“刘旭伦”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体封装结构及其形成方法-CN202210945674.3在审
发明人：张能杰;蔡柏豪;郑明达;吕文雄;刘旭伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体封装结构及其形成方法。半导体封装结构包括导电垫层，形成于基板之上；钝化层，形成于导电垫层之上；第一导孔结构，形成穿过钝化层并接触导电垫层；第一封装材料，包围第一导孔结构；以及重分布层结构，形成于第一导孔结构之上，第一导孔结构具有横向延伸部分，埋藏于第一封装材料靠近第一导孔结构的顶表面。
半导体封装结构及其形成方法

[发明专利]一种定向目标检测方法-CN202210990028.9在审
发明人：何林远;刘旭伦;许悦雷;马时平;周理;刘达;王晨;史鹤欢;陈广阳;马国勇 -专利权人：中国人民解放军空军工程大学
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G06V20/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种定向目标检测方法，所述方法包括以下步骤：输入目标图像；在Stem网络中将图像转化序列数据，即图像Token，对图像Token进行稀疏化采样，将采样得到的稀疏Token送入主干网络；在主干网络中提取图像信息的抽象特征；从主干网络输出的特征，在Head头部网络中判别类别和包围框预测；输出检测结果。本发明是第一个端到端的标准编解码结构Transformer网络进行目标检测的；本发明提出的网络无论是从网络结构还是从数据输入都是非对称形式的，有效缓解了Transformer网络高计算开销问题；本发明从稀疏图像Token中高效提取特征，很大程度上消除了图像中的信息冗余，减少了信息间的干扰，从而减少了网络训练收敛周期，提高了网络检测效果。
一种定向目标检测方法

[发明专利]一种基于transformer的光学遥感目标检测方法-CN202210458590.7在审
发明人：何林远;刘旭伦;马时平;周理;刘达;王晨;史鹤欢;王力超;马国勇;张立朝 -专利权人：中国人民解放军空军工程大学
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G06V20/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于transformer的光学遥感目标检测方法，提出了适应遥感图像检测的骨干网络，主要利用本网络在保持了细节信息的同时又提取丰富的上下文信息进行目标检测，对检测效果提升非常有效；2)本发明提出新的特征融合网络，相比常用的特征金字塔网络，有更好信息表达能力，适应多种类，多尺度目标的检测；3)本发明利用不确定权重的损失函数训练网络，取得更好的检测效果。
一种基于 transformer 光学遥感目标检测方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110318654.9在审
发明人：蔡柏豪;郑明达;吕文雄;刘旭伦;吴凯第;林素妃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：方法包括：在晶圆的第一导电部件上方形成晶种层，在该晶种层上形成图案化镀掩模，以及在该图案化镀掩模中的开口中镀第二导电部件。该镀包括执行多次镀循环，每个镀循环都包括使用第一镀电流密度执行的第一镀工艺，以及使用小于第一镀电流密度的第二镀电流密度执行的第二镀工艺。然后去除图案化镀掩模，并蚀刻晶种层。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110216572.3在审
发明人：吕文雄;郑明达;林素妃;刘旭伦;詹前彬;林永胜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：在一种制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成第一导电层。在第一导电层上方形成第一光刻胶层。使用第一光刻胶层作为蚀刻掩模来蚀刻第一导电层，以形成第一导电层的岛状图案，该岛状图案通过环形槽与第一导电层的母线图案分离。形成连接图案以连接岛状图案和母线图案。在第一导电层和连接图案上方形成第二光刻胶层。第二光刻胶层包括在岛状图案上方的开口。在开口中的岛状图案上形成第二导电层。去除第二光刻胶层，并且去除连接图案，从而形成凸块结构。本申请的实施例还涉及半导体器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]微机电系统及其制造方法-CN202110216701.9在审
发明人：吕文雄;郑明达;庄咏涵;吴凯第;刘旭伦;李明机 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：一种微机电系统(MEMS)包括：电路衬底，包括电子电路；支撑衬底，具有凹槽；接合层，设置在电路衬底和支撑衬底之间；通孔，穿过电路衬底到达开口；第一导电层，设置在电路衬底的前侧；第二导电层，设置在凹槽的内壁上；以及第三导电层，设置在每个通孔的内壁上。根据本申请的其他实施例，还提供了制造微机电系统的方法。
微机系统及其制造方法

[发明专利]制造凸块或柱的方法和半导体器件-CN202110345362.4在审
发明人：吴凯第;郑明达;吕文雄;杨挺立;林素妃;刘旭伦;李明机 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：在制造凸块或柱的方法中，在衬底上方形成凸块下导电层，在凸块下导电层上方形成具有第一开口和第二开口的第一光刻胶层，在第一开口和第二开口中形成第一导电层以形成第一低凸块和第二低凸块，去除第一光刻胶层，在第二低凸块上方形成具有第三开口的第二光刻胶层，在第三开口中的第二低凸块上形成第二导电层以形成具有大于第一低凸块高的高度的高凸块，以及去除第二光刻胶层。本发明的实施例还涉及半导体器件。
制造方法半导体器件

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202110030332.4在审
发明人： 刘旭伦;吕文雄;郑明达;颜晨恩;杨政龙;黄冠智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体装置及其形成方法。公开了一种贯孔，包括在第一区域中具有第一开孔且在第二区域中具有第二开孔的侧壁，也公开了上述贯孔的形成方法。在一个实施例中，半导体装置包含：第一基板；以及贯孔，延伸穿过基板，基板包含：多个第一开孔，在基板的第一区域中邻近贯孔；以及多个第二开孔，在基板的第二区域中邻近贯孔，多个第一开孔的每个开孔具有第一深度，多个第二开孔的每个开孔具有第二深度，第一深度大于第二深度。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]半导体装置的形成方法及半导体装置-CN202110047525.0在审
发明人：吕文雄;黄晖闵;郑明达;林威宏;颜晨恩;刘旭伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体装置的形成方法及半导体装置。半导体装置的形成方法包含将第一半导体基板的第一表面接合至第二半导体基板的第一表面，且在第一半导体基板的第一区中形成一空腔，其中形成空腔包括：供应钝化气体混合物，在空腔的底表面及多个侧壁上沉积钝化层，其中在钝化层的沉积时，钝化层在空腔的底表面上的沉积速率与钝化层在空腔的多个侧壁上的沉积速率相同；以及使用蚀刻气体蚀刻第一半导体基板的第一区，其中蚀刻气体是与钝化气体混合物同时供应，蚀刻第一半导体基板的第一区包括在垂直方向蚀刻的速率大于在水平方向蚀刻的速率。
半导体装置形成方法

1
共 9 条