“柏松”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果488个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种精确控制短沟道的平面型SiC MOSFET及其制造方法-CN202310472479.8有效
发明人：黄润华;张腾;李士颜;刘奥;柏松;杨勇 -专利权人：南京第三代半导体技术创新中心有限公司;南京第三代半导体技术创新中心
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种精确控制短沟道的平面型SiC MOSFET及其制造方法，包括：通过一次外延在N+衬底上形成N‑漂移区；通过离子注入在N‑漂移区上形成PWELL掺杂区；将PWELL掺杂区埋入N‑漂移区；通过刻蚀的方法形成JFET区台阶；通过三次P型外延在步骤S4形成的器件表面形成三层P型掺杂层作为SiC MOSFET沟道区；形成N型掺杂层、N+欧姆接触区、栅介质层、栅电极、隔离介质层；本发明采用外延的方法形成MOS沟道，通过平坦化工艺完成平面型MOS结构加工，通过外延的方法形成沟道附近的N型掺杂层和P型掺杂层能够大幅度提高沟道一致性，避免传统离子注入形成MOS过程中注入散射引起的局部沟道过短。
一种精确控制沟道平面 sic mosfet 及其制造方法

[发明专利]多沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法-CN202310971536.7有效
发明人：张跃;张腾;黄润华;柏松;杨勇 -专利权人：南京第三代半导体技术创新中心有限公司;南京第三代半导体技术创新中心
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种多沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法，该碳化硅MOSFET器件包括第一、第二沟槽，第一导电类型衬底、外延层和源区，第二导电类型阱区。沿垂直于xz平面的方向通过刻蚀形成第一、第二沟槽，第一、第二沟槽沿x方向贯穿器件有源区。于第一、第二沟槽中形成栅介质和栅电极，正向导通工作条件下，栅电极、栅介质以及第二导电类型阱区形成了五条不同位置的沟道，有效增大了沟道宽度。本结构通过引入沟槽结构以增大沟道宽度，同时规避了沟槽结构固有的栅介质易击穿问题。通过增大沟道宽度，在不损害击穿特性的前提下，明显降低了沟道电阻，进而有效提升器件的导通特性。本发明同时公开了所述器件结构的制造方法。
沟道碳化硅 mosfet 器件及其制造方法

[实用新型]一种可快速检修的进线柜-CN202321191817.2有效
发明人：吴雪梅;张光斗;柏松;张莉;邓延;张杰;张忠涛;朱嘉军 -专利权人：四川华科智飞自动化设备有限责任公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02B1/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可快速检修的进线柜，包括柜体，其特征在于，所述柜体内部上下端面均设置有滑动卡槽，所述滑动卡槽沿着柜体的宽度方向设置，前端设置为开口；在所述柜体内设置有竖直设置的电器支撑组件，所述电器支撑组件包括支撑机构和移动旋转机构，所述支撑机构包括支撑框和多根安装在支撑框上的横板，所述支撑框远离横板一侧上下两端的中部分别固定连接有第一凸板和第二凸板，所述第二凸板的上侧面设置有第一梅花孔；本实用新型设置滑动卡板和滑动卡槽，以便工作人员将装有电器的支撑框移出进线柜，为查看进线柜后侧区域线缆的情况提供初步条件。
一种快速检修进线柜

[发明专利]适用于高频领域的碳化硅槽栅MOSFET器件及制造方法-CN202311195559.X在审
发明人：张跃;柏松;张腾;黄润华;杨勇 -专利权人：南京第三代半导体技术创新中心有限公司;南京第三代半导体技术创新中心
申请日： 2023-09-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于高频领域的碳化硅槽栅MOSFET器件及制造方法，该碳化硅槽栅MOSFET器件包括第一、第二沟槽，第一导电类型衬底、外延层和源区，第二导电类型阱区、屏蔽区。于第一沟槽中形成栅介质、栅极电极和金属层，于第二沟槽中形成金属层。在不增加元胞尺寸的前提下，于元胞中集成肖特基二极管，有效改善了器件的第三象限特性。通过第一沟槽、第二沟槽的设计，大幅简化了第二导电类型屏蔽区短接源极的工艺，减少了芯片面积的损耗，提升了电流密度。同时，本结构明显降低了器件的栅漏电容，减少了开关损耗，在高频应用领域有着明显的优势。
适用于高频领域碳化硅 mosfet 器件制造方法

[发明专利]环绕栅沟道碳化硅场效应晶体管及其制作方法-CN202310971611.X有效
发明人：张腾;魏则鲁;黄润华;柏松;杨勇 -专利权人：南京第三代半导体技术创新中心有限公司;南京第三代半导体技术创新中心
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种环绕栅沟道碳化硅场效应晶体管及其制作方法，晶体管包括在第二导电类型沟道层上沿着栅条方向周期性分布，贯穿第二导电类型沟道层并接触沟槽的第二导电类型沟道层刻蚀窗口，位于沟槽内表面的第一栅介质层、位于第二导电类型沟道层的上表面的第二栅介质层和位于第二导电类型沟道层刻蚀窗口内壁上的第三栅介质层；填充沟槽内的第一栅电极、覆盖部分第二栅介质层上表面的第二栅电极和填充第二导电类型沟道层刻蚀窗口的第三栅电极；本发明采用环绕栅沟道设计，利用上下双层栅电极实现超薄沟道的栅控导通，可获得超高的沟道迁移率，极大程度降低器件的导通电阻。
环绕沟道碳化硅场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]高可靠性沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制造方法-CN202310450705.2有效
发明人：张跃;张腾;柏松;黄润华;杨勇 -专利权人：南京第三代半导体技术创新中心有限公司;南京第三代半导体技术创新中心
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种高可靠性沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制造方法，方法包括：形成第一沟槽；生长第二导电类型外延层，第二导电类型外延层填充于第一沟槽内作为第二导电类型屏蔽区，第二导电类型外延层覆盖于第一导电类型外延层的区域作为第二导电类型阱区；于第二导电类型阱区之中形成第一导电类型源区；于第一导电类型外延层中形成栅极沟槽。本发明在形成第一沟槽后，通过外延回填工艺，于一步工艺内形成第二导电类型阱区和第二导电类型屏蔽区，第二导电类型屏蔽区深度明显大于栅极沟槽的深度，可以有效减小关断状态下栅极沟槽内部栅介质承受的电场强度，提高器件可靠性，且降低了槽栅型碳化硅MOSFET器件的工艺复杂性，便于批量生产。
可靠性沟槽碳化硅 mosfet 器件及其制造方法

[实用新型]一种伸缩验电器-CN202320928329.9有效
发明人：柏松;邓华;伍金贵;王述成;陈进;冯晨;陈山;陆静;权杰;杜晓风 -专利权人：国网四川省电力公司巴中供电公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种伸缩验电器，包括柱状的握持部、延长软管及验电部，握持部沿长度方向开有伸缩腔，伸缩腔内沿长度方向设有弹簧；延长软管的内径小于弹簧的外径，延长软管的外径大于弹簧的内径，延长软管套设于伸缩腔内，与握持部滑动连接，延长软管同轴套装有能够弯曲并记忆的金属芯；验电部与延长软管连接，验电部靠近握持部的一侧通过快接机构与握持部可拆卸连接。其能够解决现有的验电器由于待检验部位结构遮挡复杂，导致探头无法接触待检验部位，以及整个装置收纳不便的问题。
一种伸缩验电器

[发明专利]吸顶灯-CN201910159675.3有效
发明人：陈和生;徐勋爵;陈耀卫;许正杭;柏松 -专利权人：杭州帕诺迩照明科技有限公司
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01R13/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种吸顶灯及其安装座、插座、插针，插座包括插座壳体，插座壳体内安装有夹持金属件和固定金属件，插座壳体一端设有接线孔，插座壳体与接线孔相对的另一端设有供插针插入的插口，夹持金属件和固定金属件设置在与接线孔对应的位置，夹持金属件在弹力作用下靠近固定金属件以夹持电线，两个导电接触件安装在与所述插口相对的位置，两个导电接触件分别与两个夹持金属件和/或固定金属件导电连接。本方案插座中的导电接触件和插针中的弹性触头通过弹力蓄势确保接触良好不易松动断开，并且即使插针和插座产生一定程度的插接偏移或不到位，也可以保证导电接触良好。这样，不仅快速拆装、方便使用、寿命高，而且结构简单合理，制造方便。
吸顶灯

[发明专利]一种隧道接缝防水结构及其防水施工方法-CN202210279970.4有效
发明人：李虎;柏松;孙多乐;马艺虎;程振华;武尚彬;马雷进 -专利权人：安徽省路桥工程集团有限责任公司;河南省栾卢高速公路建设有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： E02D29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种隧道接缝防水结构及其防水施工方法，包括：混凝土拱洞A和混凝土拱洞B，所述混凝土拱洞A和混凝土拱洞B的相对一侧之间固定安装组合拼接机构，所述混凝土拱洞A和混凝土拱洞B的内部设置有水源引流机构，采用物理压缩的方式，在外力作用下，橡胶制品本身就具备一定的形变量，实时不管橡胶皮垫A或橡胶皮垫B何处出现凸凹结构，都能利用另一个产生的形变当量去补充，使得橡胶皮垫A和橡胶皮垫B接触后，两者所存在的缝隙可以忽略不计，有效解决现有防水结构通过胶水将混凝土拱洞A和混凝土拱洞B固定后，再将防水材料涂装在两者缝隙处，导致胶水风化后混凝土拱洞A和混凝土拱洞B发生脱离，使防水涂层脱落的问题。
一种隧道接缝防水结构及其施工方法

[发明专利]自动获取并分析关键数据生成报告的装置及方法-CN202310761894.5在审
发明人：白国力;海政;柏松 -专利权人：西安万德协创信息科技有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H04N1/04 文献下载
摘要：本发明涉及数据报告处理设备相关的技术领域，提供了一种自动获取并分析关键数据生成报告的装置，包括打印柜柜体，打印柜柜体的顶部设置有显示组件，打印柜柜体的底部设置有打印机本体，打印柜柜体的侧壁上设置有扫描机；显示组件包括显示屏和控制器，控制器连接于显示屏、打印机本体和数据获取组件；扫描机上设置有控制面板和扫描口，扫描口靠近显示组件的一侧设置有纸张出口，纸张出口连通于扫描机和打印机本体；控制器内设置有文字转录模块、数据获取模块、区域识别模块、数据分析模块、模板提取模块和报告生成模块，用于数据传输与获取；报告生成模块连接于显示组件，用于显示生成的报告。
自动获取分析关键数据生成报告装置方法

[实用新型]一种进线柜的电线收纳机构-CN202321191859.6有效
发明人：吴雪梅;张光斗;柏松;张莉;邓延;张杰;张忠涛;朱嘉军 -专利权人：四川华科智飞自动化设备有限责任公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B65H54/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种进线柜的电线收纳机构，包括传动杆，所述传动杆的端部设置有涡轮和涡杆，还包括多组收卷组件，所述收卷组件包括收卷轮和抵挡机构，所述收卷轮套设在传动杆上，端面固定连接有凸板，所述凸板处螺纹贯穿设置有抵压螺栓，所述抵压螺栓的端部抵压传动杆，所述抵挡机构位于收卷轮收卷槽的内侧；本实用新型设置抵挡机构，以便限制电线相对收卷轮的位置，实现在传动杆的转动下带动多个收卷轮同步转动快速规整收卷多根电线，改变了现有需要预先耗费较长时间缠绕电线的方式，提高了电线的连接效率。
一种进线柜电线收纳机构

[发明专利]用于电动汽车的信息采集与监测管理系统及方法-CN202310932932.9在审
发明人：李卓;何荣;许新桢;王伟民;冉洁;冯亮;王井;代晓红;柏松;张根海;黄宇 -专利权人：重庆清仪微系统研究院;重庆清仪微系统技术有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B60W40/00 文献下载
摘要：本发明涉及电动汽车数据采集领域，具体涉及用于电动汽车的信息采集与监测管理系统及方法。系统包括：单目摄像头，用于获取当前车辆所在路面上的待测目标的目标图像；车载陀螺仪，用于获取单目摄像头的位姿数据；数据处理模块，用于根据单目摄像头的位姿数据结合目标图像计算当前车辆与待测目标之间的目标距离信息；车辆控制模块，用于根据当前车辆与待测目标之间的目标距离信息控制当前车辆的行驶状态。本发明通过单目摄像头实现电动汽车的距离信息检测，并且能够在不平整路面、倾斜路面和车身震动等复杂应用场景下保证距离信息的检测精度，从而兼顾电动汽车信息采集与监测管理的成本和有效性。
用于电动汽车信息采集监测管理系统方法

[实用新型]一种隔球器毛刺清理装置-CN202222320315.7有效
发明人：张怀影;柏松;戴福福;宋永珍 -专利权人：北京隆轩橡塑有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B29C37/02 文献下载
摘要：本实用新型的实施例公开了一种隔球器毛刺清理装置，包括底座、连接在所述底座上的定位卡爪、气缸、连接在气缸上移动卡爪、去毛刺刀、台式钻床工作台以及用于连接固定的螺栓、螺母。本实用新型结构简单，可以直接设置在隔球器生产线旁，能够在隔球器注塑成型后，快速完成毛刺清理，解决注塑过程隔球器清理毛刺的问题，提高隔球器的外观质量，降低人工劳动强度，提高了隔球器生产效率，降低了人工清理毛刺的劳动强度，具有很好的经济效益和实用性。
一种隔球器毛刺清理装置

[发明专利]一种丙二酸酯类化合物、制备方法及其用途-CN202211030537.3有效
发明人：柏松;张妙鹤;张文娟;冯双;朱芸莹;魏娴;李渺;吴琴;吕梦岚;陈丽军;罗孜;吴蓉;周涵;罗健林;赵贵丽 -专利权人：贵州工业职业技术学院;贵州理工学院
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C07D261/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种丙二酸酯类化合物，其特征在于：其通式为下式(I)：其中：R1为C1‑C3烷基；R2苯基、取代苯基、呋喃基或环己基。本发明合成了具有抗黄瓜花叶病毒、黄瓜灰霉病菌、有害疣孢霉菌、嗜菌葡枝霉菌、猕猴桃溃疡病菌、应变假单胞杆菌活性的丙二酸酯类化合物。本发明的优点在于，原料易得，工艺简单，反应条件温和，反应收率高。
一种丙二酸酯类化合物制备方法及其用途

[发明专利]一种光介导的芬顿铁泥循环利用工艺-CN202310807068.X在审
发明人：柏松;蔡珉晖;刘军;陈鸣;谈超群 -专利权人：江苏省南京环境监测中心
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C02F1/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种光介导的芬顿铁泥循环利用工艺，在厌氧环境下利用光介导使得三价铁螯合的有机物发生配体对金属电荷转移，产生二价铁，其还原率达到80％以上，即能够实现芬顿铁泥的无害化处置，同时避免了铁资源的浪费，是一种促进芬顿铁泥循环利用的有效工艺。
一种光介导芬顿铁泥循环利用工艺

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 488 条