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[发明专利]一种高精度自校准磁开关芯片-CN202310315957.4在审
发明人：何生生;王为;李泽宏;李勇 -专利权人：贵州雅光电子科技股份有限公司;贵州恒芯微电子科技有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01D5/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种高精度自校准磁开关芯片，用于提高芯片磁场检测工作的精准度。本申请包括：VCC管脚分别与带隙基准及电流偏置模块和调试校准模块连接；带隙基准及电流偏置模块分别与供电电压模块和参考电压模块连接；数字模块分别与调试校准模块和参考电压模块VREF_COMP连接；惠斯通电桥分别与供电电压模块、GND管脚和低失调比较器连接；低失调比较器分别与参考电压模块、数字模块和第一晶体管NMOS连接；第一晶体管NMOS分别与GND管脚和OUT管脚连接；复用输出模块分别与数字模块、调试校准模块和OUT管脚连接；调试校准模块分别与OUT管脚和Test管脚连接。
一种高精度校准开关芯片

[发明专利]一种基于LSTM-ARIMA的IGBT剩余使用寿命预测方法-CN202310196124.0在审
发明人：徐国皓;曾潇;李泽宏;李红波 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于LSTM‑ARIMA的IGBT剩余使用寿命预测方法，包括：获取IGBT加速老化数据，并对IGBT加速老化数据进行预处理生成IGBT加速老化训练样本数据；其中，所述IGBT加速老化数据包括：在老化实验中IGBT的集射极电压、栅射极电压、集电极电流、关断峰值电压、壳温和结温随时间变化的序列；利用IGBT加速老化训练样本数据对IGBT寿命预测模型进行训练；获取IGBT的历史运行数据，并对IGBT的历史运行数据进行预处理，将预处理后的IGBT历史运行数据输入训练好的IGBT寿命预测模型预测IGBT的剩余使用寿命，本发明通过多维的数据输入避免单个数据导致的误差，提高预测结果的准确性。
一种基于 lstm arima igbt 剩余使用寿命预测方法

[发明专利]低击穿电压温度系数的Trench MOSFET器件及制备方法-CN202111259941.3有效
发明人： 李泽宏;刘小菡;黄龄萱;王彤阳 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种低击穿电压温度系数的Trench MOSFET器件及制备方法，包括P+衬底、金属化漏极、P‑漂移区、金属化源极、氧化层、栅电极、N‑掺杂区、P+重掺杂区、N+重掺杂区、金属化源极；本发明有效解决了Trench MOSFET穿通击穿电压随温度升高而增大所带来的可靠性问题。显然，上述中所有的P型区与所有的N型区均可对换，对换后成为一种导电类型相反的器件。该结构还可为其他结构相似器件，提供实现低击穿电压温度系数的关键技术。
击穿电压温度系数 trench mosfet 器件制备方法

[发明专利]击穿电压温度系数可调的SGT-MOSFET器件及制备方法-CN202111261587.8有效
发明人： 李泽宏;王彤阳;刘小菡;黄龄萱 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种击穿电压温度系数可调的SGT‑MOSFET器件及制备方法，包括P+衬底、金属化漏极、P‑漂移区、氧化层、金属化源极、控制栅电极和屏蔽栅电极、N‑掺杂区、P+重掺杂区、N+重掺杂区、金属化电极；本发明所提供的一种击穿电压温度系数可调的SGT‑MOSFET器件，有效解决了SGT‑MOSFET穿通击穿电压随温度升高而增大所带来的可靠性问题。显然，本发明中所有的N型区和P型区可完全对换，对换后形成导电类型相反的器件。
击穿电压温度系数可调 sgt mosfet 器件制备方法

[发明专利]一种带有死区控制功能的自举电荷泵-CN202210184354.0有效
发明人： 李泽宏;蒋越飞 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明涉及电子电路技术，具体涉及一种带有死区控制功能的自举电荷泵电路，包含浮动电源轨电路，死区控制电路，自举电荷泵主体电路；浮动电源轨电路用于产生一个以自举电容的负端为参考地的电源轨，以此作为死区控制电路的正端供电电源轨；死区控制电路包含电平移位电路、非交叠时钟产生电路、反馈逻辑控制电路，用于产生自举电荷泵主体电路中控制上管和下管开启和关断信号的死区时间，以防止上管和下管同时开启而产生过大的穿通电流，并减少了自举过程中的电荷损耗。本发明通过结合Dickson电荷泵、浮动电源轨、自举技术、死区控制技术实现了一款高效率、低电荷损耗的自举电荷泵电路，可实现较高电压的自举，以作为高侧功率NMOS管的栅压驱动。
一种带有死区控制功能电荷

[发明专利]一种具有PMOS电流嵌位的分离栅CSTBT及其制作方法-CN202111116185.9有效
发明人：张金平;涂元元;朱镕镕;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有PMOS电流嵌位的分离栅CSTBT及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统的CSTBT基础上引入P型埋层和与发射极金属等电位的分离栅电极，通过电荷补偿作用有效的消除了N型电荷存储层对器件击穿特性的影响，有利于改善导通压降Vceon和关断损耗Eoff的折中关系。而且寄生PMOS结构的引入，有利于降低饱和电流，提高器件短路安全工作区，同时减小米勒电容，提高器件的开关速度，降低器件的开关损耗。另外本发明将分离栅电极和栅电极集成在同一个沟槽内，在提高芯片集成度的同时也可以缩短PMOS和NMOS沟道的距离，有利于增强PMOS的钳位效果以及提高关断过程中芯片内部的电流均匀性，提高器件的可靠性和反偏安全工作区。
一种具有 pmos 电流分离 cstbt 及其制作方法

[发明专利]一种半导体纵向器件及制备方法-CN202111261484.1有效
发明人： 李泽宏;王彤阳;黄龄萱;刘小菡 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体纵向器件及制备方法，包括：漏极、P型半导体衬底、P型漂移区、N型半导体体区、P型半导体源区、N型半导体掺杂区、电阻控制栅极、氧化层、控制栅极、屏蔽栅极、源极；本发明在器件中引入电阻区用于补偿Trench MOS的击穿电压温度系数，使得器件的击穿电压温度系数极小，击穿电压随温度变化基本不变，适用于严苛的温度环境中。同时，使用本发明提出的一种半导体纵向器件，不需要额外的击穿电压温度补偿电路，降低整体功耗。
一种半导体纵向器件制备方法

[发明专利]击穿电压温度系数可调的Trench MOSFET器件及制备方法-CN202111261810.9有效
发明人： 李泽宏;王彤阳;刘小菡;黄龄萱 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种击穿电压温度系数可调的Trench MOSFET器件及制备方法，包括P+衬底、金属化漏极、P‑漂移区、氧化层、金属化源极、栅电极、N‑掺杂区、P+重掺杂区、N+重掺杂区；本发明有效解决了Trench MOSFET穿通击穿电压随温度升高而增大所带来的可靠性问题。显然，本发明中所有的N型区和P型区可完全对换，对换后形成导电类型相反的器件。
击穿电压温度系数可调 trench mosfet 器件制备方法

[发明专利]一种半导体纵向器件及制备方法-CN202111263472.2有效
发明人： 李泽宏;黄龄萱;刘小菡;王彤阳 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体纵向器件及制备方法，包括漏极、P型半导体衬底、P型漂移区、N型半导体体区、P型半导体源区、N型半导体掺杂区、电阻控制栅极、氧化层、控制栅极、源极；本发明在器件中引入电阻区用于补偿Trench MOS的击穿电压温度系数，使得器件的击穿电压温度系数极小，击穿电压随温度变化基本不变，适用于严苛的温度环境中。同时，使用本发明提出的一种半导体纵向器件，不需要额外的击穿电压温度补偿电路，降低整体功耗。
一种半导体纵向器件制备方法

[发明专利]一种抗总剂量辐射加固的屏蔽栅VDMOS-CN202210211123.4有效
发明人：任敏;涂俊杰;张淑萍;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种抗总剂量辐射加固的屏蔽栅VDMOS，包括：漏极金属，重掺杂第一导电类型半导体衬底，第一层第一导电类型半导体漂移区，第二层第一导电类型半导体漂移区，第二导电类型半导体阱区，重掺杂第二导电类型半导体欧姆接触区，重掺杂第一导电类型半导体源区，屏蔽栅多晶硅电极，栅多晶硅电极，屏蔽栅介质层，隔离介质层，栅极介质层，栅源间介质层，源极金属。本发明提出了一种屏蔽栅VDMOS的漂移区非均匀掺杂分布，可使器件在受到一定剂量的总剂量辐射后漂移区纵向电场为均匀分布，此时的击穿电压为最大值。因此，该器件在经受总剂量辐射时，随着辐射剂量的增大，击穿电压发生先增大后减小的变化，使得需要更大的辐射剂量才能让器件退化至失效。
一种剂量辐射加固屏蔽 vdmos

[发明专利]一种交叉耦合空腔基片集成波导带通滤波器-CN202211034523.9有效
发明人：李伟;陈鹏;李泽宏;李陆坪;段兆云 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01P1/208 文献下载
摘要：本发明涉及微波毫米波滤波器领域，具体涉及一种可产生带外零点的交叉耦合空腔基片集成波导带通滤波器。本发明通过在传统空腔基片集成波导带通滤波器中引入交叉耦合微带线，在原有带通滤波器通带两边引入了两个带外传输零点，提高了滤波器的通带选择性和带外抑制能力。发明中的空腔基片集成波导带通滤波器由若干级联的空气谐振腔组成；引入的交叉耦合微带线连接首尾两个空气谐振腔，使之相互耦合，结合空气谐振腔原有的耦合路径，形成交叉耦合结构。本发明给出了设计结构的详细描述、说明图、耦合拓扑结构和滤波器电参数效果等。
一种交叉耦合空腔集成波导带通滤波器

[实用新型]一种堆叠封装的功率MOSFET器件-CN202223391688.X有效
发明人： 李泽宏;王彤阳;杨洋;吴峻翔 -专利权人：成都鼎芯微科技有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种堆叠封装的功率MOSFET器件，包括P型衬底(1)，其特征在于：在P型衬底(1)上依次设置有P型外延层(2)、N型漂移区(3)以及N型漏区(4)，P型外延层(2)上设有均与N型漂移区(3)和N型漏区(4)相接触的栅极结构；在栅极结构与P型外延层(2)之间分别设有相互接触的N型源区(5)和金属沉片(7)；N型漏区(4)上设有与栅极结构相接触的漏极金属电极(10)，P型衬底(1)的下端设有源极金属电极(11)。本实用新型不仅结构简单，还能使源极电极可以从器件底部引出，因此为特定应用时器件的堆叠设置提供了可能性，能显著提高封装效率，减小芯片面积，适合推广使用。
一种堆叠封装功率 mosfet 器件

[发明专利]一种表贴式永磁同步电机的全速域无位置传感器矢量控制方法-CN202310254102.5在审
发明人：王亚豪;李泽宏;曾潇;向月清 -专利权人：重庆邮电大学;电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H02P21/18 文献下载
摘要：本发明属于永磁同步电机的无位置传感器矢量控制领域，具体涉及一种表贴式永磁同步电机的全速域无位置传感器矢量控制方法；包括构建I/F启动模块，采用I/F启动模块实现表贴式永磁同步电机在中低速平稳运行并平滑切换到中高速；检测表贴式永磁同步电机切换到中高速后的定子电流；构建基于锁相环的滑模观测器，该滑模观测器根据定子电流估算定子反电势；根据得到的定子反电势的估计值获取转子的位置信息，实现表贴式永磁同步电机在中高速平稳运行；采用超前角弱磁算法改变定子电流，进一步提高表贴式永磁同步电机的转速，实现表贴式永磁同步电机全速域的无位置传感器矢量控制。
一种表贴式永磁同步电机全速位置传感器矢量控制方法

[发明专利]一种基于车用同步整流的最小导通时间产生电路-CN202210377716.8有效
发明人： 李泽宏;万佳利;曾传扬 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：本发明属于电子技术领域，具体涉及一种基于车用同步整流的最小导通时间产生电路。本发明通过输入数字信号连接到计数器开始计数，通过比较器判断频率是否低于或高于临界值，如果低于临界值或高于临界值，该电路会被关断；若判断出频率在临界值之内，将通过D触发器将跟踪的相电压频率进行输出。本发明的有益效果为，电路结构简单，相比于其他的传统频率解析方法，本方案具有简单、高效、可移植、实时解析等优点。
一种基于同步整流最小时间产生电路

[发明专利]一种BSG同步整流控制方法-CN202210394178.3有效
发明人： 李泽宏;万佳利;何玄;曾传扬 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：本发明属于开关电源技术领域，涉及用于BSG构型的同步整流控制方法。本发明的内容，主要基于BSG构型给出一种自适应导通时间同步整流控制方法。主要模块包括相电压比较逻辑模块，栅极控制信号产生保持模块和ACT时间产生模块。其中，相电压比较逻辑模块对三相电压进行比较输出同步整流开关管控制信号。栅极控制信号产生保持模块比较ACT计数值来控制产生栅极驱动信号。ACT时间产生模块通过BP神经网络根据转速以及负载电流进行ACT时间预测建模，生成对应导通时间计数值。本发明的有益效果为，该BSG同步整流控制技术，解决了采用相电压采样时，换相重叠引起的相电压震荡，并能根据不同负载电流和转速得到最优自适应导通时间实现同步整流功能。
一种 bsg 同步整流控制方法