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- [发明专利]功率半导体器件及其制造方法-CN201711147902.8有效
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杨彦涛;徐丹;陈琛
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杭州士兰集成电路有限公司
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2017-11-17
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2023-09-08
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H01L21/336
- 本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。该方法包括：在半导体衬底中形成多个沟槽，所述多个沟槽包括分别位于所述半导体衬底的第一区域至第三区域的第一至第三沟槽；在所述第一沟槽和所述第二沟槽中形成分裂栅结构；在所述第三沟槽中形成屏蔽布线；在所述半导体衬底中体区；在所述体区中形成源区；以及形成分别与所述源区、栅极导体和屏蔽布线电连接的源极电极、栅极电极和屏蔽电极,其中，在所述第三沟槽上部形成隔离层，所述屏蔽电极经由穿过所述隔离层的接触孔到达所述屏蔽布线。该方法利用独立引出电极的屏蔽布线改善电荷平衡效果，并且采用隔离层使得不同区域的分裂栅结构和屏蔽布线可以在公共的步骤中形成，从而降低制造成本。
- 功率半导体器件及其制造方法
- [发明专利]双向功率器件的制造方法-CN202011165967.7有效
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杨彦涛;张邵华
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杭州士兰微电子股份有限公司
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2020-10-27
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2023-06-20
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H01L21/8232
- 本申请公开了一种双向功率器件的制造方法，包括：在半导体层中形成第一掺杂区；在第一沟槽区形成多个沟槽，第一沟槽区的多个沟槽位于第一掺杂区中，将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区；形成覆盖第一沟槽区的多个沟槽的下部侧壁的栅介质层；在第一沟槽区的多个沟槽的下部形成与栅介质层接触的控制栅；形成屏蔽介质层，屏蔽介质层覆盖第一沟槽区的多个沟槽的上部侧壁与控制栅的表面；以及在第一沟槽区的多个沟槽的上部形成与屏蔽介质层接触的屏蔽栅，其中，屏蔽介质层将控制栅和屏蔽栅分隔。该制造方法利用沟槽将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区，构成双向功率器件的源区和漏区，降低了器件的面积。
- 双向功率器件制造方法
- [发明专利]沟槽功率器件及制作方法-CN201610557135.7有效
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杨彦涛;王平;夏志平;李云飞;周艳春
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杭州士兰集成电路有限公司
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2016-07-12
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2023-06-16
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H01L21/762
- 本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在半导体衬底中形成第一沟槽，并将第一阻止层、填充材料层设置于所述第一沟槽中，形成静电隔离结构，进而实现了静电隔离结构设置在半导体衬底中，避免了静电隔离结构高于第二沟槽、第三沟槽的情况，使得半导体衬底表面平整，有效解决由于传统静电隔离结构的不平坦使后续的沉积工艺台阶覆盖能力不佳，特别是光刻出现匀胶不良，曝光异常，台阶处光刻胶偏薄无法有效作为刻蚀阻挡层等问题，通过使得静电隔离结构由分次沉积的第一填充材料层和第二填充材料层形成，获得了高性能ESD能力的静电隔离结构，从而实现器件结构，使参数和可靠性满足产品的要求。
- 沟槽功率器件制作方法
- [实用新型]一种化工安全环保气体采样装置-CN202221584200.2有效
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史俊豪;杨彦涛;元征宇;王翠
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开封龙宇化工有限公司
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2022-06-23
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2023-03-21
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G01N1/24
- 一种化工安全环保气体采样装置，包括底座和固定在底座上的支杆，支杆顶端连接有连接件，连接件的一侧设置伸缩件，伸缩件一侧设置有若干安放件，安放件内部均设有采样瓶，采样瓶与设置在底座上是采集装置管道连接，伸缩件通过水平直线驱动机构驱动实现横向伸缩运动，和/或伸缩件通过竖向直线驱动机构驱动实现竖向移动，连接件的顶部安装有水平直线驱动机构和/或竖向直线驱动机构的控制开关。通过在连接件一侧安装伸缩件，安放件转动安装在伸缩件上，而采样瓶放置在安放件中，通过伸缩件的横向或竖向移动，可一次性带动多个采样瓶从不同位置处对气体进行采集，大大降低工作人员的工作量，同时也可获得多组对比，方便之后进行试验。
- 一种化工安全环保气体采样装置
- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110372849.1有效
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陈宇;杨彦涛;李文博;蒋利云;朱新建
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厦门士兰集科微电子有限公司
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2021-04-07
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2023-03-17
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H01L21/31
- 公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底，衬底中设置有实现器件功能的元胞器件结构；位于衬底上方的第一介质层，第一介质层中设置有第一类接触孔和第二类接触孔，第一类接触孔和第二类接触孔贯穿第一介质层；位于第一介质层上方的元胞区金属电极和终端区金属电极，元胞区金属电极填充第一类接触孔，终端区金属电极填充第二类接触孔；位于所述第一介质层上方的第二介质层，第二介质层填充元胞区金属电极和终端区金属电极间的间隙；位于第二介质层上方的钝化层，钝化层暴露出部分元胞区金属电极和部分第一介质层，部分钝化层或第二介质层位于终端区金属电极的外围。本发明实施例的半导体器件提高了半导体器件的可靠性。
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]双向功率器件及其制造方法-CN202011165946.5有效
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杨彦涛;张邵华
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杭州士兰微电子股份有限公司
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2020-10-27
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2023-03-17
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H01L21/8232
- 本申请公开了一种双向功率器件及其制造方法，该双向功率器件包括：半导体层；第一掺杂区，位于半导体层中；第一沟槽区的多个沟槽，位于第一掺杂区中，将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区；位于多个沟槽中的栅介质层、控制栅、第一屏蔽介质层、第一屏蔽栅、第二屏蔽介质层、第二屏蔽栅，其中，第一屏蔽介质层将控制栅和第一屏蔽栅分隔，第二屏蔽介质层将第二屏蔽栅和第一屏蔽栅分隔，所述第二屏蔽介质层、所述第一屏蔽介质层以及所述栅介质层的厚度依次递减。该双向功率器件通过设置第二屏蔽介质层、第一屏蔽介质层以及栅介质层的厚度依次递减，从而可以通过栅电极施加不同电压达到形成不同电场的效果。
- 双向功率器件及其制造方法
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