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[发明专利]减少晶片斜面边缘等离子体处理的电弧发生-CN202180053942.4在审
发明人：华雪锋;罗伟义;杰克·陈 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：用于在斜面等离子体室中处理晶片的斜面边缘的方法和系统。该方法包括接收用于斜面等离子体室的RF发生器的脉冲模式设置。该方法包括识别脉冲模式的占空比，该占空比定义在由发生器输送的每个功率周期期间的接通(ON)时间和关断(OFF)时间。该方法包括计算或访问对发生器的输入RF功率设置的补偿因子。补偿因子被配置为将增量功率添加到输入功率设置以解决归因于在脉冲模式下运行的占空比的功率损失。该方法被配置为在具有占空比和脉冲频率的脉冲模式下运行发生器。发生器被配置为产生脉冲模式的输入功率，该输入功率包括增量功率以在斜面等离子体室中实现有效功率以实现目标斜面处理吞吐量，同时减少导致电弧损坏的电荷积聚。
减少晶片斜面边缘等离子体处理电弧发生

[发明专利]用于处理具有缺口的晶片的等离子体排除区域环-CN202180038461.6在审
发明人：华雪锋;杰克·陈;吉那那玛尼·安布罗斯;张丹;黄常维;林家兴 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：用于被配置成处理衬底的衬底处理系统的等离子体排除区域环包括：环状主体、所述环状主体的上部、基部和等离子体排除区域环缺口。所述环状主体的上部限定径向内侧表面以及顶表面。所述环状主体的基部限定径向外侧表面；第一底表面，其从所述径向外侧表面径向朝内延伸；以及第二底表面，其从所述第一底表面径向朝内延伸。所述等离子体排除区域环缺口正比于所述衬底的对准缺口。所述第一底表面是倾斜的，且以锐角从所述第二底表面延伸至所述径向外侧表面。所述第一底表面被配置成在所述衬底的周缘上方延伸，并与所述周缘相对。
用于处理具有缺口晶片等离子体排除区域

[发明专利]使用穿透光束激光传感器的原位晶片厚度和间隙监测-CN202180024427.3在审
发明人：黄贡恒;华雪锋;安东尼·保罗·范塞洛;丹尼尔·托雷斯;杰克·陈 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种用于确定在处理室中所设置的衬底的厚度的系统包括：发射器，其被配置成将信号朝向所述衬底与所述处理室的部件之间的间隙发射，其中所述部件被设置在所述衬底上方；接收器，其被配置成接收所发射的所述信号的至少一部分，并基于所接收的所述信号的所述部分的特性而产生测量信号；以及系统控制器，其被配置成接收所述测量信号，并基于所述测量信号的值与所述衬底的所述厚度、介于所述衬底与所述处理室的所述部件之间的所述间隙的宽度、以及所述处理室的所述参数的调整量中的至少一者之间的关系，而选择性地调整所述处理室的所述参数。
使用穿透光束激光传感器原位晶片厚度间隙监测

[发明专利]用于斜面蚀刻器的下等离子体排除区域环-CN201980068405.X在审
发明人：金基灿;杰克·陈;格雷戈里·S·塞克斯顿 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：一种用于处理衬底的衬底处理系统包含上等离子体排除区域环，其在所述衬底的斜面边缘的等离子体处理期间配置在所述衬底上方。上部电极在所述等离子体处理期间配置在所述衬底上方。下等离子体排除区域环在所述等离子体处理期间至少部分配置在所述衬底下方。下部电极在所述等离子体处理期间至少部分配置在所述衬底下方。所述下等离子体排除区域环包含环形体，该环形体具有：下部，其至少部分配置在所述衬底下方；以及向上突出的凸缘，其在与所述衬底的径向外缘隔开的位置从所述环形体的所述下部向上延伸。所述向上突出的凸缘包含最上方表面，其在竖直方向上延伸至所述衬底的中间部和所述衬底的所述中间部上方两者中的一者。
用于斜面蚀刻等离子体排除区域

[发明专利]用于原位晶片边缘和背侧等离子体清洁的系统和方法-CN201710589859.4有效
发明人：金基占;杰克·陈;金允上;肯尼斯·乔治·德尔费恩 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及用于原位晶片边缘和背侧等离子体清洁的系统和方法。具体而言，下电极板接收射频功率。第一上板定位成平行于所述下电极板并与其间隔开。接地的第二上板定位成邻近所述第一上板。电介质支承体在所述下电极板与所述第一上板之间的区域中提供对工件的支撑。在所述第一上板的中央位置处供应净化气体。处理气体被供应到所述第一上板的外周。所述电介质支承体将所述工件定位成邻近并平行于所述第一上板，使得所述净化气体流过所述工件的顶面，以便防止处理气体流过所述工件的顶面，并且使所述处理气体绕着所述工件的外周边缘并且在所述工件下方流动。
用于原位晶片边缘等离子体清洁系统方法

[发明专利]用于倒角蚀刻器的可调的上等离子体禁区环-CN201410525124.1有效
发明人： 杰克·陈;亚当·莱恩;格雷戈里·塞克斯顿 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2014-10-08 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及用于倒角蚀刻器的可调的上等离子体禁区环。一种使用等离子体清洁半导体衬底的倒角边的倒角蚀刻器包括具有下支撑体的下电极组件，下支撑体具有圆柱形顶部。上介电组件设置在下电极组件上方，具有与下支撑体的顶部相对的圆柱形底部。可调的上等离子体禁区(PEZ)环包围介电组件的底部，其中可调的上等离子体禁区环的下表面包括从上介电组件的底部向外延伸的向上锥形外部，其中可以增大或减小上等离子体禁区环的下表面与支撑在下支撑体上的衬底的上表面之间的可调间隙的垂直高度使得可以分别径向向内或径向向外调节将要由等离子体清洁的衬底的倒角边的程度。至少一个射频(RF)功率源适于在倒角边清洁过程期间将工艺气体激励成等离子体。
用于倒角蚀刻可调等离子体禁区

[发明专利]用于原位晶片边缘和背侧等离子体清洁的系统和方法-CN201410345448.7在审
发明人：金基占;杰克·陈;金允上;肯尼斯·乔治·德尔费恩 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及用于原位晶片边缘和背侧等离子体清洁的系统和方法。具体而言，下电极板接收射频功率。第一上板定位成平行于所述下电极板并与其间隔开。接地的第二上板定位成邻近所述第一上板。电介质支承体在所述下电极板与所述第一上板之间的区域中提供对工件的支撑。在所述第一上板的中央位置处供应净化气体。处理气体被供应到所述第一上板的外周。所述电介质支承体将所述工件定位成邻近并平行于所述第一上板，使得所述净化气体流过所述工件的顶面，以便防止处理气体流过所述工件的顶面，并且使所述处理气体绕着所述工件的外周边缘并且在所述工件下方流动。
用于原位晶片边缘等离子体清洁系统方法

[发明专利]用于处理倒角边缘的方法和装置-CN201080053879.6有效
发明人： 杰克·陈;金润祥 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了用于处理倒角边缘的方法和装置。将衬底放置在倒角处理腔室中，利用约束在倒角处理腔室的周边区域中的钝化等离子体，在所述衬底上仅在所述衬底的倒角区域周围形成钝化层。衬底可经受后续半导体工艺制程，在所述后续半导体工艺制程期间所述衬底的倒角边缘区域受所述钝化层保护。可选地，可利用形成在处理腔室的外周边区域中的图案化等离子体使钝化层图案化，通过增强等离子体约束来约束图案化等离子体。去除倒角区域的外边缘部上的钝化层，而仍保持倒角区域的内部上的钝化层。可利用图案化的钝化层作为保护掩膜来清洁衬底的倒角边缘。
用于处理倒角边缘方法装置

[发明专利]用于基板定位和检测的偏移校正方法和装置-CN201010543398.5有效
发明人： 杰克·陈;安德鲁·D·贝利三世;本·穆林;斯蒂芬·J·凯恩 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2007-09-14 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供一种用于基板定位和检测的偏移校正方法和装置。本发明提供一种用于捕获基板图像的斜角检测模块。该模块包括与基板夹头连接的旋转马达，该旋转马达被配置为旋转该基板夹头从而使该基板旋转。该模块还包括照相机和与照相机连接的光学罩，该光学罩被配置为可以旋转的，使闪光可以朝向该基板。该照相机装载在照相机支架上，该照相机支架被配置为使该照相机可水平旋转180度，使得该照相机可以捕获图像，该图像至少包括该基板的俯视图，仰视图和侧视图之一。该模块还包括背光装置，该背光装置被配置为提供光照给该基板，从而使该照相机能捕获该图像，该图像显示基板和背景间的对比。
用于定位检测偏移校正方法装置

[发明专利]使用通过系列晶片运动获得的补偿值的晶片动态对准-CN200980117597.5有效
发明人：斯科特·翁;杰弗里·林;安德鲁三世·D·贝利;杰克·陈;本杰明·W·穆林;钟·霍·黄 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2009-04-24 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明中提供了一些利用受控的系列晶片运动来优化半导体制造设备中晶片位置可重复性的方法和系统。在一种实施方式中，执行初级站校准，教导机器人每个站的位置，其中每个站与用于半导体制造的真空传输模块(VTM)的多个面连接。该方法也用来校准系统，以获取补偿参数，这些参数把待放置晶片的站、各面中传感器的位置及源于机械手执行伸和缩工序的偏移量考虑在内。在另一种实施方式中，机器人有两只手，该方法用于校准系统，以便补偿源于使用这只手或者使用那只手的偏差。在制造过程中，通过利用补偿参数，将晶片放在不同的站。当从一个站捡起晶片时，补偿值用于测量晶片位置，以计算晶片中心相对于站中心所处的位置。
使用通过系列晶片运动获得补偿动态对准

[发明专利]在斜缘附近成形气体分布的方法和设备-CN200880110444.3有效
发明人： 杰克·陈;安德鲁·D·贝利三世;伊克巴尔·沙瑞芙 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-09-30 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种在处理室中蚀刻基片斜缘的方法。该方法包括将惰性气体流进限定在该基片中心区域上方的该处理室中心区域，将惰性气体和处理气体的混合物流到该基片的边缘区域上方。该方法进一步包括在该边缘区域中激发等离子，其中该惰性气体的流量以及该混合物的流量维持该处理气体的质量分数基本上不变。还提供一种构造为清洁基片斜缘的处理室。
附近成形气体分布方法设备

[发明专利]用于在处理室内定位衬底的偏移校正技术-CN200880110046.1有效
发明人： 杰克·陈;安德鲁·D·贝利三世;本·穆林;斯蒂芬·J·凯恩 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-09-29 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：一种用于将衬底对准支撑机构的处理中心的方法。该方法包括在多个方位和离所述衬底的几何中心的多个径向距离上确定衬底处理后的所述衬底厚度。该方法还包括从衬底厚度和处理持续时间推出一组处理速率值。该方法进一步包括对处理速率创建偏心绘图，其表示一个基本上同心的圆，所述偏心绘图的圆周上的点基本上具有所述第一处理速率。该方法又包括对所述偏心绘图应用曲线拟合方程以确定一组参数。该方法又进一步包括将所述组参数教导给一组机械臂，由此使得所述组机械臂将由所述支撑机构支撑的另一个衬底与所述支撑机构的所述处理中心对准。
用于处理室内定位衬底偏移校正技术

[发明专利]用于晶片边缘处理的方法和装置-CN200780048829.7有效
发明人：金润相;杰克·陈;方同;安德鲁·贝利三世 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2007-12-14 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H01L21/461 文献下载
摘要：用于补救等离子体斜角刻蚀过程中对该基板造成的与电弧有关的损害的方法和装置。等离子体罩被置于该基板上方以防止在两个环形接地板之间产生的等离子体与该基板上的暴露的金属化相接触。附加地或替换地，可以使用无碳氟化工艺源气体或在等离子体产生过程中将RF偏置功率逐渐升高以减少在斜角刻蚀过程中的与电弧有关的损害。另外，附加地或替换的，氦和/或氢可以被添加到工艺源气体中以减少在斜角刻蚀过程中的与电弧有关的损害。
用于晶片边缘处理方法装置

[发明专利]用于基板定位和检测的偏移校正方法和装置-CN200780036424.1有效
发明人： 杰克·陈;安德鲁·D·贝利三世;本·穆林;斯蒂芬·J·凯恩 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2007-09-14 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： G03B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于捕获基板图像的斜角检测模块。该模块包括与基板夹头连接的旋转马达，该旋转马达被配置为旋转该基板夹头从而使该基板旋转。该模块还包括照相机和与照相机连接的光学罩，该光学罩被配置为可以旋转的，使闪光可以朝向该基板。该照相机装载在照相机支架上，该照相机支架被配置为使该照相机可水平旋转180度，使得该照相机可以捕获图像，该图像至少包括该基板的俯视图，仰视图和侧视图之一。该模块还包括背光装置，该背光装置被配置为提供光照给该基板，从而使该照相机能捕获该图像，该图像显示基板和背景间的对比。
用于定位检测偏移校正方法装置

[发明专利]用于基板定位的偏移校正方法-CN200780036388.9无效
发明人： 杰克·陈;安德鲁三世·D·贝利;本·穆林;斯蒂芬·J·凯恩 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2007-09-14 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： G01L21/30 文献下载
摘要：本发明提供一种计算处理室内的夹头的处理中心的方法。该方法包括生成处理前和处理后测量数据点，这是通过在一组角度上和与基板几何中心的一组距离上测量薄膜基板的厚度完成的。该方法还包括比较该组处理前测量数据点与该组处理后测量数据点，以计算出一组刻蚀深度值。该方法还包括针对该组角度生成刻蚀曲线。该方法还包括从该组刻蚀曲线中推出一组半径，该组半径与第一刻蚀深度相关。该方法还包括生成离心曲线，该离心曲线是该组半径相对于该组角度的图形表示。该方法还包括将曲线拟合方程应用于该离心曲线以计算该处理中心。
用于定位偏移校正方法

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