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[发明专利]绝热构造体和立式热处理装置-CN201910184953.0有效
发明人：吉井弘治;山口达也;林宽之;冈田充弘;高木聪;高桥敏彦;庄司正文;北村和也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制从晶圆处理区域向炉口部分的热移动、热传递的绝热构造体和立式热处理装置。一实施方式的绝热构造体用于立式热处理装置，该立式热处理装置具备：双层管构造的处理容器，其具有内管和上部封闭着的外管，并在下端具有开口；气体供给部和排气部，其设置于所述处理容器的下侧；盖部，其从所述开口导入和排出基板，并且能够使所述开口开闭；以及加热部，其以从外侧覆盖所述处理容器的方式设置，该立式热处理装置利用所述加热部对基所述板进行热处理，在所述绝热构造体中，该绝热构造体设置于所述内管与所述外管之间。
绝热构造立式热处理装置

[发明专利]包装袋及其制造系统-CN202180029226.2在审
发明人：海津大;林宽之;末冈正章;森冈舜;室屋洋辅 -专利权人：京洛株式会社
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： B65D81/34 文献下载
摘要：提供一种制造效率优异的包装袋的制造系统。根据本发明，提供一种包装袋的制造系统，具备膜供给装置、搬送装置、底部插入装置、底部密封装置、横向密封装置、以及分割装置，所述膜供给装置供给彼此相对的前面长膜和背面长膜，所述搬送装置构成为搬送所述前面长膜和所述背面长膜，所述底部插入装置、所述底部密封装置、所述横向密封装置、所述分割装置沿所述搬送的方向依次配置，所述底部插入装置在插入开始位置开始将底部长膜插入到所述前面长膜和所述背面长膜之间，在比所述插入开始位置靠下游侧的插入结束位置完成所述底部长膜的插入，所述底部密封装置构成为将所述底部长膜分别熔接于所述前面长膜和所述背面长膜，所述横向密封装置以使所述前面长膜和所述背面长膜彼此熔接的方式形成在与所述搬送的方向垂直的方向上延伸的横密封部，所述分割装置沿所述横密封部分割所述前面长膜、所述背面长膜。以及所述底部长膜。
装袋及其制造系统

[发明专利]导电纱线及具有由导电纱线构成的配线的物品-CN202180030271.X在审
发明人：上杉隆;林宽之;辻本和久 -专利权人：世联株式会社
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： D02G3/38 文献下载
摘要：提供具有对于变形、拉伸具有耐久性的导电性、在缝制时不产生扭曲、松弛的导电纱线。采用缝制这样的简易的方法，能够提供具备具有自由的形状的柔软的配线的物品。涉及导电纱线，其特征在于，具有：无捻的高强度长丝纱；将所述高强度长丝纱以Z捻包覆的第一导电性长丝纱；和将所述高强度长丝纱以S捻包覆的第二导电性长丝纱。另外，涉及具有由该导电纱线形成的配线的物品。
导电纱线具有构成物品

[发明专利]硅膜的形成方法、形成装置以及存储介质-CN201810869824.0有效
发明人：高木聪;林宽之;蔡秀林 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本公开涉及硅膜的形成方法、形成装置以及存储介质。提供一种能够针对不同的基底来减小膜厚差并形成硅膜的硅膜的形成方法以及形成装置。包括以下工序：准备具有凹部的被处理基板，在该凹部多个不同的基底露出；一边将被处理基板加热至规定的温度，一边将适合于多个不同的基底的原料气体以及与原料气体反应的反应气体按顺序向被处理基板供给一次或多次，从而至少在凹部的内表面形成原子层晶种，接着，一边将被处理基板加热至规定的温度，一边向被处理基板供给硅原料气体，在原子层晶种的表面以填充凹部的方式形成硅膜。
形成方法装置以及存储介质

[发明专利]微波炉用包装袋-CN202080059695.4在审
发明人：山嵜大辅;林宽之 -专利权人：京洛株式会社
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： B65D81/34 文献下载
摘要：提供一种可大幅减少对环境负荷大的塑料材料的微波炉用包装袋。一种即能够通过热熔接包装材料的周缘部形成袋状，且具有出蒸汽密封部的微波炉用包装袋。在纸质包装材料中，纸质基材的厚度为整体的厚度的50％以上。纸质基材的厚度为30μm～250μm。纸质包装材料在纸质基材的表面具有水蒸气阻隔层。水蒸气阻隔层通过涂布水性涂料而形成。纸质包装材料具有阻气层，且纸质基材上按顺序形成有水蒸气阻隔层和阻气层。纸质包装材料还可以具有密封胶层。
微波炉装袋

[发明专利]清洁方法和基板处理装置-CN202080056685.5在审
发明人：竹泽由裕;铃木大介;林宽之;宫原达也;藤田圭介;及川大海;藤田成树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开的一方式的清洁方法具备如下工序：借助排气管向能进行排气的处理容器的内部供给不含氟的含卤素气体，进行清洁的工序；和，在供给前述含卤素气体进行清洁的工序后，向前述处理容器的内部和前述排气管的内部的至少任一者供给含氟气体，进行清洁的工序。
清洁方法处理装置

[发明专利]包装袋-CN202080051748.8在审
发明人： 林宽之 -专利权人：京洛株式会社
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： B65D30/10 文献下载
摘要：提供一种隔热性优异且能够抑制内置物的漏出的包装袋。根据本发明，提供一种包装袋，其构成为具有可挠性的膜熔接在密封部，其中，具备随着内压上升而形成蒸汽流路的蒸汽排出密封部，上述膜具备发泡层，上述蒸汽排出密封部设置于上述密封部。
装袋

[发明专利]生物体电极以及附带生物体电极的装配用具-CN202080038475.3在审
发明人： 林宽之;辻本和久 -专利权人：世联株式会社
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： A61B5/296 文献下载
摘要：提供能够测定伪像少的生物体信号，在接近的生物体电极间不会发生短路，没有在安装时、生物体信号测定时的不舒服感的生物体电极、以及对于安装时的压迫，布线也不易断线，即使存在安装部位周长的个体差异，也能够使生物体电极抵接于预定位置并进行准确的测定、电刺激的附带生物体电极的装配用具。在生物体电极中，对含有导电性纤维的片材状构造体施加吸水性树脂，使水分保持指数为0.8以上。一种附带生物体电极的装配用具，包含布料构造物，该布料构造物在包含伸缩性布料的基布上具备具有形成于基布表面的布线、设置于布线的末端的生物体电极以及包覆布线的绝缘层的电极配置区域，基布在电极配置区域具有呈现相对低的伸长性的第一伸长方向以及在与其不同的伸长方向上呈现比第一伸长方向高的伸长性的第二伸长方向，布线沿着第一伸长方向形成。
生物体电极以及附带装配用具

[发明专利]打印机和存储用于打印机的计算机可读指令的非暂时性计算机可读记录介质-CN202110166894.1在审
发明人： 林宽之 -专利权人：兄弟工业株式会社
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G06F3/12 文献下载
摘要：一种打印机，该打印机可以经由打印机的通信接口从第一外部设备接收一个或多个用户识别信息之中的第一用户识别信息，并且可以经由通信接口从第一外部设备接收包括第一特定信息的第一删除请求。在从第一外部设备接收到第一用户识别信息和第一删除请求，并且第一用户识别信息与第一打印设置信息相关联地存储在打印机的存储器中的情况下，打印机可以从存储器中删除由第一特定信息识别的第一打印设置信息。
打印机存储用于计算机可读指令暂时性记录介质

[发明专利]膜形成方法和膜形成装置-CN202011476465.6在审
发明人：竹泽由裕;铃木大介;林宽之;本山丰 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及膜形成方法和膜形成装置。[课题]提供可以形成大粒径的多晶硅膜的技术。[解决方案]本公开的一方式的膜形成方法具备如下工序：在基底上形成依次层叠有界面层、主体层和表面层的层叠膜的工序；和，对前述层叠膜进行结晶处理的工序，前述主体层在前述进行结晶处理的工序中由比前述界面层还容易结晶的膜形成，前述表面层在前述进行结晶处理的工序中由比前述主体层还容易结晶的膜形成。
形成方法装置

[发明专利]基板处理装置-CN202010200947.2在审
发明人：竹泽由裕;熊谷圭太;藤田圭介;林宽之;铃木大介;兼村瑠威;藤田成树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本公开提供一种能够在多个基板的表面形成膜厚度的面内均匀性良好的硅膜等的基板处理装置。所述基板处理装置具有：处理容器，其在内部收容多个基板；气体供给部，其向所述处理容器的内部供给为包含Si和H、或Ge和H的化合物的第一原料气体、以及为包含Si和卤元素、或Ge和卤元素的化合物的第二原料气体；以及排气部，其对所述处理容器的内部进行排气，其中，所述气体供给部具有分散喷嘴部，该分散喷嘴部设置有用于释放所述第一原料气体和所述第二原料气体的多个气体孔，所述基板处理装置具有用于对所述分散喷嘴部内的所述第一原料气体和所述第二原料气体进行加热的加热部。
处理装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202010201549.2在审
发明人： 林宽之;藤田成树;熊谷圭太;藤田圭介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本公开提供一种能够改善膜厚度的面内均匀性的成膜方法和成膜装置。基于本公开的一个方式的成膜方法包括：降温步骤，一边使被收容于处理容器内的基板的温度从第一温度降温至第二温度，一边向所述处理容器内供给非含卤硅原料气体和含卤硅原料气体；以及恒温步骤，在所述降温步骤之后进行，在所述恒温步骤中，一边将所述基板的温度维持为第三温度，一边向所述处理容器内供给所述非含卤硅原料气体和所述含卤硅原料气体。
方法装置

[发明专利]成膜方法和热处理装置-CN202010130587.3在审
发明人：本山丰;林宽之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及成膜方法和热处理装置。[课题]提供降低基板的翘曲、且能形成埋入特性良好的半导体膜的技术。[解决方案]本公开的一方式的成膜方法具备如下工序：在凹部中成膜为非晶态半导体膜的工序；对前述非晶态半导体膜进行热处理而形成多晶半导体膜的工序；和，在通过前述热处理形成的前述多晶半导体膜上，成膜为多晶半导体膜的工序。
方法热处理装置

[发明专利]基板处理装置的清洗方法和基板处理装置-CN202010038164.9在审
发明人：竹泽由裕;铃木大介;林宽之;藤田成树;宫原达也;有贺纯史;菊地晋哉 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开涉及基板处理装置的清洗方法和基板处理装置，能够抑制在向大气开放时排气管被腐蚀，且能够抑制氟残留于处理容器的内部。所述清洗方法包括清洗用于对处理容器的内部进行排气的排气管的工序，清洗所述排气管的工序包括如下工序：在关闭设置于所述排气管的中途的开闭阀的状态下，向所述排气管的比所述开闭阀靠下游侧的部分供给包括氟的第一排气管清洗气体，由此通过所述第一排气管清洗气体去除所述排气管的比所述开闭阀靠下游侧的部分的沉积物；以及在打开所述开闭阀的状态下，向所述处理容器的内部供给不包括氟来作为气体构成元素的第二排气管清洗气体，由此通过所述第二排气管清洗气体去除所述排气管的比所述开闭阀靠上游侧的部分的沉积物。
处理装置清洗方法

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN201910221470.3在审
发明人：及川大海;板桥贤;高木聪;渡边将久;藤田圭介;宫原达也;林宽之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在基板上形成具有良好的面内均匀性的硅膜的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备：处理容器，收容有搭载基板的舟皿；以及喷射器，在处理容器的附近沿着处理容器的内壁在上下方向延伸配置并且在长边方向上具有多个气孔，气孔在处理容器的附近的内壁取向。
处理容器基板处理装置基板处理内壁上下方向延伸面内均匀性搭载基板喷射器长边硅膜基板取向舟皿收容配置

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