步骤，在由硅构成的晶片的正面上，在由互相交叉的多条分割预定线划分出的多个区域内分别形成器件；缺陷防止层形成步骤，在晶片的正面的分割预定线的各交叉点形成缺陷防止层；保护带粘贴步骤，在晶片的正面上粘贴保护带；改质层形成步骤，将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在晶片内部而从晶片的背面侧沿着分割预定线照射激光束，沿着分割预定线在晶片的内部形成改质层；以及分割步骤，一边对晶片的背面进行磨削而使晶片薄化，一边以改质层为断裂起点将晶片分割成各个半导体器件芯片，通过缺陷防止层来防止相邻的各个半导体器件芯片的角部彼此摩擦而产生缺陷。
- 半导体器件芯片制造方法
- [发明专利]晶片的加工方法-CN202211355247.6在审
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广濑翼
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株式会社迪思科
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2022-11-01
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2023-05-09
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B23K26/362
- 本发明提供晶片的加工方法，在照射激光光线而对晶片进行加工时，能够消除裂纹进展至从分割预定线探出的区域而给器件带来损伤的问题。晶片的加工方法包含如下的工序：盾构隧道形成工序，照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线而形成由细孔和围绕该细孔的改质筒构成的盾构隧道；以及分割工序，对晶片赋予外力而将晶片分割成各个器件芯片。该盾构隧道形成工序包含如下的工序：第一盾构隧道形成工序，至少空出与一个盾构隧道相当的间隔而在分割预定线上连续地形成盾构隧道；以及第二盾构隧道形成工序，在空出该间隔的分割预定线的区域中连续地形成盾构隧道。
- 晶片加工方法
- [发明专利]加工方法-CN202211359952.3在审
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广濑翼
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株式会社迪思科
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2022-11-02
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2023-05-09
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B23K26/00
- 本发明提供加工方法，在对被加工物实施从被加工物去除非必要区域的加工而得到任意的必要区域的情况下，不使裂纹进展至必要区域侧而得到期望的加工结果。该加工方法是包含必要区域和非必要区域的被加工物的加工方法，其中，该加工方法包含如下的工序：防护壁形成工序，对限定必要区域与非必要区域的边界的区域照射对于被加工物具有透过性的波长的激光光线，形成多个由细孔和围绕该细孔的改质筒构成的盾构隧道，从而形成防护壁；以及非必要区域去除工序，在实施了该防护壁形成工序之后，将非必要区域去除。
- 加工方法
- [发明专利]基板的制造方法-CN202211316716.3在审
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伊贺勇人
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株式会社迪思科
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2022-10-26
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2023-05-05
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H01L21/02
- 本发明提供基板的制造方法，能够抑制基板的生产率降低。最后在被加工物的沿着加工进给方向的多个区域中的接近被加工物的中心的区域(第一内侧区域或第二内侧区域)形成剥离层。这里，被加工物具有圆柱状的形状，因此第二内侧区域比形成剥离层的其他区域(例如第二外侧区域)大。因此，在最后在第二内侧区域形成剥离层的情况下，与最后在第二外侧区域形成剥离层的情况相比，被加工物的内部应力在宽范围中分散。在该情况下，能够抑制被加工物的厚度方向的成分大的龟裂从剥离层所包含的改质部伸展。由此，能够不增加基板的平坦化时废弃的原材料量而抑制基板的生产率降低。
- 制造方法
- [发明专利]电沉积磨具-CN201910127838.X有效
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山本和宽;林毅
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株式会社迪思科
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2019-02-20
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2023-05-05
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B24D5/12
- 提供电沉积磨具，能够抑制加工不良的产生。该电沉积磨具具有利用含镍的镀层固定了磨粒而得的磨具部，在磨具部中含有滑石。另外，磨具部可以含有磨具部的2.0体积％以上且15.0体积％以下的滑石。另外，磨具部所含有的滑石的平均粒径为0.6μm以上且10.0μm以下。另外，电沉积磨具可以仅由圆环状的磨具部构成。另外，电沉积磨具可以由具有把持部的圆环状的基台和形成于基台的外缘部的磨具部构成。
- 沉积磨具
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