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[发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN201810251133.4有效
发明人：崔晸赫;李海王;河玹知;朴哲弘 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种集成电路器件可以包括：鳍型有源区域，在基板上在第一方向上延伸；绝缘分隔结构，在鳍型有源区域上在与第一方向交叉的第二方向上延伸；一对分开的栅线，彼此间隔开而使绝缘分隔结构在其间，并在第二方向上延伸以与绝缘分隔结构对准；一对源极/漏极区域，位于鳍型有源区域上并彼此间隔开而使绝缘分隔结构位于其间；以及跨接接触，位于绝缘分隔结构之上并且连接在所述一对源极/漏极区域之间。
集成电路器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710103297.8有效
发明人： 李海王 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括在基板上的第一有源结构，第一有源结构在第一方向上包括第一外延图案、第二外延图案以及在第一外延图案和第二外延图案之间的第一沟道图案，第一沟道图案包括堆叠在基板上的至少一个沟道图案。第一栅极结构设置在第一沟道图案的顶表面和底表面上。第二有源结构在基板上并在第一方向上包括第二外延图案、第三外延图案以及在第二外延图案和第三外延图案之间的第二沟道图案。第二沟道图案包括堆叠在基板上的至少一个沟道图案。第二沟道图案的堆叠的沟道图案的数量大于第一沟道图案的堆叠的沟道图案的数量。第二栅极结构设置在第二沟道图案的顶表面和底表面上。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910897507.4在审
发明人：金荣勋;梁在锡;李海王 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件及其制造方法。所述方法包括：在衬底上顺序地堆叠下部牺牲层和上部牺牲层；图案化所述上部牺牲层以形成第一上部牺牲图案和第二上部牺牲图案；分别在所述第一上部牺牲图案的侧壁和所述第二上部牺牲图案的侧壁上形成第一上部间隔物和第二上部间隔物；使用所述第一上部间隔物和所述第二上部间隔物作为蚀刻掩模来图案化所述下部牺牲层，以形成多个下部牺牲图案；在所述多个下部牺牲图案的侧壁上形成多个下部间隔物；以及使用所述多个下部间隔物作为蚀刻掩模来图案化所述衬底。所述第一上部间隔物和所述第二上部间隔物彼此连接。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201910903410.X在审
发明人：朴相俊;李海王;崔宰铭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：第一互连线，具有第一端并在第一方向上延伸；第一阻挡图案，在第一互连线的第一端处并且在第一方向上与第一互连线相邻；第二互连线，在与第一方向交叉的第二方向上与第一互连线间隔开并在第一方向上延伸，第二互连线具有第二端；第二阻挡图案，在第二互连线的第二端处并且在第一方向上与第二互连线相邻，其中第一阻挡图案在第一方向上的宽度不同于第二阻挡图案在第一方向上的宽度。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201910609180.6在审
发明人：金煐勋;梁在锡;李海王 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：有源区域，在衬底上沿第一方向延伸；掩埋导电层，在衬底上与有源区域相邻设置并沿第一方向延伸；栅电极，交叉有源区域并沿交叉第一方向的第二方向延伸；源/漏层，在栅电极的一侧设置在有源区域上；栅隔离图案，设置在掩埋导电层上以与栅电极的一端相邻设置，并沿第一方向延伸；以及接触插塞，设置在源/漏层上、电连接到掩埋导电层并与栅隔离图案接触。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910331372.5在审
发明人：金煐勋;梁在锡;李海王 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括基板，基板具有沿第二方向交替布置的单元区域和电力区域。栅极结构沿第二方向延伸。栅极结构沿与第二方向垂直的第一方向彼此间隔开。接合层布置在每个栅极结构的两侧。接合层沿第二方向布置，使得每个接合层具有靠近电力区域的平坦部分。切割图案布置在电力区域中。切割图案沿第一方向延伸，使得相邻单元区域中的每个栅极结构和每个接合层通过切割图案彼此分离。
栅极结构接合层切割图案方向延伸基板半导体器件彼此分离单元区域方向垂直交替布置相邻单元平坦

[发明专利]半导体器件-CN201910259333.9在审
发明人：金煐勋;梁在锡;李海王 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：第一鳍图案和第二鳍图案，通过第一隔离沟槽分离并在第一方向上延伸；第三鳍图案，在与第一方向相交的第二方向上与第一鳍图案间隔开并在第一方向上延伸；第四鳍图案，通过第二隔离沟槽与第三鳍图案分离；第一栅结构，与第一鳍图案相交，并且具有沿第一鳍图案的上表面延伸的部分；第二栅结构，与第二鳍图案相交，并且具有沿第二鳍图案的上表面延伸的部分；以及第一元件隔离结构，填充第二隔离沟槽，并且面对第一栅结构的短边。
图案隔离沟槽栅结构相交半导体器件延伸上表面第一元件隔离结构图案间隔短边填充

[发明专利]具有电源轨的半导体装置-CN201811215341.5在审
发明人：朴判济;梁在锡;金煐勳;李海王;千宽永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置。所述半导体装置包括衬底、第一栅极结构、第一接触塞及电源轨。衬底包括在第一方向上延伸的第一单元区及第二单元区以及连接到第一单元区及第二单元区的在第二方向上相对的两端中的每一端的电源轨区。第一栅极结构在第二方向上从第一单元区与第二单元区之间的边界区域延伸到电源轨区。第一接触塞形成在电源轨区上且接触第一栅极结构的上表面。电源轨在电源轨区上在第一方向上延伸且电连接到第一接触塞。电源轨通过第一接触塞对第一栅极结构供应关断信号以将第一单元区与第二单元区电绝缘。本公开的半导体装置的相邻的单元区即使在具有高集成度的条件下，也可彼此有效地绝缘。
单元区电源轨半导体装置栅极结构接触塞衬底延伸边界区域高集成度关断信号电绝缘电连接上表面有效地绝缘

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810475600.1在审
发明人：钱钰博;金柄成;朴哲弘;李海王 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：第一逻辑单元及第二逻辑单元，在衬底上在第一方向上彼此相邻；栅极电极，在第一逻辑单元及第二逻辑单元的每一者中在第一方向上延伸；电源线，在第一逻辑单元与第二逻辑单元之间的边界处在第二方向上延伸；以及连接结构，将电源线电连接到第一逻辑单元的有源图案及第二逻辑单元的有源图案。连接结构位于电源线下方且从第一逻辑单元延伸到第二逻辑单元。连接结构的顶表面处于比栅极电极的顶表面的水平高度高的水平高度。在本发明的半导体器件中，单个连接结构可将电源线电连接到不同逻辑单元的源极/漏极区。由此，半导体器件的集成度可因此得到提高且制造可因此得到简化。
逻辑单元半导体器件连接结构电源线电连接栅极电极电源线顶表面源图案延伸制造源极/漏极区单个连接集成度衬底

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