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[实用新型]基于车顶连接各类装置用的360°可旋转式连接装置-CN201320387860.6有效
发明人： 柴春林 -专利权人： 柴春林
申请日： 2013-06-22 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： B60R9/045 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于车顶连接各类装置用的360°可旋转式连接装置，解决现有的车顶连接各类装置用的连接装置不具有通用性的问题。该360°可旋转式连接装置，包括万向转动固定机构，与该万向转动固定机构连接的锁紧装置，以及一端固定于万向转动固定机构、另一端穿过万向转动固定机构与锁紧装置之间的间隙、并由锁紧装置将其锁紧形成环扣扣住车顶支架的传动固定带。本实用新型设计巧妙，结构合理，通用性强，可以将各类车顶装置连接到车顶上，因此，本实用新型具有很高的实用价值和推广价值。
基于车顶连接各类装置 360 旋转

[实用新型]滑动式一次翻折成形车顶帐篷-CN201320172838.X有效
发明人： 柴春林 -专利权人： 柴春林
申请日： 2013-03-25 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： E04H15/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了滑动式一次翻折成形车顶帐篷，解决车顶帐篷占用空间、不方便打开、关闭和进入的问题。本实用新型包括滑轨，通过滑块与滑轨连接且底部设有入口的左帐篷底座，与左帐篷底座合页连接的右帐篷底座，连接于左帐篷底座两侧并靠近左帐篷底座与右帐篷底座连接处的支架，同时与左帐篷底座、右帐篷底座和支架连接的篷布，以及与右帐篷底座连接的翻转机构。本实用新型利用右帐篷底座的翻转，以及多个支架的支撑作用，可以确保篷布一次性完全打开或收缩，实现了帐篷的一次性成形，整个帐篷的搭建效率得到了明显的提高，大大节省了占用的空间，并且滑动式的帐篷设计也省去了需要辅助设施才能进入帐篷的麻烦。
滑动一次折成车顶帐篷

[实用新型]翻折式一次成形车顶帐篷-CN201320172837.5有效
发明人： 柴春林 -专利权人： 柴春林
申请日： 2013-03-25 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： E04H15/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种翻折式一次成形车顶帐篷，解决现有的车顶帐篷占用空间、且不便于打开和关闭的问题。本实用新型包括左帐篷底座，与左帐篷底座边缘合页连接且底部设有入口的右帐篷底座，连接于左帐篷底座两侧并靠近左帐篷底座与右帐篷底座连接处的支架，同时与左帐篷底座、右帐篷底座和支架连接的篷布，以及与右帐篷底座连接、用于翻转右帐篷底座的翻转机构。本实用新型利用右帐篷底座的翻转，以及支架的支撑作用，可以确保篷布一次性完全打开或收缩，实现了帐篷的一次性成形，整个帐篷的搭建效率得到了明显的提高，并且大大节省了占用的空间，因此，本实用新型具有很高的实用价值和推广价值。
翻折式一次成形车顶帐篷

[发明专利]具有自动排水功能的双舱体式车顶帐篷-CN201310125079.6有效
发明人： 柴春林 -专利权人： 柴春林
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： E04H15/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有自动排水功能的双舱体式车顶帐篷，解决现有的车顶帐篷不具备自动排水的功能。该双舱体式车顶帐篷，包括由外舱体和与之连接的内舱体构成的帐篷舱体，与内舱体连接且为一个以上的倒“U”型帐篷支撑架，边缘与内舱体连接并套在倒“U”型帐篷支撑架上的内篷布，以及设置在外舱体中的排水口；所述帐篷舱体的底部设有用于进入帐篷内部的入口。本发明设计原理简单，结构合理，耐用性强，稳定性高，其采用双舱体设计，并配置排水口的方式，很好地解决了车顶帐篷的排水问题，因此，本发明具有很高的实用价值和推广价值。
具有自动排水功能体式车顶帐篷

[发明专利]锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法-CN200910081473.8无效
发明人：陈晓锋;陈诺夫;吴金良;张秀兰;柴春林;俞育德 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-04-08 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明一种锰掺杂锑化镓单晶的化学腐蚀方法，其中包括以下步骤：步骤1：取一单晶片体，使用抛光粉对单晶片体进行机械抛光；步骤2：再将机械抛光后的单晶片体使用试剂进行化学抛光；步骤3：对机械抛光和化学抛光后的单晶片体，进行化学腐蚀。
掺杂锑化镓单晶化学腐蚀方法

[发明专利]在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法-CN200510079720.2无效
发明人：刘力锋;陈诺夫;尹志岗;杨霏;柴春林 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-06-24 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：一种在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)以硅单晶为衬底材料；2)采用磁控溅射方法，选择锰靶和硅靶两个靶；3)将硅单晶衬底送入磁控溅射仪制备室；4)衬底为室温或加温，锰靶和硅靶共溅射制备锰－硅薄膜；5)退火，在硅单晶衬底上形成锰硅薄膜，该锰硅薄膜表现室温铁磁特性。
衬底磁控溅射制备铁磁性薄膜方法

[发明专利]一种制备金属铪薄膜材料的方法-CN200410098996.0无效
发明人：杨少延;柴春林;刘志凯;陈涌海;陈诺夫;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-23 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明提供一种制备金属铪薄膜材料的方法。利用具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备，以纯度要求不高的低成本氯化铪为原材料，在用单束同位素纯低能氩离子轰击溅射清洗过的洁净衬底上，先用产生的同位素纯低能金属铪离子束和氮离子束制备一层薄氮化铪作为阻挡衬底与铪离子发生界面反应的阻挡层和缓冲层，再用单束同位素纯低能金属铪离子外延生长金属铪薄膜，通过准确控制铪离子束能量、沉积剂量、束流密度、束斑形状及生长温度，在超高真空生长室内，实现难提纯、高熔点的金属铪薄膜低成本高纯、高结晶质量生长与低温外延。本发明的生长工艺便于调控和优化，是一种经济实用的制备用于半导体技术领域金属铪薄膜材料的方法。
一种制备金属薄膜材料方法

[发明专利]一种制备金属锆薄膜材料的方法-CN200410101885.0无效
发明人：杨少延;柴春林;刘志凯;陈涌海;陈诺夫;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-30 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明是制备金属锆薄膜材料的方法，属于半导体技术领域。该方法利用有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备，以纯度不高的低成本氯化锆为原材料，在用单束的同位素纯低能氩离子轰击清洗过的洁净衬底上，先用产生的同位素纯低能金属锆离子束和氮离子束制备一层薄氮化锆作为阻挡衬底与锆离子发生界面反应的阻挡层和缓冲层，再用单束的同位素纯低能金属锆离子外延生长金属锆薄膜，通过准确控制锆离子束的能量、沉积剂量、束流密度、束斑形状及生长温度，在超高真空生长室内，实现难提纯、高熔点的金属锆薄膜的低成本高纯、高结晶质量生长与低温外延。本发明的生长工艺便于调控和优化，是一种经济实用的制备金属锆薄膜材料的方法。
一种制备金属薄膜材料方法

[发明专利]一种制备二元稀土化合物薄膜材料的方法-CN200410101884.6无效
发明人：杨少延;柴春林;刘志凯;周建平;陈诺夫;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-30 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明提供一种制备二元稀土化合物薄膜材料的方法。利用低能双离子束沉积设备的质量分离功能与荷能离子沉积特点，以纯度要求不高的稀土氯化物作为I束伯纳斯型固体离子源的原材料，产生一束同位素纯低能稀土元素离子，并与II束伯纳斯型气体离子源产生的与之化合的另一同位素纯低能离子在超高真空生长室内交替沉积生长，通过准确控制参与生长的同位素纯低能离子的能量、束斑形状、束流剂量和配比及生长温度，实现了难提纯、高熔点、易氧化及难化合的二元稀土化合物薄膜的高纯、高效优质生长及低温外延。本发明可制备的稀土薄膜材料范围广，且生长工艺便于调控和优化，是一种制备半导体技术领域或其他领域应用的稀土薄膜材料的经济实用方法。
一种制备二元稀土化合物薄膜材料方法

[发明专利]一种制备三元高K栅介质材料的方法-CN200410009860.8无效
发明人：李艳丽;陈诺夫;刘立峰;尹志刚;杨菲;柴春林 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-11-25 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及制备高K栅介质材料的方法，特别是指一种制备组分可调的新型三元高K材料的方法。该方法，即：在半导体衬底上用溅射的方法生长三元高K薄膜材料。包括步骤：a)选择硅(Si)、砷化镓(GaAs)和锑化镓(GaSb)作为半导体衬底；b)薄膜生长所用的方法是溅射法；c)在b)步中，制备时通过调整溅射系统中的靶距，或通过改变溅射功率来调整其中的氧化物含量，以得到所需的三元高K薄膜材料；d)在c)步中，当钆距为6cm、钇距为7cm、钆的溅射功率为70W、钇的溅射功率为60W时，所制备的三元高K材料性质最优，其中各氧化物成分为(Gd₂O₃)_0.98(Y₂O₃)_0.02，介电常数可高达23，比Gd₂O₃的介电常数高了40％，比Y₂O₃的介电常数高了70％。本发明方法制备的产品与其它高K材料相比，因混合了两种氧化物的优点而消除或降低了它们的缺点，使材料的性能达到最优。
一种制备三元介质材料方法

[发明专利]利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法-CN200410009816.7无效
发明人：杨少延;柴春林;刘志凯;陈涌海;陈诺夫;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-11-18 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种利用离子束外延(IBE)生长设备制备氮化铪(HfN)薄膜材料的方法。在具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备上，选用纯度要求不高的氯化铪(HfCl₄)固体粉末和氮气(N₂)分别作为产生同位素纯低能金属铪离子(Hf⁺)束和氮离子(N⁺)束的原材料，通过准确控制参与生长的两种同位素纯低能离子的交替沉积束流剂量与配比、离子能量、离子束斑形状及生长温度，在超高真空生长室内，实现了氮化铪(HfN)薄膜的低成本高纯、正化学配比的优质生长与低温外延。本发明的生长工艺便于调控和优化，可制备得到具有原子尺度光滑平整的高结晶质量氮化铪(HfN)薄膜，是一种经济实用的制备应用于半导体技术领域氮化铪(HfN)薄膜材料的方法。
利用离子束外延生长设备制备氮化薄膜材料方法

[发明专利]利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法-CN200410009815.2无效
发明人：杨少延;柴春林;刘志凯;陈涌海;陈诺夫;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-11-18 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种利用离子束外延(IBE)生长设备制备氮化锆(ZrN)薄膜材料的方法。在具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备上，选用纯度要求不高的氯化锆(ZrCl₄)固体粉末和氮气(N₂)分别作为产生同位素纯低能金属锆离子(Zr⁺)束和氮离子(N⁺)束的原材料，通过准确控制参与生长的两种同位素纯低能离子的交替沉积束流剂量与配比、离子能量、离子束斑形状及生长温度，在超高真空生长室内，实现了氮化锆(ZrN)薄膜的低成本高纯、正化学配比的优质生长与低温外延。本发明的生长工艺便于调控和优化，是一种经济实用的制备应用于半导体技术领域的氮化锆(ZrN)薄膜材料的方法。
利用离子束外延生长设备制备氮化薄膜材料方法

[发明专利]低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法-CN200410044605.7无效
发明人：杨少延;刘志凯;柴春林;陈诺夫;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-05-14 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明一种低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法，其特征在于：氧化物薄膜材料的沉积生长步骤如下：将氧化物靶材及清洗后的衬底置入生长室；将生长室抽真空；利用脉冲激光辐照氧化物靶材，同时用低能离子束装置产生的低能氧离子束轰击衬底，低能氧离子束起辅助生长与补充脉冲激光沉积法制备氧化物薄膜过程中缺失的氧的作用。
低能离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜方法

[发明专利]一种用于低能离子束材料制备方法的离子源装置-CN200310121178.3无效
发明人：杨少延;刘志凯;柴春林;蒋渭生 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2003-12-22 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明涉及离子束技术，是一种可在低能离子束材料制备方法中应用的离子源装置，包括弧室体和坩埚两部分，每部分配有辅助加热装置。弧室体与坩埚成一体且前后分离，之间有排进气孔连通；弧室体内装有上下双螺旋状灯丝，增大了弧室热功率和发射的电子密度，灯丝位于上下两端，减小了离子直接溅射，灯丝后有反射板；坩埚为立式，内筒有两种，反应器型可盛装与工作气体反应的固体源材料，工作气体自上而下通过源材料并与之充分反应，蒸发器型可盛装能蒸发出材料气氛的源材料，可调整辅助加热及灯丝电流来控制源的工作温度。本发明结构简单实用，工作性能稳定、束流品质好、离化效率高、源材料选择范围广、产生离子种类多。可用于其他离子束相关技术。
一种用于低能离子束材料制备方法离子源装置

[发明专利]磁控溅射方法制备碳化硅薄膜工艺-CN03158500.0无效
发明人：陈诺夫;杨霏;尹志岗;柴春林;吴金良 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2003-09-10 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种磁控溅射方法制备碳化硅薄膜工艺，其特征在于，包括如下步骤：1)选择Si单晶为衬底材料，选择碳化硅为靶材；2)将Si单晶衬底材料送入磁控溅射仪；3)加温，生长碳化硅薄膜；4)退火；5)完成制备碳化硅薄膜工艺。
磁控溅射方法制备碳化硅薄膜工艺