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[外观设计]工作用护具-CN202130570948.1有效
发明人：加贺谷彻 -专利权人： 株式会社国际电气
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： 08-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：工作用护具。2.本外观设计产品的用途：本产品为一种工作用护具，在立式炉的基板处理装置中，进行炉内维护时将其安装覆盖在降下的炉内部件上使用，可以在保护炉内部件的同时在顶板上进行工作。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
工作护具

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质-CN202110650847.4在审
发明人：今村友纪;野田孝晓;奥田和幸;寺崎昌人 -专利权人： 株式会社国际电气
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质。通过适当地抑制因在处理容器内形成的膜而产生粒子，从而延长清洁周期、提高成膜处理的生产率。重复进行多次包含下述工序的组：(a)向处理容器内搬入衬底的工序；(b)向处理容器内由支承件支承的衬底供给成膜气体，进行在衬底上形成氮化膜的处理的工序；(c)将处理后的衬底从处理容器内搬出的工序；(d)向将处理后的衬底搬出后的处理容器内供给氧化气体，将(b)中在处理容器内形成的氮化膜的一部分氧化并转化为氧化膜，并使该氮化膜的与该一部分不同的其他部分维持氮化膜状态而不氧化的工序。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置-CN201611237956.9有效
发明人：岛本聪;中山崇 -专利权人： 株式会社国际电气
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。本发明提供一种即便对于三维结构的闪存而言、也能形成特性良好的半导体器件的技术。为解决上述问题，本发明提供下述技术，该技术将下述工序作为一个组合并重复多次、从而形成将绝缘膜和牺牲膜层叠而成的层叠结构，所述工序为：绝缘膜形成工序，在衬底上形成绝缘膜；牺牲膜形成工序，在所述绝缘膜上形成牺牲膜；改质工序，进行改质以降低所述牺牲膜和所述绝缘膜的膜应力差。
半导体器件制造方法衬底处理装置

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质-CN202111110271.9在审
发明人：原田胜吉;松冈树;桥本良知 -专利权人： 株式会社国际电气
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质。本发明的课题为使形成于衬底上的SiN膜的衬底面内膜厚均匀性提高。半导体器件的制造方法具有：工序(a)，通过对衬底供给包含N及H的第1反应体，从而在衬底的表面形成NH末端；工序(b)，通过对衬底供给SiCl4作为原料，从而使形成于衬底的表面的NH末端与SiCl4反应，形成经SiCl封端的第1SiN层；和工序(c)，通过对衬底供给包含N及H的第2反应体，从而使形成于第1SiN层的表面的SiCl末端与第2反应体反应，形成经NH封端的第2SiN层，其中，在进行(a)之后，通过在SiCl4不发生气相分解的条件下将非同时地实施(b)和(c)的循环进行规定次数，从而在衬底上形成SiN膜。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法、记录介质-CN201910028131.3有效
发明人：大野干雄;村田慧 -专利权人： 株式会社国际电气
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法、记录介质。本发明的目的在于，提供能够在处理室中抑制大气气氛的侵入的技术。本发明的技术具有：支承衬底的衬底支承部；处理室，其具有处理所述衬底的第一空间；排气部，其对所述第一空间的气氛进行排气；向所述第一空间供给气体的气体导入管；与所述气体导入管连通的处理气体搬送管；接头部，其构成为在所述第一空间的外侧的第二空间中对所述气体导入管与所述处理气体搬送管相邻接的邻接部进行覆盖，并将所述气体导入管和所述处理气体搬送管固定；和压力调节部，其设置于所述邻接部与所述第二空间之间。
衬底处理装置半导体器件制造方法记录介质

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN201580082464.4有效
发明人：汤浅和宏;道田典明 -专利权人： 株式会社国际电气
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明提供能进行均匀的衬底处理的技术。提供的技术具有：将衬底备于处理室中的工序，衬底中，在纵横比为20以上的图案上形成有作为基膜的绝缘膜，在绝缘膜上形成有作为处理对象的厚度以下的处理对象膜；通过从加热装置供给的电磁波而将衬底升温至第一温度的工序；在维持所述第一温度的同时，在第一处理时间的期间内处理衬底的第一处理工序；在第一处理工序后，通过从加热装置供给的电磁波而将衬底从第一温度升温至比第一温度高的第二温度的工序；及在维持第二温度的同时，在比第一处理时间短的第二处理时间的期间内处理衬底的第二处理工序。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[发明专利]基板处理装置以及半导体装置的制造方法-CN201910619215.4有效
发明人：冈嶋优作;西堂周平;吉田秀成;佐佐木隆史 -专利权人： 株式会社国际电气
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：提供一种抑制原料气体的副产物相对于炉口部附着的基板处理装置以及半导体装置的制造方法。基板处理装置具有：处理室和多个喷头，处理室具有：筒状的反应管，其一端是开放的；筒状的歧管，其与反应管的开放端连接，并且在侧面具有将来自气体供给管的处理气体向处理室内导入的多个气体供给孔；和盖，其能够开闭地封闭歧管的与连接于反应管的一端为相反端的开口，盖具有：保护板，其以在与盖之间形成有第一间隙的方式设于盖的内表面；和导入口，其从盖的外侧向第一间隙导入清洗气体，歧管构成为，以在与歧管之间形成有第二间隙的方式在歧管的内壁具有引导板，在第一间隙向着歧管流动的清洗气体通过歧管的内壁偏转而向第二间隙流入。
处理装置以及半导体制造方法

[其他]基板处理装置-CN201890001681.5有效
发明人：广地志有;野上孝志;山岸纪睦;柳泽爱彦 -专利权人： 株式会社国际电气
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基板处理装置，其具备：具有处理基板的处理室的处理箱体；与上述处理箱体相邻，且具有输送上述基板的输送室的输送箱体；发送向上述处理室供给的微波的微波发生器；连通上述处理室和上述输送室，且将上述基板搬入搬出的搬入搬出口；开闭上述搬入搬出口的开闭部；以及在上述输送室内配置于上述搬入搬出口的周围，且检测在上述开闭部封闭上述搬入搬出口的状态下从上述处理室泄漏到上述输送室的上述微波的检测传感器。
处理装置

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质-CN202110298653.2在审
发明人：大桥直史;八幡橘;油谷幸则;松井俊 -专利权人： 株式会社国际电气
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质，防止歪斜的基板落下并稳定地进行输送。本发明提供如下技术，具有：处理室，其对基板进行处理；气体供给部，其向处理室内供给气体；基板载置部，其配置在处理室内且具有载置基板的基板载置面；以及臂，其支撑基板的下表面并向基板载置面输送该基板，臂构成为支撑基板的支撑部具有倾斜。
处理装置半导体制造方法存储介质

[发明专利]基板处理装置、反应管以及半导体装置的制造方法-CN201711146022.9有效
发明人：丸林哲也;村田慧;高木康佑;平野敦士;山田清明;森川晴夫 -专利权人： 株式会社国际电气
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理装置、反应管以及半导体装置的制造方法，尤其提供增大晶圆面内的气体流速的结构。提供具备反应管的结构，该反应管构成对基板进行处理的处理室，且具有：气体导入部，其设置在反应管下部，并导入处理气体；缓冲部，其构成反应管侧面的一端，使处理气体暂时滞留并且设置有向处理室供给处理气体的开口部；连结部，其设置在气体导入部与缓冲部之间，并从气体导入部连通至缓冲部；以及气体排放部，其构成反应管侧面的另一端的下端部，并从处理室排出处理气体，反应管构成为从开口部向处理室导入并经由处理室而从气体排放部排出处理气体，其中开口部设置在从缓冲部的上端部到与气体排放部对置的位置。
处理装置反应以及半导体制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及存储介质-CN201710773155.2有效
发明人：岛本聪;芦原洋司;丰田一行;大桥直史 -专利权人： 株式会社国际电气
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及存储介质。本发明的课题为在三维结构的FLASH存储器中也可形成良好特性的半导体器件。为了解决上述课题，本发明提供一种技术，该技术包括：在形成有绝缘膜的衬底被载置于处理室内的衬底载置部的状态下，向所述处理室供给处理气体；从等离子体生成部向所述处理室供给第一电力从而进行等离子体生成，并在所述绝缘膜上形成第一氮化硅层；以与所述等离子体生成并行的方式从离子控制部向所述处理室供给第二电力，从而在所述第一氮化硅层上形成比所述第一氮化硅层应力低的第二氮化硅层。
半导体器件制造方法衬底处理装置存储介质

[发明专利]基板处理装置、处理容器、反射体和半导体装置的制造方法-CN201980094229.7在审
发明人：稻田哲明;保井毅 -专利权人： 株式会社国际电气
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供一种技术，具有：构成处理室的处理容器；处理气体供给部，其向处理容器内供给处理气体；电磁场产生电极，其与处理容器的外周面分离开并沿着该外周面配置，构成为通过供给高频电力而使处理容器内产生电磁场；加热机构，其构成为发射红外线来对处理室内容纳的基板进行加热；以及反射体，其配置在所述处理容器和所述电磁场产生电极之间，构成为对从加热机构发射的红外线进行反射。根据本技术，能够提高基板处理装置的加热器对基板的加热效率。
处理装置容器反射半导体制造方法

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质-CN201980094461.0在审
发明人：立野秀人;高野智 -专利权人： 株式会社国际电气
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供一种技术，其具备：基板保持件，其保持多张基板；反应管，其容纳基板保持件；加热部，其对反应管内进行加热；气体供给部，其向反应管的内管的内部供给处理气体；排气部，其从反应管的内部排出处理气体；温度测量部，其测量反应管内的温度；反射率测量部，其测量形成于反应管的内部的膜的反射率；以及控制部，其使用由温度测量部测量出的温度信息和由反射率测量部测量出的膜的反射率信息对形成于基板的膜的成膜条件进行反馈控制。
处理装置半导体制造方法以及存储介质

[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序-CN201980094512.X在审
发明人：野野村一树;竹林雄二 -专利权人： 株式会社国际电气
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种技术，具有以下工序：在处理室内积载并容纳多个基板的工序；从第一喷嘴和第二喷嘴针对多个基板供给原料气体的工序，上述第一喷嘴在处理室内沿多个基板的基板积载方向设置且从基板积载方向的上部供给的气体的流量比从下部供给的气体的流量多，上述第二喷嘴在处理室内沿基板积载方向设置且从基板积载方向的下部供给的气体的流量比从上部供给的气体的流量多；以及针对多个基板供给反应气体的工序。
半导体装置制造方法处理以及程序

[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序-CN201980094224.4在审
发明人：筱崎贤次;山本哲夫;广地志有;柳泽爱彦;原直树;上野正昭;山口英人;村田等;西堂周平;木村一洋 -专利权人： 株式会社国际电气
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供一种技术，具有如下工序：利用从加热装置供给的电磁波将保持于保持基板的基板保持件的隔热板加热到处理基板的处理温度，利用非接触式温度计测定直至到达处理温度的隔热板的温度变化；利用加热装置将保持于基板保持件且设置有由不透过非接触式温度计的探测光的材质构成的片材的基板加热到处理温度，利用非接触式温度计测定直至到达处理温度的片材的温度变化；根据隔热板的温度变化的测定结果和片材的温度变化的测定结果，获取隔热板和片材的温度变化的相关关系；以及基于非接触式温度计测定的隔热板的温度和相关关系控制加热装置对基板进行加热。
半导体装置制造方法处理以及程序