“杨兆宇”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果64个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]芯片中模块的失效原因判定方法及晶圆结构-CN201110302425.4有效
发明人：赵志勇;杨兆宇;谢宝强;许宗能 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：芯片中模块的失效原因的判定方法包括以下步骤：在芯片所在的晶圆上设置可定位性测试的测试模块，且测试模块包含的器件类型与芯片中模块包含的器件类型相同；对测试模块进行测试，以此定位测试模块的失效位置；判定测试模块的失效位置的失效原因得出芯片中模块的失效原因。晶圆结构，可应用于上述芯片中模块的失效原因的判定方法，它包括若干组芯片框、分布于芯片框内和芯片框之间的切割道；芯片框内设有芯片和测试模块；测试模块包含的器件类型与芯片中模块包含的器件类型相同；测试模块位于晶圆的切割道以外的位置。本发明提供的芯片中模块的失效原因的判定方法可解决芯片中模块难以通过测试程序定位失效位置从而无法判定其失效原因的问题。
芯片模块失效原因判定方法结构

[发明专利]一种光刻工艺验证方法和系统-CN201110228471.4有效
发明人：谢宝强;杨兆宇;赵志勇 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-08-10 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻工艺验证方法和系统，所述方法包括：确定晶圆的关键尺寸；根据所述关键尺寸确定光刻图形中图形尺寸等于所述关键尺寸的图形并进行扫描；根据所述关键尺寸确定晶圆边缘区域处的图形并进行扫描；根据扫描结果判断扫描图形是否存在异常，若是，则确定光刻工艺不合格，若否，则确定光刻工艺合格，本发明实施例增加对晶圆边缘区域的光刻图形的验证，提高了光刻工艺验证的准确度。
一种光刻工艺验证方法系统

[发明专利]金属层光刻的干法去胶返工方法-CN201110221213.3有效
发明人：谢宝强;杨兆宇;赵志勇;杨杰 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-08-03 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属层光刻的干法去胶返工方法，包括下列步骤：提供一晶圆片，所述晶圆片包括表面的金属层，所述金属层表面设有光刻胶；通过静电卡盘支撑所述晶圆片，所述静电卡盘的顶针处于举起状态，所述晶圆片仅通过所述顶针与静电卡盘接触；使用干法去胶工艺去除所述光刻胶；再次对所述金属层进行光刻。上述金属层光刻的干法去胶返工方法，在返工的干法去胶过程中，让静电卡盘的顶针保持举起状态，降低了晶圆片的温度，减小了干法去胶过程中对金属层中金属铜含量的影响，保证了工艺质量。相对于传统的增加一步N2O处理工艺的方法，节省了成本、提高了生产效率。
金属光刻干法去胶返工方法

[发明专利]连接孔的制作方法-CN201110221369.1有效
发明人：李艳;杨杰;杨兆宇;谢宝强 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-08-03 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种连接孔的制作方法，包括如下步骤：提供半导体基底，所述半导体基底上形成有待刻蚀层；刻蚀所述待刻蚀层，形成连接孔；清洗所述连接孔；在所述连接孔内淀积阻挡层；所述清洗步骤完成的同时开始计时；若计时的时间达到预定值，而又尚未开始所述淀积阻挡层的步骤，对所述连接孔进行再清洗。超时后对连接孔进行再清洗，可清洗刻蚀步骤中产生的副产物，从而使得电阻值较低，保证连接孔的导电性能。
连接制作方法

[发明专利]一种光刻方法-CN201110147434.0有效
发明人：赵志勇;杨兆宇 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-06-02 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种光刻方法，包括：提供一半导体晶片，所述晶片表面包括掩蔽层，所述掩蔽层表面光滑；使所述晶片接触具有氧化作用的溶液，以使所述掩蔽层表面变粗糙；在所述晶片表面形成光刻胶层，进行光刻过程。本发明实施例所提供的光刻方法，通过在涂布光刻胶层之前，增加了湿法化学清洗的步骤，可以使原本光滑的掩蔽层表面变粗糙，从而使后续的涂布的光刻胶层与表面变粗糙后的掩蔽层之间的粘附力大大增强，从而使光刻胶层中尺寸较小的光刻胶区域能够紧固的附着在掩蔽层上，进而在很大程度上避免了光刻胶倒胶现象的发生。
一种光刻方法

[发明专利]有源区的形成方法和STI沟槽的形成方法-CN201110081936.8有效
发明人：肖玉洁;朱旋;李健;杨兆宇;李丽丽 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-04-01 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本实施例公开了一种有源区的形成方法和STI沟槽的形成方法，有源区的形成方法包括：提供半导体衬底；建立氮化层厚度与有源区关键尺寸的对应关系；根据所述对应关系确定氮化层厚度，并形成氮化层；在氮化层上形成具有有源区图案的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜刻蚀半导体衬底，形成有源区。本发明通过预先建立氮化层厚度与有源区关键尺寸的对应关系，再根据所述对应关系确定氮化层厚度，按照所确定的厚度在所述垫氧化层上形成氮化层，继而刻蚀形成有源区，正是发现了有源区关键尺寸与氮化层厚度之间的关系，即氮化层厚度越小，有源区的关键尺寸均匀性就越好，即在一定程度上减小氮化层厚度就可以改善有源区关键尺寸的均匀性，提高产品良率。
有源形成方法 sti 沟槽

[发明专利]化学机械研磨方法和半导体晶片清洗方法-CN201110004658.6无效
发明人：李健;朱旋;许宗能;曾明;杨兆宇 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-01-11 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种化学机械研磨方法和半导体晶片清洗方法，所述化学机械研磨方法用于在介质层的通孔中淀积金属层后，研磨去除多余的金属，形成金属插塞，包括：研磨淀积金属层后的半导体晶片表面；向半导体晶片表面喷水，控制喷水参数以实现减小介质层对金属插塞形成的侧应力；清洗半导体晶片表面。所述半导体晶片清洗方法，用于在介质层中形成金属插塞之后，清洗半导体晶片，包括：向半导体晶片表面喷水，控制喷水参数以实现减小介质层对金属插塞形成的侧应力。本实施例提供的技术方案可以减小介质层对金属插塞的侧应力，进而能够避免金属导线局部的断开，避免形成断路，能够提高半导体器件的良率。
化学机械研磨方法半导体晶片清洗

[发明专利]多晶硅的制程方法-CN201010578089.1无效
发明人：李健;杨兆宇;赵志勇;张明敏;李丽丽 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅的制程方法，其包括如下步骤：先将多晶硅表面进行氮氧化硅淀积，使多晶硅表面覆盖有氮氧化硅；然后，对所述多晶硅进行光刻；再将光刻后的多晶硅进行刻蚀；随后，将刻蚀后的多晶硅依次经过磷酸溶剂和硫酸双氧水混合溶剂；最后，对所述多晶硅进行退火氧化处理。相较于现有技术，本发明所述的多晶硅的制程方法的有益效果是：将所述多晶硅经过磷酸溶剂后再经过硫酸双氧水混合溶剂，使得残留在多晶硅表面的磷元素被硫酸双氧水混合溶剂除去，防止磷元素残留在多晶硅表面而形成结晶。
多晶方法

[发明专利]硅化物保护层去胶方法-CN201010605270.7无效
发明人：石磊;朱旋;杨兆宇;肖玉洁;李健 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅化物保护层去胶方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步、进行稀释的氢氟酸酸洗；第二步、进行硫酸和氨水双氧水。与现有技术相比，本发明的有益效果是：彻底的去处光阻，没有光阻残留，保证晶圆质量。
硅化物保护层方法

[发明专利]栅区刻蚀方法和系统-CN201010572274.X无效
发明人：李健;杨兆宇;肖玉洁;朱旋;胡骏 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-12-03 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种栅区刻蚀方法和系统，该方法包括：提供第一批次晶片；至少测量第一批次晶片中的其中一晶片的有源区表面与STI区表面的高度差；根据高度差得出清洗时间的修正值；采用清洗时间的修正值对第一批次部分或全部晶片进行STI隔离氧化层清洗；在完成STI隔离氧化层清洗的第一批次晶片表面上形成栅氧化层和栅多晶硅层，对栅多晶硅层进行主刻蚀和过刻蚀，形成栅区。本发明根据测量STI区表面与有源区表面的高度差，调整STI隔离氧化层清洗的时间或过刻蚀的时间，通过延长STI隔离氧化层清洗的时间，可将所述高度差控制在过刻蚀的刻蚀厚度范围内，因此可将栅区之外的栅多晶硅刻蚀干净，提高器件的性能。
刻蚀方法系统

[发明专利]金属层淀积方法-CN201010511724.4无效
发明人：朱旋;谢宝强;肖玉洁;杨兆宇 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-10-12 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种金属层淀积方法，该方法包括：将半导体晶片放入淀积腔中的淀积初始位置；在半导体晶片上淀积部分厚度的金属层；暂停淀积操作，将半导体晶片移动到与加热器不直接接触的位置冷却，并保持设定的时长；将半导体晶片移动到初始位置并再次淀积部分厚度的金属层；重复执行上述冷却和淀积过程，直至形成要求厚度的金属层。本发明提供的技术方案，在淀积过程中能够降低半导体晶片的温度，在减少柱状突起缺陷的同时，实现在一个淀积腔中完成全部淀积步骤，提高生产效率。
金属层淀积方法

[发明专利]金属硅化物的清洗方法-CN201010208050.0无效
发明人： 杨兆宇;孟昭生;李健 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-06-21 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种金属硅化物的清洗方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括硅表面区及介电层表面区，所述硅表面区上自下而上依次形成有金属硅化物、金属层及保护层，所述介电层表面区上依次形成有介电层、金属层及保护层；采用酸性氧化溶液对所述半导体衬底进行清洗；采用碱性氧化溶液对所述半导体衬底进行清洗。本发明的金属硅化物的清洗方法在酸性氧化溶液清洗后，采用碱性氧化溶液对半导体衬底进行清洗，有效去除了酸性氧化溶液清洗过程中粘附在衬底表面的杂质颗粒，提高了半导体衬底的表面洁净度。
金属硅清洗方法

[发明专利]光刻胶的去除方法-CN200910246311.5无效
发明人：肖玉洁;朱旋;谢宝强;杨兆宇 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2009-11-25 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：一种光刻胶的去除方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底的表面上形成有光刻胶层；使用氧气等离子体对所述光刻胶层进行第一步灰化，第一步灰化中产生所述氧气等离子体的激励源功率为第一功率；使用氧气等离子体对所述光刻胶层进行第二步灰化，第二步灰化中产生所述氧气等离子体的激励源功率为第二功率，所述第二功率大于第一功率。本发明改善了光刻胶的去除效果，消除了色差缺陷。
光刻去除方法

[发明专利]修复图形损伤的方法-CN200910211884.4无效
发明人：谢宝强;朱旋;杨兆宇;肖玉洁 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2009-11-09 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种修复图形损伤的方法，包括：将测试布线图形转移至控片表面的光刻胶层上，所述测试布线图形的临界尺寸与目标尺寸一致；对光刻胶层进行烘烤后，形成测试布线；测量测试布线的临界尺寸后将测试布线图形与测试布线的临界尺寸输入软件，得出缩减关系；通过所述缩减关系以及目标尺寸形成修正后测试布线图形；将修正后测试布线图形转移至厚铝上，形成目标尺寸的厚铝布线。本发明避免断路的发生，提高了半导体器件的质量。
修复图形损伤方法

[发明专利]一种电迁移监控结构-CN200910197262.0有效
发明人：马擎天;朱旋;谢宝强;杨兆宇;肖玉洁 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2009-10-16 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种电迁移监控结构，由至少一根与位于同一器件层的芯片内部金属互连引线成分及线宽完全一致的金属互连引线组成，其整体结构为长条形，且金属互连引线以直角拐角向旁侧弯折形成具有直角拐角的半封闭T型空腔，且位于同一金属互连引线上的半封闭T型空腔相互串联，整体为一独立的、连续的金属互连引线。半封闭T型空腔的引入，使得酸液等造成金属空洞的物质更容易在半封闭结构的空间内长时间滞留，更容易产生金属空洞，在金属互连引线的两端直接测量，即可判断整条金属互连引线上有无金属空洞，对芯片内部金属互连引线质量进行有效监控。
一种迁移监控结构