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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]运算系统及网络装置管理方法-CN202210351507.6在审
发明人： 林威宏;董彦屏 -专利权人：广达电脑股份有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H04L43/08 文献下载
摘要：一种运算系统，包括处理单元及网络装置。处理单元包括第一基板管理控制器(BMC)、外部网络接口，耦接至第一BMC、以及第一内部网络接口，耦接至第一BMC。网络装置包括第二BMC、以及第二内部网络接口，耦接至第二BMC。网络装置的第二内部网络接口连接至处理单元的第一内部网络接口。第一BMC被配置为通过(i)外部网络接口、(ii)第一内部网络接口、以及(iii)第二内部网络接口，在外部网络及第二BMC之间传输数据。
运算系统网络装置管理方法

[发明专利]固件映像检查系统、固件映像检查方法及计算机系统-CN202210379385.1在审
发明人：温子恒;董彦屏;林威宏 -专利权人：广达电脑股份有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G06F21/57 文献下载
摘要：一种用于确保计算机系统中正确固件映像的执行的方法及系统。此计算机系统具有处理器，执行基本输入/输出系统(BIOS)及基板管理控制器(BMC)。第一闪存装置耦接至处理器，其存储BIOS固件映像及项目名称。第二闪存装置耦接至BMC，其存储BMC固件映像及项目名称。可编程逻辑装置耦接至第一及第二闪存装置。可编程逻辑设备包括非易失性存储器，存储项目名称可编程逻辑装置被配置为执行平台固件保护与恢复(PFR)例程，以在处理器启动BMC或执行BIOS固件映像之前，将BIOS固件映像的项目名称及BMC固件映像的项目名称与存储的项目名称进行比较。
映像检查系统方法计算机系统

[发明专利]一种基于推荐候选框融合的用于目标检测的数据增强方法-CN202010053409.5有效
发明人：李革;林威宏;钟家兴 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G06T7/194 文献下载
摘要：一种基于推荐候选框融合的用于目标检测的数据增强方法，包括：输入一个待检测的图片序列；对输入的图片序列进行深度空间特征提取，每一个卷积层都会产生一个特征图；在最后一层特征图上提取大量可能包含前景目标的区域；得到推荐候选框集；取推荐候选框与融合对象，按照融合比例进行线性叠加，获得融合推荐候选框集；以及将融合推荐候选框集更新到原图片序列上推荐候选框集的位置上生成新图片序列，然后用新图片序列替换原图片序列来训练目标检测器。该方法基于推荐候选框的融合生成新的训练样本以替代原训练数据，能够训练出更稳定，更具鲁棒性的目标检测器，提高模型对复杂样本的检测能力。
一种基于推荐候选融合用于目标检测数据增强方法

[发明专利]半导体元件结构及其封装结构与形成方法-CN202210937984.0在审
发明人：黄晖闵;郑明达;林威宏;薛长荣;詹凯钧;林永胜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：提供了一种半导体元件结构及其封装结构与形成方法。半导体元件结构包括半导体基板和在半导体基板上的内连线结构。半导体元件结构还包括在内连线结构上的第一导电柱。第一导电柱具有自第一导电柱的较低表面朝向半导体基板延伸的第一凸出部分。半导体元件结构更包括在内连线结构上的第二导电柱。第二导电柱具有自第二导电柱的较低表面上朝向半导体基板延伸的第二凸出部分。第一导电柱相比第二导电柱更靠近半导体基板的中心点。第二凸出部分的底部比第一凸出部分的底部还宽。
半导体元件结构及其封装形成方法

[发明专利]芯片结构及形成芯片结构的方法-CN202210943778.0在审
发明人：黄晖闵;郑明达;林威宏;薛长荣;詹凯钧;林永胜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本公开提供一种芯片结构及形成芯片结构的方法。芯片结构包括基板。芯片结构包括第一导线，位于基板上方。前述芯片结构包括绝缘层，位于基板和第一导线上方。前述芯片结构包括导电柱，位于绝缘层上方。导电柱为一体成型，导电柱具有下表面、突出连接部和突出锁固部，突出连接部突出于下表面，并且穿过绝缘层且直接接触第一导线，突出锁固部突出于下表面且内嵌于绝缘层中。前述芯片结构包括焊锡凸块，位于导电柱上。焊锡凸块直接接触导电柱。
芯片结构形成方法

[发明专利]半导体封装结构及其形成方法-CN202210943803.5在审
发明人：蔡柏豪;林威宏;郑明达;李明机 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种半导体封装结构及其形成方法，半导体封装结构包括通过核心基板形成的多个第一通孔结构。所述结构也包括嵌入核心基板中且位于第一通孔结构之间的中介层。中介层包括通过中介层基板形成的多个第二通孔结构。所述结构也包括形成在核心基板之上的第一重分布层结构。所述结构也包括形成在核心基板之下的第二重分布层结构。所述结构也包括形成在中介层的侧壁与核心基板的侧壁之间的第一密封层。
半导体封装结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置结构及其形成方法-CN202210937957.3在审
发明人：郑明达;林威宏;黄晖闵;薛长荣;蔡柏豪;林永胜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：提供半导体装置结构及其形成方法。半导体装置结构包括互连结构，在半导体基底的上方。半导体装置结构包括导体柱，在互连结构的上方。导体柱具有突出部，其向半导体基底延伸。半导体装置结构包括上导体导孔，在导体柱与互连结构之间。以第一距离横向分离上导体导孔的中心与突出部的中心。半导体装置结构包括下导体导孔，在上导体导孔与互连结构之间。下导体导孔经由上导体导孔而电性连接于导体柱。以第二距离横向分离下导体导孔的中心与突出部的中心，第二距离短于第一距离。
半导体装置结构及其形成方法

[发明专利]半导体晶粒、半导体结构、及形成半导体结构的方法-CN202210961300.0在审
发明人：黄晖闵;郑明达;薛长荣;林威宏;詹凯钧;江琬瑜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本揭露实施例提供一种包括抗机械应力凸块结构的半导体晶粒。半导体晶粒包括嵌入金属互连结构的介电材料层、连接垫和通孔结构、以及包括凸块通孔部分和接合凸块部分的凸块结构。凸块通孔部分的底表面的整体位于连接垫和通孔结构的垫部分的水平顶表面的区域内。
半导体晶粒结构形成方法

[发明专利]封装结构及其形成方法-CN202210049757.4在审
发明人： 林威宏;黄晖闵;薛长荣;江琬瑜;郑明达;李明机 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：提供一种封装结构及其形成方法。该方法包括：提供具有多个第一管芯与多个第二管芯于其中的第一封装体；进行第一切割工艺，以将所述第一封装体切割为多个第二封装体，其中所述多个第二封装体中的一者包括三个第一管芯与一个第二管芯；以及进行第二切割工艺，移除所述多个第二封装体中的所述一者中的所述第二管芯，使得经切割的第二封装体形成为大于或等于5的角的多边形结构。
封装结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置、半导体封装件以及其制造方法-CN202210047964.6在审
发明人：薛长荣;林政男;江琬瑜;林威宏;萧景文;郑明达 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开实施例是有关于一种半导体装置、半导体封装件以及其制造方法。一种半导体装置包括衬底、内连线结构以及多个导电通孔。所述衬底具有第一侧、第二侧以及连接所述第一侧和所述第二侧的侧壁，其中所述侧壁包括所述衬底的第一部分的第一平面侧壁、所述衬底的第二部分的第二平面侧壁以及所述衬底的第三部分的弯曲侧壁，其中所述第一平面侧壁通过所述弯曲侧壁连接到所述第二平面侧壁。所述内连线结构位于所述衬底的所述第一侧上，其中所述内连线结构的侧壁自所述第二平面侧壁偏移。所述多个导电通孔位于所述内连线结构上，其中所述内连线结构位于所述多个导电通孔和所述衬底之间。
半导体装置封装及其制造方法

[发明专利]半导体封装及其制造方法-CN202210162558.4在审
发明人：王冠闵;薛长荣;庄瑞彰;林威宏;张国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L23/18 文献下载
摘要：一种半导体封装包括衬底、半导体管芯、盖体以及粘着层。半导体管芯与衬底连接。盖体位于半导体管芯以及衬底上。粘着层夹在盖体与半导体管芯之间。粘着层包括金属热界面材料(thermal interface material，TIM)层以及与金属TIM层相邻的聚合物TIM层。从俯视图来看，聚合物TIM层位于半导体管芯的角落。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201911211799.8有效
发明人：薛长荣;颜晨恩;康金玮;詹凯钧;林威宏;林政仁;郑明达;陈清晖;李明机 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：形成半导体器件的方法包括在衬底上沉积多个层，图案化位于多个层上面的第一掩模，以及使用第一掩模对多个层实施第一蚀刻工艺。该方法还包括沿着第一掩模的侧壁和多个层的侧壁形成聚合物材料，以及去除聚合物材料。该方法还包括使用剩余的第一掩模对多个层实施第二蚀刻工艺，其中，在第二蚀刻工艺终止之后，多个层的组合侧壁轮廓包括第一部分和第二部分，并且第一部分的第一角度和第二部分的第二角度彼此不同。本发明的实施例还涉及半导体器件。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构和形成半导体结构的方法-CN202210064658.3在审
发明人：陈承先;许国经;林威宏;黄晖闵;郑明达;李明机 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：公开了一种形成半导体结构的方法，包括形成重建封装衬底，包括将多个衬底块放置在载体上方；将所述多个衬底块密封在密封剂中；平坦化所述密封剂和所述多个衬底块以暴露位于所述多个衬底块中的再分布线；以及形成与所述多个衬底块和密封剂重叠的再分布结构；以及在所述重建封装衬底上方接合封装组件。本发明的实施例还涉及半导体结构以及另一种半导体结构。
半导体结构形成方法

[发明专利]形成封装结构的设备-CN202210171534.5在审
发明人：詹凯钧;薛长荣;黄晖闵;林威宏;郑明达 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本公开一些实施例提供一种形成封装结构的设备。所述设备包括用于接合第一封装部件和第二封装部件的加工腔室。所述设备还包括设置于加工腔室中的接合头。接合头包括与多个真空装置连通的多个真空管。所述设备还包括连接至接合头的喷嘴，配置以固持第二封装部件。喷嘴包括与真空管重叠的多个第一孔。喷嘴还包括偏离第一孔的多个第二孔，其中第二孔与第二封装部件的至少两边缘重叠。此外，所述设备包括设置于加工腔室中的吸盘座，且吸盘座是配置以固持和加热第一封装部件。
形成封装结构设备

[发明专利]半导体装置的形成方法及半导体装置-CN202110047525.0在审
发明人：吕文雄;黄晖闵;郑明达;林威宏;颜晨恩;刘旭伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体装置的形成方法及半导体装置。半导体装置的形成方法包含将第一半导体基板的第一表面接合至第二半导体基板的第一表面，且在第一半导体基板的第一区中形成一空腔，其中形成空腔包括：供应钝化气体混合物，在空腔的底表面及多个侧壁上沉积钝化层，其中在钝化层的沉积时，钝化层在空腔的底表面上的沉积速率与钝化层在空腔的多个侧壁上的沉积速率相同；以及使用蚀刻气体蚀刻第一半导体基板的第一区，其中蚀刻气体是与钝化气体混合物同时供应，蚀刻第一半导体基板的第一区包括在垂直方向蚀刻的速率大于在水平方向蚀刻的速率。
半导体装置形成方法

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